多摩美术大学的线上校园开放日开始预约啰,考多摩的同学注意咯!
预约链接
https://t.cn/A6HXA0Ed
【オープンキャンパス2024 ご案内】
6月9日(日)に開催するオンラインオープンキャンパスのタイムテーブル(clock)を公開しました!
多摩美の今年のオンラインオープンキャンパスは、各学科/専攻/コースの入試解説を中心に行います(palette)
ご自宅やお好きな場所から気軽に参加できますので(名前・顔出しは不要ですよ!)、多摩美はもちろん、美大・アート・デザイン・建築・演劇舞踊・劇場美術などに興味のある幅広い方におすすめです。ぜひご参加ください。
そのほかにも、職員が学生生活や奨学金、卒業後の進路をご紹介するプログラムもあります。
事前予約制ですので、下記URLにアクセスのうえお申込みください(clapping hands)
教職員に聞いてみたい質問のある方は、お申込み時に書いてくださいね!
たくさんのお申込みをお待ちしています(sparkle)
https://t.cn/A6HXA0Er
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杢代和人(@SDE_STARDUSTBIN)
原因は自分にある
⋆⸜ 杢代和人 20ᴛʜ ʙɪʀᴛʜᴅᴀʏ ⸝⋆
本日20歳の誕生日を迎えた、
杢代和人のBirthday Goods&生写真セットの受注販売が決定!
\ 只今より販売スタート /
⚫︎販売期間
5/20(月)20:00~5/26(日)23:59
記念にぜひご利用下さい ˊ˗
https://t.cn/A6H6zBnu
#げんじぶ
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#げんじぶ
セミナー紹介
昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。本講義ではそれらで求められる技術を、(1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。
ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。
また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。
マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。しかし、チップレベルのハイブリッド接合には上記で挙げた接合工程のみならず、プレアセンブリ―(薄化、ダイシング等)の後工程プロセスにより多くの課題が残されており、R&Dのフェーズを脱していません。
本講義ではこのハイブリッド接合やBSPDNで用いられる要素技術、評価手法を中心に最新の開発動向などについて解説いたします。 https://t.cn/RqU8yb4
昨今の半導体技術ではムーアの法則が頭打ちになってきたことで、さらなる性能向上もしくは集積度向上策として3次元集積が必須になりつつあります。本講義ではそれらで求められる技術を、(1)先端3Dロジック半導体、(2)チップレット集積についてベルギー imecなどでの研究も踏まえた最新の開発動向を具体的に紹介すると共に、今後の方向性を展望します。
ロジック半導体はAI半導体やデータセンターでのさらなる活用が見込まれています。そのロジック半導体の2nmノード以降での適用が期待されている先端3D集積配線形成技術が「Backside Power Delivery Network (BSPDN)」。このBSPDNを中心に前工程において後工程の接合や薄化技術を活用することが検討されています。
また、新規の接合技術では「ハイブリッド接合」に大きな期待が寄せられています。裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、既にハイブリッド接合が実用化されています。さらにチップサイズ縮小と高速化のために、3次元フラッシュメモリにおいても応用が検討されています。このハイブリッド接合技術は「ダマシン配線」、「CMP」、「洗浄」、「プラズマ活性化直接接合」等の要素技術を駆使し、デバイスを3D集積する新規な接合技術です。今後はピッチの縮小に挑むことになり、現在の1μmピッチ程度から、将来的には500nmピッチ以下を目指すことになります。このような微細ハイブリッド接合を達成するためには多くの課題が残っており、さまざまな研究機関、デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーが研究開発を進めています。
マイクロプロセッサーなどロジック半導体では低消費電力、高Yield(歩留まり)、Time-to-Marketの短縮のためにチップレット集積が注目されています。その中でも大きな課題となっているのは垂直方向配線のピッチ縮小です。この課題に対し、現状のソルダー熱圧着の代替としてのここでもハイブリッド接合に期待がかかっています。しかし、チップレベルのハイブリッド接合には上記で挙げた接合工程のみならず、プレアセンブリ―(薄化、ダイシング等)の後工程プロセスにより多くの課題が残されており、R&Dのフェーズを脱していません。
本講義ではこのハイブリッド接合やBSPDNで用いられる要素技術、評価手法を中心に最新の開発動向などについて解説いたします。 https://t.cn/RqU8yb4
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