研考隔离考场的考生收到录取通知书了
7月27日，27岁的刘殿林拿到了期盼已久的大连外国语大学思想政治教育专业研究生录取通知书。
这份通知书来得殊为不易：去年，包括他在内，304名考生在大连市金普新区的隔离考点参加了考试。
2020年12月21日，距离2021年全国硕士研究生招生考试仅剩5天，刘殿林家所在的金普新区就封闭了。而他原定的考点在大连市甘井子区。
刘殿林“整个人懵了”，担心受新冠肺炎疫情影响不能参加考试。尽管第二天得到通知，他可以走特殊通道去甘井子区考试，但他担心跨区会增加疫情风险，也会给别人带来麻烦。最终确定的方案是不用跨区，刘殿林可以在金普新区高级中学参考，并在考试前一天乘坐专用大巴车到一家国际酒店入住。
据中青报·中青网记者了解，2021年研考期间，全国设立了2万余个备用隔离考场，最终5000余名考生在备用隔离考场中参加了考试，各地还为受疫情管控影响的1万余名考生提供了更加人性化的考试服务。
新冠肺炎疫情出现后，2021年全国硕士研究生招生考试是“国家教育考试第一次和新冠肺炎疫情的‘正面遭遇’。”2021年全国硕士研究生招生考试在大连市高中等学校招生考试委员会办公室招生工作部部长王纪说。
面临着疫情防控和考试安全的双重挑战，“和往年不一样，我们和狡猾的病毒打了一场正面遭遇战，注定会非常艰苦。”王纪回忆，考研关乎考生切身利益和前途，绝对不能因疫情而耽搁，要确保实现“应考尽考”。
直面这场与病毒的正面遭遇战的，除了广大考生，还有广大的研招工作人员。以大连为例，大连市报考人数34848人，全市共设立考区7个，考点54个，考场1501个。
让王纪印象深刻的是五个全国首次出现：首次出现无症状感染者负压病房考试、首次出现密切接触者转运考试、首次出现控制区域内考生群体迁移考试、首次出现考前两天大规模调整考务安排、首次出现密切接触者监考员集中隔离并成立临时党支部。
“在考前反复推研，每一种类型都提前设计好一套工作流程。力争绝不让任何一个考生掉队。”王纪表示。
刘殿林回忆，考场安排有条不紊，秩序井然，尽管监考老师穿着防护服走路都挺费劲，但还努力安慰考生要以平常心应考。
要面对疫情大考的不仅仅是大连。
2020年12月初四川省成都市郫都区突发新冠肺炎疫情，四川省立即启动应急机制，进入战时状态，制定《2021年研招考试疫情防控考务及有关工作应急预案》，从考生流动原则、考生进入考点管理、新冠病毒核酸检测阴性报告单(证明)要求、对不适合参加考试考生的解释、谢绝家人或亲朋陪同参考、考点学校应给予的服务、增加卫健疾控专业人员、舆情监控等13个方面做出了详细的要求，为考试的顺利进行起到了至关重要的指导性作用。
新疆吐鲁番市高昌区针对疫情防控形势，紧急新增吐鲁番市高昌区研考点，最终，确认200余名高昌区考生就地参加考试。
当地按照每个考场20人标准精细编排考场，协调紧急加印考生统考科目试卷，细致分拣自命题科目试卷，选派专人押运试卷运抵高昌区并加强考务组织蹲点指导。这200余名考生考前集中管理、统一食宿，考中点对点送考，全程封闭管理，考后逐人送回。
每一个人的“考场”，是一群人的“战场”。在考试顺利进行的背后，是教育部门加强精准防控，确保广大考生和考试工作人员生命安全的默默付出。
在国家各类教育考试中，研考的考务管理较为复杂：考生一般考四科，前两科是国家公共课，后两科多是高校自命题。“考前，招办工作人员按照考生考场座位表，把考生试卷按照考号精确排好顺序，并至少核查三遍。在12月20日之前，各区招办几乎已把高校自命题试卷按照考场和考点分好了。”王纪说。
可是，疫情的变化将所有安排几乎全部打乱。这就需要在已经分好的考点考场里面，把这学生的所有的试卷一本一本地抽出来，给他们按考场编号重新给他们再安排试卷——每个考生考卷内容不一样，如果抽错了一张试卷，那就影响的是两个考生。
