根据中国气象局的全国降水量预报:在未来的 7 天之内,黄河、长江中下游都可能面临一场强降雨(下图,图片来源:中国气象局)。

更多的地区,可能都面临着暴雨带来的一系列问题。

我们收集了网友们提出的大大小小各种问题,找专业人士准备了 60 条解答。

内容分为五大模块:

1⃣️ 洪涝到来前的预防
2⃣️ 来临时的紧急避险
3⃣️ 发生后的潜在危害
4⃣️ 特殊人群如何应对
5⃣️ 心理健康

希望能帮到每一个需要的人

————————

1⃣️ 洪涝到来前:做好准备

⚠️ 基本原则

在看以下内容之前,请先打开天气预报,了解你所在地区的气象信息。

如果你的地区有洪涝、台风、地震等自然灾害风险,家中建议配备应急避难包。

⭕ 准备应急避难包

1. 最重要的,要有可供所有家庭成员 3 天的食物和水。食物要以压缩饼干、方便面等不易腐败的为主。

2. 应急包还应该要有身份证、医保卡、户口本、保险等重要文件复印件,储存在防水袋中。关键时刻,能快速确认身份。

3. 洪涝几乎一定会给某些人带来腹泻症状,记得准备口服补液盐。

4. 准备一双带有鞋带的高帮运动鞋,可以避免在洪涝中被玻璃和碎渣划伤。不建议穿长靴,灌水后会导致行走困难;也不建议穿凉鞋,容易在洪涝中被划伤。

5. 能处理伤口的急救包,别忘记。包括医用绷带、创可贴、医用消毒剂(碘伏或苯扎氯铵)、生理盐水。

6. 虽然很多人觉得没必要,但在有洪涝风险的地区,务必给每位家庭成员准备一件救生衣。

7. 准备能够保温的急救毯或者铝箔保温毯,避免身体因浸湿出现失温。

8. 有条件的话可以准备一些泡腾消毒片(含氯消毒剂),没有干净水源的情况下,它可以帮上大忙。

9. 用含氯消毒剂时,浓度恰当才安全有效,记得按照说明书上的建议来。

2⃣️ 洪涝来临时:学会自救

⚠️ 基本原则

尽量远离洪水。洪水当中可能有排泄物、工业废物、玻璃残渣等,充满细菌、真菌等致病微生物。

不要去洪水中游泳。不论是否会游泳,洪水的水流和漂浮物都可能是致命的。

洪涝来临时,如果处于室内,应向高楼转移(除非需要紧急撤离);如果处于室外,应向地势高处转移,就近找地方避险,不要执着回家。

⭕ 在室内

10. 保持信息更新很重要。及时查看政务短信、收听来自当地气象局和收音机的消息,随时等待逃生撤离指令。

11. 关闭门窗,用胶带纸封住门窗,尽量减少进水。

12. 如果房间进水,立即关闭总电源,并远离进水的电器。

13. 一旦发现有人触电倒地,不要冒然上前施救。能关闭电源就关闭电源,或者用绝缘物体断绝接触再进行施救。

14. 有机会抓住脸盆、木板等一切能漂浮起来的物品。

15. 不要在封闭的阁楼内躲避,水漫进后可能难以逃出。

16. 如果穿着了救生衣,可以双手抱腿漂浮在水中,以尽量减少体温散失。

17. 如果有多个人,可以手牵手、双腿朝内围成圈,同样可以减少体温散失。

18. 在撤离时,记得带上应急避难包。

⭕ 在交通工具上

19. 洪水来袭时如果在开车,应尽可能向高处驾驶,不要盲目驶入桥下、隧道等容易积水的地方。

20. 隧道、桥洞有积水线,在驶入前应观察积水线。

21. 如果车辆抛锚,在周围没有湍急的水流情况下,应尽早弃车逃跑。

22. 如果周围已经有湍急的水流,建议留在车内。

⭕ 在室外

23. 如果洪水上涨过快,你正在步行路上,尽快向上坡、高地等地势高的地方转移。

24. 但山地是个例外,暴雨冲刷可能导致山洪。如果感觉土地变得松软,要尽快逃离。

25. 如果找不到地势高的地方,可以爬上屋顶、大树暂避风险。

26. 无法转移至高处时,尽可能利用手边的门板、木床等漂浮物。

27. 不要靠近桥梁,可能被水流毫无预兆地冲毁。还要远离河边或海岸边。

28. 尽量避开积水路面。如不得不涉水行走,应尽可能穿着高帮运动鞋,可以使用拐杖、木棍等工具探测前方的道路。

30. 远离高压线塔、变压器、配电设施、各种疑似有电的装置,尽量不要用手扶路边的电线杆。

31. 万一行进过程有脚麻的感觉,不要走回而应原路跳回。

3⃣️ 洪涝发生后:避免危害

⚠️ 基本原则

远离洪水,做好人、物的清洁和消毒;

注意饮食安全,确保食物烹熟;

注意蚊虫、动物的叮咬,及时、正确处理伤口;

