全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)于2023年1月起与 Quanmatic Inc.(总部位于日本东京都新宿区，以下简称“Quanmatic”)展开合作，在半导体制造工序之一的EDS工序中测试并引入量子技术，以优化制造工序中的组合。目前，双方已经在提高生产效率方面取得了一定成果，目标是在2024年4月正式应用该成果。在半导体制造工厂的大型量产线上证实量子技术对制造工序的优化效果，在全球
范围内尚属先例。
近年来，很多领域都在尝试利用量子技术，特别是量子退火算法*2在物流行业的配送路线优化等组合优化领域的应用越来越广泛。另一方面，在半导体行业，随着制造工序的增加，组合数量呈指数级增长趋势，而且还存在很多制约条件，因此很难得到最优解，目前，量子技术在生产工序中的应用仅限于类似于古典计算机可以运算的程度。
在EDS工序中也一样，生产设备、测试设备、测试条件等的组合数很庞大，因此即使只是部分工序，也很难得出优化制造工序的解决方案。所以，以往通常是根据基本的计算规则，利用所积累的知识和技术来进行操作(工序划分)。
在这种背景下，罗姆与Quanmatic于2023年1月开始研究考虑到EDS工序中的各种制约条件的、使用量子解决方案的操作系统。Quanmatic拥有建基于早稻田大学和庆应义塾大学研究成果的量子计算技术效率提升产品群、充分利用量子和古典计算技术的计算框架以及专门的公式化技术，在此基础上，融合罗姆多年来积累的丰富的知识、技术技巧和各种数
据，双方于2023年9月成功构建了原型。
通过在罗姆国内外工厂对该原型进行测试和验证，证实运转率和交货延迟率等目标指标分别提高了几个百分点。通过形成算法，还可以大大缩短计算时间，使得根据制造条件的变化进行及时且合适的操作成为可能。
接下来，双方将进一步深化合作，通过在海外工厂的反复试运行，进一步提高操作系统的精度，力争在2024年4月正式投入运行。
早稻田大学 理工学术院教授、Quanmatic CSO& Co-
Founder 戸川望表示:
“这一成果是将大学研究的高级数学优化算法落实在具体应用中的一个案例，以量子相关技术为基础，利用每天优化的供应链提供半导体产品，这在量子技术的大规模实际应用方面具有非常重要的意义。我相信，通过不断积累这样的成果，将会为日本政府公布的“量子未来社会愿景”(到2030年量子技术的使用者达到1000万人)奠定基础。”
罗姆董事高级执行官CTO立石哲夫表示:
“在实现无碳社会的进程中，半导体的作用越来越大，而半导体产品的稳定供应也已成为一个社会课题。此次能够利用量子技术开发出适合大型量产线的操作系统，对于半导体制造行业而言是非常大的进步，这将使实时优化生产操作成为可能。罗姆不会止步于现在的成就，我们的目标是通过加快速度将量子技术及其相关方法引入到更多的工序中，构建适合所有工序的优化供应链，加强ROHM的稳定供应体系。”
*1) Electrical Die Sorting。用于测试晶圆上形成的芯片的电气特性的工序，对于确保半导体元器件可靠性和提高成品率至关重要。
*2)由东京工业大学西森秀稔教授提出、由加拿大D-Wave Systems公司于2011年全球首次商用的技术，该技术引发了量子计算的研究热潮。通常认为该技术在解决组合优化问题方面表现出色，找元器件现货上唯样商城，而且其应用性很强，因此在社会上的大范围实际应用将指日可待。
■关于Quantmatic
Quanmatic由早稻田大学戸川望教授 (Chief Sicentific Officer)、CEO古贺纯隆、庆应义塾大学田中宗副教授(Chief Technology Officer)和Chief Product Officer武笠阳介四人于2022年10月创立，公司以戸川望教授的研究成果为基础，研究和开发旨在利用量子相关技术的计算机科学算法。公司以“实现人人可用量子技术的世界”为愿景，不断开发将算法知识产权应用于商业课题的优化引擎，并拓展开发
独立于硬件的提高“通用量子计算技术”效率的解决方案。
范围内尚属先例。
近年来，很多领域都在尝试利用量子技术，特别是量子退火算法*2在物流行业的配送路线优化等组合优化领域的应用越来越广泛。另一方面，在半导体行业，随着制造工序的增加，组合数量呈指数级增长趋势，而且还存在很多制约条件，因此很难得到最优解，目前，量子技术在生产工序中的应用仅限于类似于古典计算机可以运算的程度。
在EDS工序中也一样，生产设备、测试设备、测试条件等的组合数很庞大，因此即使只是部分工序，也很难得出优化制造工序的解决方案。所以，以往通常是根据基本的计算规则，利用所积累的知识和技术来进行操作(工序划分)。
在这种背景下，罗姆与Quanmatic于2023年1月开始研究考虑到EDS工序中的各种制约条件的、使用量子解决方案的操作系统。Quanmatic拥有建基于早稻田大学和庆应义塾大学研究成果的量子计算技术效率提升产品群、充分利用量子和古典计算技术的计算框架以及专门的公式化技术，在此基础上，融合罗姆多年来积累的丰富的知识、技术技巧和各种数
据，双方于2023年9月成功构建了原型。