大连市、区招生办全体工作人员争分多秒，和时间赛跑，直到考前一天的凌晨，将1400余名考生的1119本国家公共课试卷和2073张高校自命题试卷重新进行抽取、清点、分拨、核对，无一差错。
“这个特殊时期的最为特殊的一名考生”的通知书则来得更为不易。
2020年12月26日，2021年全国硕士研究生招生考试的第一天，大连市第六人民医院内出现了一间特殊的考场备受社会关注，一名正在接受隔离治疗的无症状感染者在专门的负压病房里完成了研考首日的答卷。这也是全国首个新冠肺炎感染者参加的考试。
尽管曾经遭遇过一些曲折，但这名考生凭借自己的努力和坚持，还是如愿以偿地拿到了录取通知书。“是这名考生个人成就了自己，更是整个社会成就了像这名考生一样的奋斗者。”辽宁省高中等教育招生考试委员会办公室高中等教育招生考试部副部长阎迪说。(中青报·中青网记者 王晨)
7月27日，27岁的刘殿林拿到了期盼已久的大连外国语大学思想政治教育专业研究生录取通知书。
这份通知书来得殊为不易：去年，包括他在内，304名考生在大连市金普新区的隔离考点参加了考试。
2020年12月21日，距离2021年全国硕士研究生招生考试仅剩5天，刘殿林家所在的金普新区就封闭了。而他原定的考点在大连市甘井子区。
刘殿林“整个人懵了”，担心受新冠肺炎疫情影响不能参加考试。尽管第二天得到通知，他可以走特殊通道去甘井子区考试，但他担心跨区会增加疫情风险，也会给别人带来麻烦。最终确定的方案是不用跨区，刘殿林可以在金普新区高级中学参考，并在考试前一天乘坐专用大巴车到一家国际酒店入住。
据中青报·中青网记者了解，2021年研考期间，全国设立了2万余个备用隔离考场，最终5000余名考生在备用隔离考场中参加了考试，各地还为受疫情管控影响的1万余名考生提供了更加人性化的考试服务。
新冠肺炎疫情出现后，2021年全国硕士研究生招生考试是“国家教育考试第一次和新冠肺炎疫情的‘正面遭遇’。”2021年全国硕士研究生招生考试在大连市高中等学校招生考试委员会办公室招生工作部部长王纪说。
面临着疫情防控和考试安全的双重挑战，“和往年不一样，我们和狡猾的病毒打了一场正面遭遇战，注定会非常艰苦。”王纪回忆，考研关乎考生切身利益和前途，绝对不能因疫情而耽搁，要确保实现“应考尽考”。
直面这场与病毒的正面遭遇战的，除了广大考生，还有广大的研招工作人员。以大连为例，大连市报考人数34848人，全市共设立考区7个，考点54个，考场1501个。
让王纪印象深刻的是五个全国首次出现：首次出现无症状感染者负压病房考试、首次出现密切接触者转运考试、首次出现控制区域内考生群体迁移考试、首次出现考前两天大规模调整考务安排、首次出现密切接触者监考员集中隔离并成立临时党支部。
“在考前反复推研，每一种类型都提前设计好一套工作流程。力争绝不让任何一个考生掉队。”王纪表示。
刘殿林回忆，考场安排有条不紊，秩序井然，尽管监考老师穿着防护服走路都挺费劲，但还努力安慰考生要以平常心应考。
要面对疫情大考的不仅仅是大连。
2020年12月初四川省成都市郫都区突发新冠肺炎疫情，四川省立即启动应急机制，进入战时状态，制定《2021年研招考试疫情防控考务及有关工作应急预案》，从考生流动原则、考生进入考点管理、新冠病毒核酸检测阴性报告单(证明)要求、对不适合参加考试考生的解释、谢绝家人或亲朋陪同参考、考点学校应给予的服务、增加卫健疾控专业人员、舆情监控等13个方面做出了详细的要求，为考试的顺利进行起到了至关重要的指导性作用。
新疆吐鲁番市高昌区针对疫情防控形势，紧急新增吐鲁番市高昌区研考点，最终，确认200余名高昌区考生就地参加考试。
当地按照每个考场20人标准精细编排考场，协调紧急加印考生统考科目试卷，细致分拣自命题科目试卷，选派专人押运试卷运抵高昌区并加强考务组织蹲点指导。这200余名考生考前集中管理、统一食宿，考中点对点送考，全程封闭管理，考后逐人送回。