小心触电。

⭕ 个人卫生

32. 在暴露于洪水后,应尽早彻底洗澡。使用沐浴露和大量洁净水冲洗全身,并更换干净的衣物。

33. 即使只是接触到了洪水,也需要尽快用肥皂和干净的水清洗干净。不便的情况下,可以使用含酒精湿巾或免洗洗手液。

⭕ 饮食卫生

34. 洪水携带大量细菌和微生物,不要用来洗菜、洗碗、洗手、洗漱、洗澡。

35. 洪涝情况下,自来水的卫生条件可能不过关,有条件就尽量喝瓶装饮用水。可参考当地自来水公司公告。

36. 没有瓶装水时,尽量把水煮沸后放凉饮用,不要喝生水。

37. 不要吃被洪水淹死或者死因不明的禽畜,切忌捡食死掉的鱼虾贝类。

38. 因腹泻或呕吐脱水,记得及时补充口服补液盐。

⭕ 避免叮咬

39. 许多昆虫可传播疾病,而洪灾可能会促进昆虫的过度繁殖和异常活动。使用含避蚊胺 (DEET) 或派卡瑞丁的驱蚊剂以减少蚊虫叮咬。

40. 洪灾可能破坏动物住所,导致动物出现在人类活动区域。在返回建筑物时,请小心蛇等动物。

41. 穿浅色和长袖衣服,以减少被蛇咬伤风险。

42. 如被野生动物或流浪动物咬伤,应立即用洗涤剂和大量水冲洗伤口、保持镇定并前往邻近的急诊室。如不确定动物是否有毒,应当作它们有毒。

⭕ 避免划伤及伤口感染

43. 穿着高帮运动鞋,可以尽量避免在洪涝中被划伤。

44. 如在洪涝中被划伤,可以用大量温热的无菌生理盐水冲洗伤口。

45. 如果既往有旧伤口,可以使用防水绷带覆盖,避免伤口直接接触污水从而导致感染。

46. 如果伤口严重污染,可以用碘伏、聚维酮碘、苯扎氯铵等医用消毒剂冲洗伤口。

⭕ 避免触电

47. 远离高压线塔、变压器、配电设施、各种疑似有电的装置。

48. 如果附近可能有漏电现象,要双腿并排着跳走——切忌大跨步地行走。

49. 不要着急挪动电瓶车,可能导致触电。等到积水褪去,确保电瓶车晾干以后再挪动。

4⃣️ 特殊人群

⭕ 孕妇

50. 孕妇需要呆在相对安全和干燥的地方,如果水位很高,找东西垫在脚下,尽量不要让水位超过屁股。

51. 如果下半身曾泡在过洪水中,从危险环境脱离后,及时用干净的水清洗外阴并及时擦干。

52. 如果孕妇肚子疼或「见红」不要慌张,这到正式的「生出孩子」还需要一段时间。首先稳定情绪,找到安全的地方,呼叫并等待急救人员到达,千万不要出门涉险。

⭕ 经期女性

53. 如果下半身曾泡在过洪水中,从危险环境脱离后,及时更换卫生巾或棉条。

54. 如果因为泡水而出现了外阴红肿、瘙痒、刺痛,不能到医院检查时,可以先用清水清洗外阴;待交通恢复正常后,再进行妇科检查。

⭕ 其他群体

55. 老人和残疾人如果行动不便,需要家人先抬至高处,然后拨打求救电话等待救援。

56. 聋哑人士不要着急出门求救。可以尝试通过「手之声」「音书」等软件通话求助。

5⃣️心理健康