通过在罗姆国内外工厂对该原型进行测试和验证，证实运转率和交货延迟率等目标指标分别提高了几个百分点。通过形成算法，还可以大大缩短计算时间，使得根据制造条件的变化进行及时且合适的操作成为可能。
接下来，双方将进一步深化合作，通过在海外工厂的反复试运行，进一步提高操作系统的精度，力争在2024年4月正式投入运行。
早稻田大学 理工学术院教授、Quanmatic CSO& Co-
Founder 戸川望表示:
“这一成果是将大学研究的高级数学优化算法落实在具体应用中的一个案例，以量子相关技术为基础，利用每天优化的供应链提供半导体产品，这在量子技术的大规模实际应用方面具有非常重要的意义。我相信，通过不断积累这样的成果，将会为日本政府公布的“量子未来社会愿景”(到2030年量子技术的使用者达到1000万人)奠定基础。”
罗姆董事高级执行官CTO立石哲夫表示:
“在实现无碳社会的进程中，半导体的作用越来越大，而半导体产品的稳定供应也已成为一个社会课题。此次能够利用量子技术开发出适合大型量产线的操作系统，对于半导体制造行业而言是非常大的进步，这将使实时优化生产操作成为可能。罗姆不会止步于现在的成就，我们的目标是通过加快速度将量子技术及其相关方法引入到更多的工序中，构建适合所有工序的优化供应链，加强ROHM的稳定供应体系。”
*1) Electrical Die Sorting。用于测试晶圆上形成的芯片的电气特性的工序，对于确保半导体元器件可靠性和提高成品率至关重要。
*2)由东京工业大学西森秀稔教授提出、由加拿大D-Wave Systems公司于2011年全球首次商用的技术，该技术引发了量子计算的研究热潮。通常认为该技术在解决组合优化问题方面表现出色，找元器件现货上唯样商城，而且其应用性很强，因此在社会上的大范围实际应用将指日可待。
■关于Quantmatic
Quanmatic由早稻田大学戸川望教授 (Chief Sicentific Officer)、CEO古贺纯隆、庆应义塾大学田中宗副教授(Chief Technology Officer)和Chief Product Officer武笠阳介四人于2022年10月创立，公司以戸川望教授的研究成果为基础，研究和开发旨在利用量子相关技术的计算机科学算法。公司以“实现人人可用量子技术的世界”为愿景，不断开发将算法知识产权应用于商业课题的优化引擎，并拓展开发
独立于硬件的提高“通用量子计算技术”效率的解决方案。
小型顶侧冷却 PowerPAK® 8 x 8 LR封600 VE 系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 VE 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算
应用提供高效的高功率密度解决方案。
第四代 600 V E 系列功率 MOSFET
·Rps(ON)*QgFOM 达到业内先进水平
·第四代器件，额定功率和功率密度高于 D²PAK 封装 产品
·降低导通和开关损耗，从而提升能效
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK®8 x 8 LR 封装的第四代600VE系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比， Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27%，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60%，额定电流高于D2PAK 封装器件，同时减小占位面积。
Vishay 丰富的MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600VE系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求一包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。
SiHR080N60E采用小型PowerPAK8x8 LR 封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x1.65mm，占位面积比D2PAK 封装减小50.8%，高度降低66%。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳(漏极)热阻仅为0.25°C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK 封装高46%，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.074Ω，超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的FOM 为3.1Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2kW以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接，以提高开关效率。找元器件现货上唯样商城。