每一个人的“考场”，是一群人的“战场”。在考试顺利进行的背后，是教育部门加强精准防控，确保广大考生和考试工作人员生命安全的默默付出。
在国家各类教育考试中，研考的考务管理较为复杂：考生一般考四科，前两科是国家公共课，后两科多是高校自命题。“考前，招办工作人员按照考生考场座位表，把考生试卷按照考号精确排好顺序，并至少核查三遍。在12月20日之前，各区招办几乎已把高校自命题试卷按照考场和考点分好了。”王纪说。
可是，疫情的变化将所有安排几乎全部打乱。这就需要在已经分好的考点考场里面，把这学生的所有的试卷一本一本地抽出来，给他们按考场编号重新给他们再安排试卷——每个考生考卷内容不一样，如果抽错了一张试卷，那就影响的是两个考生。
大连市、区招生办全体工作人员争分多秒，和时间赛跑，直到考前一天的凌晨，将1400余名考生的1119本国家公共课试卷和2073张高校自命题试卷重新进行抽取、清点、分拨、核对，无一差错。
“这个特殊时期的最为特殊的一名考生”的通知书则来得更为不易。
2020年12月26日，2021年全国硕士研究生招生考试的第一天，大连市第六人民医院内出现了一间特殊的考场备受社会关注，一名正在接受隔离治疗的无症状感染者在专门的负压病房里完成了研考首日的答卷。这也是全国首个新冠肺炎感染者参加的考试。
尽管曾经遭遇过一些曲折，但这名考生凭借自己的努力和坚持，还是如愿以偿地拿到了录取通知书。“是这名考生个人成就了自己，更是整个社会成就了像这名考生一样的奋斗者。”辽宁省高中等教育招生考试委员会办公室高中等教育招生考试部副部长阎迪说。(中青报·中青网记者 王晨)
研考隔离考场的考生收到录取通知书了
7月27日，27岁的刘殿林拿到了期盼已久的大连外国语大学思想政治教育专业研究生录取通知书。
这份通知书来得殊为不易：去年，包括他在内，304名考生在大连市金普新区的隔离考点参加了考试。
2020年12月21日，距离2021年全国硕士研究生招生考试仅剩5天，刘殿林家所在的金普新区就封闭了。而他原定的考点在大连市甘井子区。
刘殿林“整个人懵了”，担心受新冠肺炎疫情影响不能参加考试。尽管第二天得到通知，他可以走特殊通道去甘井子区考试，但他担心跨区会增加疫情风险，也会给别人带来麻烦。最终确定的方案是不用跨区，刘殿林可以在金普新区高级中学参考，并在考试前一天乘坐专用大巴车到一家国际酒店入住。
据中青报·中青网记者了解，2021年研考期间，全国设立了2万余个备用隔离考场，最终5000余名考生在备用隔离考场中参加了考试，各地还为受疫情管控影响的1万余名考生提供了更加人性化的考试服务。
新冠肺炎疫情出现后，2021年全国硕士研究生招生考试是“国家教育考试第一次和新冠肺炎疫情的‘正面遭遇’。”2021年全国硕士研究生招生考试在大连市高中等学校招生考试委员会办公室招生工作部部长王纪说。
面临着疫情防控和考试安全的双重挑战，“和往年不一样，我们和狡猾的病毒打了一场正面遭遇战，注定会非常艰苦。”王纪回忆，考研关乎考生切身利益和前途，绝对不能因疫情而耽搁，要确保实现“应考尽考”。
直面这场与病毒的正面遭遇战的，除了广大考生，还有广大的研招工作人员。以大连为例，大连市报考人数34848人，全市共设立考区7个，考点54个，考场1501个。
让王纪印象深刻的是五个全国首次出现：首次出现无症状感染者负压病房考试、首次出现密切接触者转运考试、首次出现控制区域内考生群体迁移考试、首次出现考前两天大规模调整考务安排、首次出现密切接触者监考员集中隔离并成立临时党支部。
“在考前反复推研，每一种类型都提前设计好一套工作流程。力争绝不让任何一个考生掉队。”王纪表示。