57. 允许自己有一些负面情绪。面对突如其来的灾情,感到恐慌焦虑、陷入情绪漩涡是很正常的。

58. 控制自己关注相关信息的时间。极短时间内面对网上大量的灾情信息,容易给人带来「替代性创伤」。

59. 觉得精神紧张的时候,做做运动。运动可以促进人体催产素和多巴胺的分泌,起到缓解抑郁和焦虑情绪的作用。

60. 以祝福替代焦虑。当你正在为不可预测或无法控制的人或事担心,不如尝试着用祈福来放下担心或恐惧情绪。

在灾情面前,团结和爱会让我们渡过难关。

让我们一起为河南祈福,加油~

#四川高速路况##成都城区路况##实时路况# 【路况信息】7月19日实时路况更新:

15时19分,G85银昆高速巴南广段,接高速交警通知,因恶劣天气,暂时关闭伏龙、罗渡、枣山、兴平站入口。 ​​​

15时13分,G8515广泸高速泸荣段,接高速交警通知,奇峰站、方洞站入口,因大雨收费站关闭。 ​​​

15时08分,G4215蓉遵高速泸赤段,接高速交警通知,解除石洞收费站入口,恢复正常通行。 ​​​

14时58分,G4215蓉遵高速泸赤段,接高速交警通知,因暴雨天气,暂时关闭石洞收费站入口,解除时间待定。 ​​​

14时57分,G4215蓉遵高速内自段成都至赤水方向K106+300处,轿车单车事故处理完毕,恢复正常通行。 ​​​

14时30分,G4215蓉遵高速内自段成都至赤水方向K106+300处发生小车单车事故,占用应急车道,请过往司乘人员减速慢行,注意安全。 ​​​

12时24分,G5京昆高速雅西段西昌至雅安方向K2005+601处(大相岭隧道内)处,故障车已拖离隧道,现解除西昌端洞口K2010处的交通管制,车辆恢复正常通行。 ​​​

11时48分,G5京昆高速雅西段西昌至雅安方向K2005+601处(大相岭隧道内)处有一辆小车故障,故障车辆占用行车道,现对大相岭隧道西昌端洞口K2010处进行临时交通管制。 ​​​

11时45分,G76厦蓉高速成渝内江段,银山站出、入口所有车辆已恢复正常通行。 ​​​

11:02时,二环高架:营门口立交至成温立交外侧清溪西路上行匝道, 临时交通分流结束交通恢复。

10:48时,绕城高速:成金青立交至白鹤林立交外侧发生一起交通事故,导致该路段车辆通行缓慢,请途经此处的驾驶员注意避让。

10:47时,绕城高速:北新立交外侧已撤除,交通逐步恢复。

10时39分,G4215蓉遵高速内自段赤水至成都方向,154公里+500米至152公里+500米处,立柱增设反光膜,占超车道,施工结束,恢复正常通行。

10:33时,绕城高速:北新立交外侧发生一起交通事故,导致该路段车辆通行缓慢,请途经此处的驾驶员注意避让。

10时23分,S1成万高速成绵复线段,66公里+88米处(绵竹收费站),收费站大棚加固改造,交替占用收费站车道(不影响收费站正常通行),预计https://t.cn/A6fQLiZt 。请过往车辆减速慢行,注意避让。

