【笔记20210809— 物极必反，周而复始（-美退出QE预期增加美债利率大上-地方债年前发完-PPI超预期-资金面紧张=小上)】
资金面紧张，长债利率大幅上行。
央行：为维护银行体系流动性合理充裕，开展了100亿元7天期逆回购操作，中标利率2.20%，同时今日有100亿元逆回购到期，实现零投放。
今日资金面明显收紧，其实在上周四、周五时，日间就已经出现收敛的情况，今天收紧的非常明显，还是出乎市场预料的。
周六公布的7月出口数据低于预期，印证了市场对下半年出口减弱、经济再度承压的预期。然而，上周五美国公布的7月非农就业数据强劲，创下近一年来最大增幅，失业率降至5.4%，引发了市场对美联储提前推出QE的担忧，十年美债利率大幅上行8.7bp至1.30%。受此影响，今天早盘长债利率小幅高开高走；随后公布了7月PPI高于预期，加之市场资金面明显收紧，触发长债利率继续上行；中午时分，21世纪经济报道缓引了中部省份某地市财政局人士消息，称“我们省厅通知，在预留12月发债额度后，剩余新增专项债额度需在9月发行完毕，棚改、收费公路项目要求在9月份发行。”另外还引用了南方某省财政厅人士表示：“我们第二批专项债预计在9月发行，第三批预计在年底发。今年年内肯定要发完，但不要求用完。”其实，在上周市场有一种说法是今年的地方债不一定要发完，可能会留到明年再发，但21世纪的消息打破了这种预期，看来后面的地方债供给压力并未解除。受此影响，加之资金面持续未见明显松动，市场更是传言资金被指导了，长债利率进一步向上移动。
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很多人对今天资金面的收紧及债市的大跌表示不解，其实美债、PPI、地方债、资金等等都是借口，十年国债从6月中旬一口气干了快40bp，就像个弹簧一样，都快压崩了，能不反弹嘛！
另外，在分析师的各种煽风点火下，把所剩不多的空间也都给提前压没了。上周末，固收分析师解读完ZZ局会议后，纷纷表示还要降准降息，十年国债直接拍到了2.5%；这周末，新能源分析师直接预测了2060年时宁德时代的美好远景。今天，债市崩了，新能源赛道也崩了。再好的逻辑，再好的行情，也需要休息下啊，一直干，猛干，最后必然要干崩！
涨多了跌，跌多了涨。
乐极生悲，否极泰来。
分久必合，合久必分。
物极必反，周而复始。
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【今日盘面】
210009 2.8200/2.8700/2.8200/2.8675+5.75
210205 3.2050/3.2575/3.2050/3.2550+5.25
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【重点关注】
一、宏观
1、中国7月（以美元计）出口同比增长19.3%，预期20.8%，前值32.2%；进口增28.1%，预期31.8%，前值36.7%；贸易顺差565.8亿美元，前值515.3亿美元。
中国7月（以人民币计）出口同比增长8.1%，预期9.6%，前值20.2%；进口增16.1%，预期21.9%，前值24.2%；贸易顺差3626.7亿元，前值3327.5亿元。（8.8）
2、中国7月居民消费价格（CPI）同比增长1%， 预期增长0.8%，前值增长1.1%。
中国7月工业生产者出厂价格（PPI）同比上涨9%，预估为8.8%，前值为8.8%。
3、上周五公布的7月非农就业数据强劲（94.3万），超出预期（87.0万）和前值（93.8万），失业率也降至低于预期的水平
二、政策
央行发布2021年第二季度中国货币政策执行报告：
总体来看，疫情发生以来我国坚持实施正常的货币政策，今年上半年货币政策力度已基本回到疫情前的常态，在全球宏观政策中保持领先态势。
下一阶段，中国人民银行将统筹做好今明两年宏观政策衔接，保持货币政策稳定性。既有力支持实体经济，又坚决不搞“大水漫灌”。
坚持正常的货币政策，搞好跨周期政策设计，增强宏观政策自主性，根据国内经济形势和物价走势把握好政策力度和节奏，处理好经济发展和防范风险的关系
CPI涨幅温和，PPI阶段性走高，总的看通胀压力可控，不存在长期通胀或通缩的基础。