刘殿林回忆，考场安排有条不紊，秩序井然，尽管监考老师穿着防护服走路都挺费劲，但还努力安慰考生要以平常心应考。
要面对疫情大考的不仅仅是大连。
2020年12月初四川省成都市郫都区突发新冠肺炎疫情，四川省立即启动应急机制，进入战时状态，制定《2021年研招考试疫情防控考务及有关工作应急预案》，从考生流动原则、考生进入考点管理、新冠病毒核酸检测阴性报告单(证明)要求、对不适合参加考试考生的解释、谢绝家人或亲朋陪同参考、考点学校应给予的服务、增加卫健疾控专业人员、舆情监控等13个方面做出了详细的要求，为考试的顺利进行起到了至关重要的指导性作用。
新疆吐鲁番市高昌区针对疫情防控形势，紧急新增吐鲁番市高昌区研考点，最终，确认200余名高昌区考生就地参加考试。
当地按照每个考场20人标准精细编排考场，协调紧急加印考生统考科目试卷，细致分拣自命题科目试卷，选派专人押运试卷运抵高昌区并加强考务组织蹲点指导。这200余名考生考前集中管理、统一食宿，考中点对点送考，全程封闭管理，考后逐人送回。
每一个人的“考场”，是一群人的“战场”。在考试顺利进行的背后，是教育部门加强精准防控，确保广大考生和考试工作人员生命安全的默默付出。
在国家各类教育考试中，研考的考务管理较为复杂：考生一般考四科，前两科是国家公共课，后两科多是高校自命题。“考前，招办工作人员按照考生考场座位表，把考生试卷按照考号精确排好顺序，并至少核查三遍。在12月20日之前，各区招办几乎已把高校自命题试卷按照考场和考点分好了。”王纪说。
可是，疫情的变化将所有安排几乎全部打乱。这就需要在已经分好的考点考场里面，把这学生的所有的试卷一本一本地抽出来，给他们按考场编号重新给他们再安排试卷——每个考生考卷内容不一样，如果抽错了一张试卷，那就影响的是两个考生。
大连市、区招生办全体工作人员争分多秒，和时间赛跑，直到考前一天的凌晨，将1400余名考生的1119本国家公共课试卷和2073张高校自命题试卷重新进行抽取、清点、分拨、核对，无一差错。
“这个特殊时期的最为特殊的一名考生”的通知书则来得更为不易。
2020年12月26日，2021年全国硕士研究生招生考试的第一天，大连市第六人民医院内出现了一间特殊的考场备受社会关注，一名正在接受隔离治疗的无症状感染者在专门的负压病房里完成了研考首日的答卷。这也是全国首个新冠肺炎感染者参加的考试。
尽管曾经遭遇过一些曲折，但这名考生凭借自己的努力和坚持，还是如愿以偿地拿到了录取通知书。“是这名考生个人成就了自己，更是整个社会成就了像这名考生一样的奋斗者。”辽宁省高中等教育招生考试委员会办公室高中等教育招生考试部副部长阎迪说。(中青报·中青网记者 王晨)
7月27日，27岁的刘殿林拿到了期盼已久的大连外国语大学思想政治教育专业研究生录取通知书。
这份通知书来得殊为不易：去年，包括他在内，304名考生在大连市金普新区的隔离考点参加了考试。
2020年12月21日，距离2021年全国硕士研究生招生考试仅剩5天，刘殿林家所在的金普新区就封闭了。而他原定的考点在大连市甘井子区。
刘殿林“整个人懵了”，担心受新冠肺炎疫情影响不能参加考试。尽管第二天得到通知，他可以走特殊通道去甘井子区考试，但他担心跨区会增加疫情风险，也会给别人带来麻烦。最终确定的方案是不用跨区，刘殿林可以在金普新区高级中学参考，并在考试前一天乘坐专用大巴车到一家国际酒店入住。
据中青报·中青网记者了解，2021年研考期间，全国设立了2万余个备用隔离考场，最终5000余名考生在备用隔离考场中参加了考试，各地还为受疫情管控影响的1万余名考生提供了更加人性化的考试服务。
新冠肺炎疫情出现后，2021年全国硕士研究生招生考试是“国家教育考试第一次和新冠肺炎疫情的‘正面遭遇’。”2021年全国硕士研究生招生考试在大连市高中等学校招生考试委员会办公室招生工作部部长王纪说。