10时22分,G76厦蓉高速成渝内江段,因电路故障,银山站出、入口禁止车辆通行。

10时16分,G76厦蓉高速纳黔段(贵州至泸州方向)K1782附近,两轴货车自燃事故处置完毕,解除赤水河站、麻城站、震东站入口往泸州方向关闭。道路交通恢复正常。

10:11时,二环高架:营门口立交至成温立交外侧车辆排行较长,行驶速度缓慢,交管部门已采取临时交通管理措施,清溪西路上行匝道暂时关闭,请驾驶员朋友绕行。

09时55分,G4217蓉昌高速汶马段,现解除对米亚罗收费站、马尔康东站(K279+666)、梭磨站(K255+162)、尽头寨B站入口(K233+175),马尔康至马尽头寨双向主线的交通管制,所有车辆恢复正常通行。

09:18时,剑南大道:府城大道下穿出城的故障车现场已排除,交通正在逐步恢复中

09时06分,G93成渝环线泸渝段重庆至泸州方向,还有一公里到蓝田收费站处,两小车追尾事故处理完毕,车辆恢复正常通行。

08时57分,G4217蓉昌高速汶马段,因临时交通管制,现关闭马尔康东站(K279+666)、梭磨站(K255+162)、尽头寨B站入口(K233+175),马尔康至马尽头寨双向主线,解除时间待定。请过往车辆耐心等待或提前绕行。

08时53分,G76厦蓉高速纳黔段(贵州至泸州方向)K1782附近,发生1辆两轴货车自燃事故,占用应急车道,受事故影响,赤水河站、麻城站、震东站入口往泸州方向关闭。请过往车辆耐心等待或提前绕行。

08时48分,G4216蓉丽高速仁沐新段,接高速交警通知:现解除罗城、玉屏、孝姑收费站入口管制,所有车辆恢复正常通行。

08:37时,剑南大道:府城大道下穿出城方向有一故障车,导致该路段车辆通行缓慢,请途经此处的驾驶员注意避让。

08:34时,蜀都大道:苏坡立交铁路跨线出城方向有一故障车,导致该路段车辆通行缓慢,请途经此处的驾驶员注意避让。

08:20时,三环路:琉璃立交至娇子立交外侧交通事故已撤除,交通逐步恢复。

08:19时,绕城高速:犀浦立交至永宁立交外侧主道交通事故已撤除,交通逐步恢复。

08:05时,绕城高速:江家立交至天府立交内侧主道交通事故已撤除,交通逐步恢复。

07时42分,G4215蓉遵高速内自段成都至赤水方向,114公里+500米至117公里处(马鞍山隧道内)施工,占主车道,预计18时30分施工结束。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

07时40分,G4215蓉遵高速内自段赤水至成都方向,154公里+500米至152公里+500米处施工,占超车道,预计18时00分施工结束。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

07时34分,G93成渝环线泸渝段重庆至泸州方向,还有一公里到蓝田收费站处发生两小车追尾事故,占应急车道。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

07时37分,G4202成都绕城高速西段路况信息:外环北新立交、成灌立交、永宁立交,K58路段、成新蒲立交、双流立交车流量大;内环成新蒲立交、K58—K61路段车多缓行。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

07时33分,G85银昆高速內宜宜宾段(内江至水富方向),K1470+500M至K1473+500M处(王家岩至金秋湖停车区之间)施工,占用应急车道。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

07时33分,G4215蓉遵高速内自段赤水至成都方向,119公里+400米处边坡喷锚,占主、应急车道,预计19时00分施工结束。请过往车辆谨慎驾驶,注意安全。

实时路况信息请关注导航地图,注意收听成都交通广播FM91.4。 @四川高速 @成都交警

汽车功率半导体市场研究报告

1. 为什么要关注汽车功率半导体?
1.1 从传统燃油车到智能电动车,核心零部件出现巨大变化

电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”(发动机、变速箱和底盘),功率半导体成重要增量。

1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心

功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等,同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域,涵盖低、中、高各个功率层级。

2. 当前关注的重点细分赛道是?
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道

IGBT是功率半导体器件的一种:用于交流电和直流电的转换、变频,相当于电力电子领域的“CPU”,也是新能源应用的心脏, 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。

