https://t.cn/A6GaQ2Si 德州仪器(TI)今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器,可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电源磁性器件的尺寸减少59%。TI利用其独有的GaN材料和在硅(Si)基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET,与碳化硅(SiC)等同类衬底材料相比,更具成本和供应链优势。
德州仪器(TI)今天推出了面向汽车和工业应用的下一代 650V 和 600V 氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的 GaN FET 系列采用快速切换的2.2 MHz 集成栅极驱动器,可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电源磁性器件的尺寸减少59%,更具成本和供应链优势。点击链接https://t.cn/A6Gi5Wg6,了解更多有关 GaN FET 的内容吧!
【TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET】德州仪器(TI)今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器,可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电源磁性器件的尺寸减少59%。https://t.cn/A6GiwhFC
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