自2018年首演以来，改编自金宇澄茅盾学奖同名的舞台剧《繁花》第一季迄今已经演出40余场，不仅票场场爆满，还获得了华语戏剧盛典最佳创新剧目、壹戏剧大赏年度大戏等诸多业内奖项。8月18日-29日，《繁花》第一季将在美琪大戏院连演11场，这也是此剧的封箱演出。据悉，在第一季谢幕之际，《繁花》第二季已经完成了剧本创作，并将于今年底正式上演。《繁花》剧照第一季首演至今成演出现象，8月最后归来舞台剧《繁花》延续了原著本中沪语与古典白话的美学特征，用上世纪六七十年代和九十年代相互交替的方式，通过沪生、小毛、阿宝、李李、姝华、汪小姐、银凤等人童年及成年的生命切面，在强烈的时代场景对比中，呈现出社会转型期间的个人命运。导演马俊丰曾这样描述自己对这部戏的创作期待：“我希望这个戏能让上海这座城市在舞台上生动一次，让上海人在戏剧舞台上生动一次，也让上海话在戏剧舞台上生动一次，最后希望中国的舞台因为有了《繁花》这部戏能够生动一次。”作为一部纯沪语舞台剧，《繁花》第一季问世四年来，不仅在上海连演了多轮，在北京等北方城市也引发了极大的反响。迄今，不仅每场演出都一票难求，而且引发了对沪语舞台剧和上海化的讨论。在上海演出时候，曾经有一家老少三代人一起看戏，年轻孙辈陪着坐轮椅的老人一起走进剧场。而在北京，虽然需要通过字幕看完全剧，但毫不影响北京观众对这台剧的兴趣和热情。甚至有观众在北京看完后意犹未尽，打飞的来到上海再刷此剧。《繁花》由此被认为创造了一种类型剧，也成为了一种演出现象，实现了导演心中的这种“生动”。《繁花》剧照马俊丰对北京观众的热烈反响颇有感触，在此之前，很多北京戏剧观众对上海本土的创作印象更多停留在大量翻译剧，亦或者纯上海话的滑稽戏，《繁花》则让他们看到了另一种更独特更纯粹的上海化呈现，有观众对剧组表示：“看沪语演出的《繁花》，第一次在三个多小时里听这么多上海话台词，像感受一个外国戏，但没想到上海话在舞台上如此动听。”《繁花》对观众的吸引不仅在于沪语演话剧，更在于它的“繁花美学”。旋转的舞台，是《繁花》中一千五百多次“不响”的暗喻，也流转出1960-70年代和1990年代的世事变迁，木头电线杆、理发店、搪瓷缸、弄堂口的小板凳和蒲扇，种种细节，都唤起一种上海的怀旧感和集体记忆。而舞台深处的多媒体大屏上，下半场“前情提要”的出现让人印象深刻，多媒体设计雷磊为《繁花》做了17幕动画，这些影像大都来自档案，并且保留了那种老旧二极管的频闪画面质感。马俊丰说，“其实我们这个戏并不是单纯的怀旧，而是在舞台上寻找一个上海的质感。”在这个剧组里，包括马俊丰在内的主创大多并非土生土长上海人，但他们都在上海生活多年，对这座城市颇为熟悉，有着自己的体验，最后呈现的《繁花》，正是这种带着移民眼光和当代视角的上海怀旧感。而最近，马俊丰在自己新创作的《前哨》里也延续了这种美学，他说：“《前哨》美学就是《繁花》美学的蔓延。”每次复排都不是简单重复，封箱演出将有“彩蛋”演出4年，《繁花》的自有美学在不断完善，而剧组的每一个演员也都愈发认同这种美学。为了更真实地呈现上海人的质感，也为了更好地用沪语表演，剧组的演员大都选了上海籍，他们跟随这部作品各地巡演，也对这部剧产生了极为特殊的情感。《繁花》剧照在剧中扮演“小毛娘“的张芝华和扮演徐总的郑星是剧组的”老戏骨“，更是相识45年的好友。全程沪语演出的《繁花》，也是两位上海老演员生平第一次。作为50后，他们对《繁花》的感情与其他演员也略有不同。