IGBT属于双极型、硅基功率半导体,具有耐高压特性。融合了BJT(Bipolar junction transistor,双极型三极管)和MOSFET 的性能优势,结构为MOSFET+一个BJT,高耐压为其优势,自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT,目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域,属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。

2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道

IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节,其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件,制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发,封装环节对产品可靠性要求高,应用环节客户验证周期长,综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。

2.2.1 芯片设计:

已迭代7代,核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下,对可靠性要求较高,同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 (控制热量)三者处于均衡状态,芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂,因而对于新进入者而言研发门槛较高(看重研发 团队的设计经验)。

应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端,目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件, 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期,且并非所有应用场景都追求极致性能,因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。

2.2.2 晶圆制造:

IGBT制造的三大难点:背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大,但背面工艺要 求严苛(为了实现大功率化)。具体来说,背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上,将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺(如Taiko、Temporary Bonding 技术)进行减薄处理, 然后对减薄硅片进行背面离子注入,在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。

特定耐压指标的IGBT器件,芯片厚度需要减薄到100-200μm, 对于要求较高的器件,甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级,后续的加工处理非常困难,硅片极易破碎 和翘曲。

从8寸到12寸有两个关键门槛:芯片厚度从120微米降低到80微米,翘曲现象更严重;背面高能离子注入(氢离子注入),容易导致裂片,对设备和 工艺要求更高。

2.2.3 模块封装:

IGBT模块重视散热及可靠性,封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性,对模块 封装提出了更高要求。此外,不同下游应用对封装技术要求存在差异,其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件,其封装要求高于工业级和消费级。

设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度:

设计升级方面主要是:1)采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2)采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面,低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比,导热性、耐热性更好,可靠性更高。

材料升级方面主要是:1)通过使用新的焊材,例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银,来提升散热性能;2)通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能;3)通过使用球形键合来提升散热性能。

3. 未来产业发展新趋势是?
3.1 SiC具有性能优

降低损耗、小型化、耐高温高压。

3.2 应用场景:导电型SiC主要应用于中高压功率器件。

目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景,特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。

3.3 行业痛点:价格远高于Si基器件,目前仍处于普及初期

尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化,但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件,成本降低驱动逐步渗透:SiC 二极管:应用相对容易,和 Si 基产品价格差在3~5倍(650V价格差距小于1200V产品)。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用,在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET :应用相对较难(如过快的开关带来高 dv/dt 问题),和 Si基产品价格差在6~8倍(1200V产品价格差 小于650V产品),在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。

3.4 空间:18年SiC器件需求约4亿$,预计10年35倍扩张。

根据Omdia数据,2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元,对应9年CAGR为43%。驱动力包括:

需求端:1)特斯拉引领下,新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET,拉动庞大需求(我们预计是最大也是最重要的市场), 2)电力设备等领域的带动。

供给端:1)产品技术升级,SiC衬底尺寸从4寸转向6寸,再向8寸升级;2)产能扩张后产生规模效应。

3.5 电动车:SiC优点在于可降低综合成本

直接成本增加:在逆变器中用SiC MOS替换IGBT,会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低:1)SiC 可使控制器效率提升 2%~8,进而降低电池成本。根据CASA,电动车每百公里电耗减少1kWh,电池 成本节约1500元(反之,同样的电池成本续航能力更强)。2)由于高频特性,配套的变压器、电感等磁性元件成本降低(电 感成本与频率成反比)。3)逆变器体积减小,降低其他材料成本。4)低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车,更容易率先引入SiC MOSFET。

3.6 产业链条:关键为衬底+外延,约占器件成本的70%

制备需多道工艺,其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为:将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体,通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底,后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延,最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。

衬底制备难度最高,叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃,高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高,非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷,同时其制备过程缓慢(主流气相法需要3-4天),进而导致衬底的制备困难且高成 本,衬底(47%)和外延(23%)占器件总价值的70%。

3.7 产业格局:西方垄断衬底市场,Cree处于领先地位

Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业,目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作,而国内厂商则以4英寸生产为主,6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本,大直径晶片始终为市场发展方向。

报告节选:… https://t.cn/R9600FI


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