面临着疫情防控和考试安全的双重挑战，“和往年不一样，我们和狡猾的病毒打了一场正面遭遇战，注定会非常艰苦。”王纪回忆，考研关乎考生切身利益和前途，绝对不能因疫情而耽搁，要确保实现“应考尽考”。
直面这场与病毒的正面遭遇战的，除了广大考生，还有广大的研招工作人员。以大连为例，大连市报考人数34848人，全市共设立考区7个，考点54个，考场1501个。
让王纪印象深刻的是五个全国首次出现：首次出现无症状感染者负压病房考试、首次出现密切接触者转运考试、首次出现控制区域内考生群体迁移考试、首次出现考前两天大规模调整考务安排、首次出现密切接触者监考员集中隔离并成立临时党支部。
“在考前反复推研，每一种类型都提前设计好一套工作流程。力争绝不让任何一个考生掉队。”王纪表示。
刘殿林回忆，考场安排有条不紊，秩序井然，尽管监考老师穿着防护服走路都挺费劲，但还努力安慰考生要以平常心应考。
要面对疫情大考的不仅仅是大连。
2020年12月初四川省成都市郫都区突发新冠肺炎疫情，四川省立即启动应急机制，进入战时状态，制定《2021年研招考试疫情防控考务及有关工作应急预案》，从考生流动原则、考生进入考点管理、新冠病毒核酸检测阴性报告单(证明)要求、对不适合参加考试考生的解释、谢绝家人或亲朋陪同参考、考点学校应给予的服务、增加卫健疾控专业人员、舆情监控等13个方面做出了详细的要求，为考试的顺利进行起到了至关重要的指导性作用。
新疆吐鲁番市高昌区针对疫情防控形势，紧急新增吐鲁番市高昌区研考点，最终，确认200余名高昌区考生就地参加考试。
当地按照每个考场20人标准精细编排考场，协调紧急加印考生统考科目试卷，细致分拣自命题科目试卷，选派专人押运试卷运抵高昌区并加强考务组织蹲点指导。这200余名考生考前集中管理、统一食宿，考中点对点送考，全程封闭管理，考后逐人送回。
每一个人的“考场”，是一群人的“战场”。在考试顺利进行的背后，是教育部门加强精准防控，确保广大考生和考试工作人员生命安全的默默付出。
在国家各类教育考试中，研考的考务管理较为复杂：考生一般考四科，前两科是国家公共课，后两科多是高校自命题。“考前，招办工作人员按照考生考场座位表，把考生试卷按照考号精确排好顺序，并至少核查三遍。在12月20日之前，各区招办几乎已把高校自命题试卷按照考场和考点分好了。”王纪说。
可是，疫情的变化将所有安排几乎全部打乱。这就需要在已经分好的考点考场里面，把这学生的所有的试卷一本一本地抽出来，给他们按考场编号重新给他们再安排试卷——每个考生考卷内容不一样，如果抽错了一张试卷，那就影响的是两个考生。
大连市、区招生办全体工作人员争分多秒，和时间赛跑，直到考前一天的凌晨，将1400余名考生的1119本国家公共课试卷和2073张高校自命题试卷重新进行抽取、清点、分拨、核对，无一差错。
“这个特殊时期的最为特殊的一名考生”的通知书则来得更为不易。
2020年12月26日，2021年全国硕士研究生招生考试的第一天，大连市第六人民医院内出现了一间特殊的考场备受社会关注，一名正在接受隔离治疗的无症状感染者在专门的负压病房里完成了研考首日的答卷。这也是全国首个新冠肺炎感染者参加的考试。
尽管曾经遭遇过一些曲折，但这名考生凭借自己的努力和坚持，还是如愿以偿地拿到了录取通知书。“是这名考生个人成就了自己，更是整个社会成就了像这名考生一样的奋斗者。”辽宁省高中等教育招生考试委员会办公室高中等教育招生考试部副部长阎迪说。(中青报·中青网记者 王晨)
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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