器件符合 RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS 测试。 #元器件#
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 VE 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算
应用提供高效的高功率密度解决方案。
第四代 600 V E 系列功率 MOSFET
·Rps(ON)*QgFOM 达到业内先进水平
·第四代器件，额定功率和功率密度高于 D²PAK 封装 产品
·降低导通和开关损耗，从而提升能效
Vishay 推出首款采用新型PowerPAK®8 x 8 LR 封装的第四代600VE系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比， Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27%，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)下降60%，额定电流高于D2PAK 封装器件，同时减小占位面积。
Vishay 丰富的MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600VE系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求一包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。
SiHR080N60E采用小型PowerPAK8x8 LR 封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x1.65mm，占位面积比D2PAK 封装减小50.8%，高度降低66%。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳(漏极)热阻仅为0.25°C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK 封装高46%，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10V下典型导通电阻仅为0.074Ω，超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的FOM 为3.1Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2kW以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接，以提高开关效率。找元器件现货上唯样商城。
器件符合 RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS 测试。 #元器件#
罗姆的EcoGaN™被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器“C4 Duo”采用!
ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件( EcoGaNT™)，被台达电子(Delta Electronics, Inc.，以下简称“台达”)Innergie品牌的45W输出AC适配器(快速充电器)“C4 Duo”采用。台达是基于
loT技术的绿色解决方案全球供应商。Innergie的AC适配器通过搭载可提高电源系统效率的罗姆
EcoGaNTM“GNP1150TCA”，提高了产品性能和可靠性的同时也实现了小型化。
在推动实现无碳社会的进程中，由于处理大功率的设备的功率损耗尤为显著，因而相关制造商正在采取措施加快节能步伐。另外，对于电源而言，如果能够使器件高频工作，不仅可以节能，还可以实现电路的小型化，因此在产品中搭载使用了可实现高速开关的GaN(氮化镓)的器件已经被很多制
造商提上日程。罗姆将使用了GaN的器件命名为“EcoGaNT™”品牌，并正在不断扩大其产品阵容。GaN的潜力很大，但处理起来却很难，目前罗姆正在推进注重“易用性”的产品开发并提供相关解决方案。在分立产品方面，罗姆已于2022年开始量产
150V耐压的GaN HEMT，并于2023年开始量产实现业界超高性能(RDS (ON)xCiss /RDS (ON) xCoss)的650V耐压GaN HEMT。此次，由于650V耐压产品
“GNP1150TCA-Z”内置的ESD保护元件，使其静电耐受能力比普通GaN HEMT提高了约75%，而这有助于提高应用产品的可靠性，在这方面的出色表现得到了客户的认可，从而被应用到客户的产品中。
Innergie (台达的品牌)General Manager Jason Chen表示:
