SK海力士开用EUV设备量产1anm DRAM：效率直提25%
SK海力士宣布，本月开始量产基于1anm的8G LPDDR4移动DRAM，这是第四代10纳米（1a）制程技术。由于半导体行业对10纳米DRAM产品进行分类，以字母命名，因此1a技术是继1x、1y和1z之后的第四代。SK海力士计划从2021年下半年开始向智能手机制造商提供最新的移动DRAM产品，这是SK海力士在部分测试并证明尖端光刻技术的稳定性后，首次采用EUV设备进行量产。
SK海力士期待新技术能带来生产力的提升，并进一步提升成本竞争力。该公司预计，与之前的1z nm节点相比，1anm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%。SK海力士预计，随着全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助于缓解全球市场的供需状况。

新产品可以在4266Mbps下稳定运行，是标准LPDDR4移动DRAM规范中最快的传输速率，不仅如此，新产品还能降低20%的功耗。

SK海力士计划明年初开始将其1anm技术应用在他们的DDR5产品上。

#数码[超话]#海力士宣布推出 1anm 工艺，可制造低功耗 LPDDR4-4266 内存

据了解，韩国芯片制造商 SK 海力士今日宣布，已经利用 EVU 极紫外光光刻机，研发出 1anm 芯片制造工艺。这项技术相比 2019 年推出的 1znm 工艺，密度更大，制成的芯片功耗更低。官方表示，该技术可以在相同的晶圆面积下，获得多达 25% 的芯片产量提升。

Ketch认为，海力士 1anm 技术可以使得目前智能手机广泛使用的 LPDDR4 内存芯片达到 4266Mbps 的高速度，与更先进的 LPDDR4X 芯片频率一致。不仅如此，采用新工艺的内存芯片功耗可以降低多达 20%。同时，搭载海力士最新 1anm 工艺内存芯片的智能手机，预计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺应用于 LPDDR5 内存的生产上。

#数码##科技#

SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米（10anm）级DRAM，这也是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。

量产的芯片规格为LPDDR4 4266Mbps，相较前一代产品功耗降低20%。海力士还计划从明年初开始将1anm工艺导入DDR5的产品。

这个时候发新的LPDDR4，给中低端机和部分轻薄本用？