于他们而言，在《繁花》的舞台上，他们穿着的是曾穿过的衣服，说着的是曾经说过的话，抑或是感动着曾经的感动，年轻演员在努力寻找与时代连接的依据之时，他们只是看着曾经的自己，演着曾经的父母辈们。饰演沪生的邵汶、饰演小毛的杜光祎、饰演姝华的王雯那、饰演银凤的王家珧、饰演汪小姐的王怡、饰演苏安的戴晔、一人分饰多角的何政廷与石磊等都已对各自角色烂熟于心，而角色难度颇大的李李扮演者张楷依也被导演赞为“最佳李李”。这一轮扮演“阿宝”的孙之鸿也是地道上海人，“我从小住在北京西路，美琪这个两字经常出现在我的生活里。之后舞校毕业公演也在美琪，中戏毕业多年后的第一个话剧也在美琪，不得不承认，有时缘分安排就是这样妙不可言。其实每个人都有故乡的情怀，而作为演员能够参演一部代表自己城市自己生活的年代话剧，这本身也是一种情结。”“我们每一次复排都不是简单的复排，而是把演员聚在一起，逼着大家不断改。“马俊丰说，”这个改不是把戏改了，而是让大家有新的碰撞，演员们的情绪和状态都有了变化。戏是当下的，四年前的东西和现在肯定不一样，味道不一样，时代也变了，演员们的心境和境遇也会不同。我们就是在一起揣摩这个东西，所以每一次《繁花》的演出，都会有细微的差别。”而这一次封箱演出，是《繁花》第一季最后一次集中演出。为了让这一次有别于之前所有演出版本，也展现创作团队的诚意，“封箱”版将增添“彩蛋”，会有过去版本不曾看到的戏。而因为第二季上映在即，这一次演出除了“前情提要”，还有了“下集预告”，以此呼应“第1季”“第2季”的“美剧感”。《繁花》剧照《繁花》第二季剧本依旧温方伊担纲，会有新人物新故事早在项目之初，《繁花》就计划要做成一部“舞台连续剧”，因为原著35万字的庞大体量，以及纷繁的故事和上百号人物，实在不是几小时的舞台剧可以完全容纳。而记者获悉，在第一季封箱之时，《繁花》的第二季也即将开排。第二季的主创阵容基本延续了第一季的人马。依旧由温方伊编剧，马俊丰执导。目前，第二季的演员已经基本招募完成，在风格上，“美学基底会一样、演剧面貌会一样，对具体的呈现肯定会不一样”。马俊丰说，第一季的故事更像是个“圆”，所有人都在命运挣扎，最后似乎都回到了起点。而第二季中，所有的人物命运都给人一种“天地悠悠过客匆匆”的过眼烟云感。而和第一季结尾曲《新鸳鸯蝴蝶梦》一样，他看完剧本，很快就找到了一首大家都耳熟能详的主题曲。《繁花》剧照制作出品方上海广演艺集团与上海五盟化表示，《繁花》第二季之后，还有计划制作第三季，未来，他们一个小小的“野心”是，把1-3季的《繁花》一起呈现，同时上演。
#温州头条# “有人溺水了，快救人！”7月14日中午12时50分许，洞头观音礁沙滩突然传出求救声。正在现场进行医疗卫生政策相关主题实践调研的温医大检生学子和当地群众，随即展开了一场生命急救接力，有的胸外心脏按压，有的清理口腔异物，有的按摩四肢，有的视频连线老师参与急救，有的打伞为患者遮阳……经过10多分钟心肺复苏急救，把这名溺水的湖北籍少年马同学从死亡线上拉了回来。目前，马同学在乐清市人民医院急诊室留院观察，情况稳定。https://t.cn/A6fWl87w
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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