“GaN功率器件的技术进步引起了全球电子行业的高度关注。过去多年来，双方交流不断加深，并于2022年就电源系统用的功率器件达成了战略合作伙伴关系。作为双方技术交流的成果，罗姆的650V GaN HEMT“GNP1150TCA-Z”为Innergie 新产品提供了支持。“C4 Duo”是“One for All系列”产品中第一款使用罗姆GaN器件的产品，希望未来能够用在
更多型号的产品中。相信通过继续加强与罗姆的合作，我们将能够提供输出功率更高、功能更强大的AC适配器。”
罗姆 LSI事业本部电源LSI业务担当Power Stage商品开发部 部长 山口 雄平表示:
“非常荣幸罗姆的EcoGaN™能够被电源管理和热对策领域的全球领导者台达的AC适配器采用。罗姆正在通过提高功率半导体的性能和可构建更出色拓扑结构的模拟技术，助力台达提高其大功率电源装置的功率转换效率。另外，两家公司在实现无碳社会和数字社会方面有着相似的经营愿景，利用台达在电源电路设计方面的优势以及罗姆在器件和IC等产品
方面的优势，双方建立了稳固的合作关系，这也促成了此次的成功采用。希望双方利用不断深入的合作关系，继续推动更小型、更高效的充电器等产品开发，为丰富人们的生活做出贡献。”
<关于罗姆的EcoGaN™>
EcoGaNT™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，找元件现货上唯样商城，该系列产品有助于应用产品 进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。#元器件#
ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件( EcoGaNT™)，被台达电子(Delta Electronics, Inc.，以下简称“台达”)Innergie品牌的45W输出AC适配器(快速充电器)“C4 Duo”采用。台达是基于
loT技术的绿色解决方案全球供应商。Innergie的AC适配器通过搭载可提高电源系统效率的罗姆
EcoGaNTM“GNP1150TCA”，提高了产品性能和可靠性的同时也实现了小型化。
在推动实现无碳社会的进程中，由于处理大功率的设备的功率损耗尤为显著，因而相关制造商正在采取措施加快节能步伐。另外，对于电源而言，如果能够使器件高频工作，不仅可以节能，还可以实现电路的小型化，因此在产品中搭载使用了可实现高速开关的GaN(氮化镓)的器件已经被很多制
造商提上日程。罗姆将使用了GaN的器件命名为“EcoGaNT™”品牌，并正在不断扩大其产品阵容。GaN的潜力很大，但处理起来却很难，目前罗姆正在推进注重“易用性”的产品开发并提供相关解决方案。在分立产品方面，罗姆已于2022年开始量产
150V耐压的GaN HEMT，并于2023年开始量产实现业界超高性能(RDS (ON)xCiss /RDS (ON) xCoss)的650V耐压GaN HEMT。此次，由于650V耐压产品
“GNP1150TCA-Z”内置的ESD保护元件，使其静电耐受能力比普通GaN HEMT提高了约75%，而这有助于提高应用产品的可靠性，在这方面的出色表现得到了客户的认可，从而被应用到客户的产品中。
Innergie (台达的品牌)General Manager Jason Chen表示:
“GaN功率器件的技术进步引起了全球电子行业的高度关注。过去多年来，双方交流不断加深，并于2022年就电源系统用的功率器件达成了战略合作伙伴关系。作为双方技术交流的成果，罗姆的650V GaN HEMT“GNP1150TCA-Z”为Innergie 新产品提供了支持。“C4 Duo”是“One for All系列”产品中第一款使用罗姆GaN器件的产品，希望未来能够用在
更多型号的产品中。相信通过继续加强与罗姆的合作，我们将能够提供输出功率更高、功能更强大的AC适配器。”
罗姆 LSI事业本部电源LSI业务担当Power Stage商品开发部 部长 山口 雄平表示:
“非常荣幸罗姆的EcoGaN™能够被电源管理和热对策领域的全球领导者台达的AC适配器采用。罗姆正在通过提高功率半导体的性能和可构建更出色拓扑结构的模拟技术，助力台达提高其大功率电源装置的功率转换效率。另外，两家公司在实现无碳社会和数字社会方面有着相似的经营愿景，利用台达在电源电路设计方面的优势以及罗姆在器件和IC等产品
方面的优势，双方建立了稳固的合作关系，这也促成了此次的成功采用。希望双方利用不断深入的合作关系，继续推动更小型、更高效的充电器等产品开发，为丰富人们的生活做出贡献。”
<关于罗姆的EcoGaN™>
EcoGaNT™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，找元件现货上唯样商城，该系列产品有助于应用产品 进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。#元器件#
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