三、市场
榆林煤价最高降幅130元/吨，保供政策显成效，港口库存回升。
布伦特原油期货失守68美元/桶整数关口，日内跌近4%。
四、观点
上周五公布的7月非农就业数据强劲，十年美债利率上行8bp至1.30%。
高盛：预计美国10年期国债收益率在2021年底前为1.6%，此前预期为1.9%。
瑞穗银行：强劲的美国就业报告似乎已经消除了美联储缩减购债的最后一道屏障，投资者已把对美联储可能宣布缩减购债的预期时间提前至最早8月底举行的杰克逊霍尔央行年会。
中金策略：经测算，发现大概还需要5个月达到类似2013年正式减量时就业修复至64%的门槛。
五、其它
人民日报旗下“踏浪青年”评阿里性侵门：不仅要把权力关进笼子里，更要把资本关进笼子里。不要妄想大而不倒，更不要妄想像韩国财阀一样操控一切，这里是中国。
资金面紧张，长债利率大幅上行。
央行：为维护银行体系流动性合理充裕，开展了100亿元7天期逆回购操作，中标利率2.20%，同时今日有100亿元逆回购到期，实现零投放。
今日资金面明显收紧，其实在上周四、周五时，日间就已经出现收敛的情况，今天收紧的非常明显，还是出乎市场预料的。
周六公布的7月出口数据低于预期，印证了市场对下半年出口减弱、经济再度承压的预期。然而，上周五美国公布的7月非农就业数据强劲，创下近一年来最大增幅，失业率降至5.4%，引发了市场对美联储提前推出QE的担忧，十年美债利率大幅上行8.7bp至1.30%。受此影响，今天早盘长债利率小幅高开高走；随后公布了7月PPI高于预期，加之市场资金面明显收紧，触发长债利率继续上行；中午时分，21世纪经济报道缓引了中部省份某地市财政局人士消息，称“我们省厅通知，在预留12月发债额度后，剩余新增专项债额度需在9月发行完毕，棚改、收费公路项目要求在9月份发行。”另外还引用了南方某省财政厅人士表示：“我们第二批专项债预计在9月发行，第三批预计在年底发。今年年内肯定要发完，但不要求用完。”其实，在上周市场有一种说法是今年的地方债不一定要发完，可能会留到明年再发，但21世纪的消息打破了这种预期，看来后面的地方债供给压力并未解除。受此影响，加之资金面持续未见明显松动，市场更是传言资金被指导了，长债利率进一步向上移动。
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很多人对今天资金面的收紧及债市的大跌表示不解，其实美债、PPI、地方债、资金等等都是借口，十年国债从6月中旬一口气干了快40bp，就像个弹簧一样，都快压崩了，能不反弹嘛！
另外，在分析师的各种煽风点火下，把所剩不多的空间也都给提前压没了。上周末，固收分析师解读完ZZ局会议后，纷纷表示还要降准降息，十年国债直接拍到了2.5%；这周末，新能源分析师直接预测了2060年时宁德时代的美好远景。今天，债市崩了，新能源赛道也崩了。再好的逻辑，再好的行情，也需要休息下啊，一直干，猛干，最后必然要干崩！
涨多了跌，跌多了涨。
乐极生悲，否极泰来。
分久必合，合久必分。
物极必反，周而复始。
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【今日盘面】
210009 2.8200/2.8700/2.8200/2.8675+5.75
210205 3.2050/3.2575/3.2050/3.2550+5.25
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【重点关注】
一、宏观
1、中国7月（以美元计）出口同比增长19.3%，预期20.8%，前值32.2%；进口增28.1%，预期31.8%，前值36.7%；贸易顺差565.8亿美元，前值515.3亿美元。
中国7月（以人民币计）出口同比增长8.1%，预期9.6%，前值20.2%；进口增16.1%，预期21.9%，前值24.2%；贸易顺差3626.7亿元，前值3327.5亿元。（8.8）
2、中国7月居民消费价格（CPI）同比增长1%， 预期增长0.8%，前值增长1.1%。
中国7月工业生产者出厂价格（PPI）同比上涨9%，预估为8.8%，前值为8.8%。
3、上周五公布的7月非农就业数据强劲（94.3万），超出预期（87.0万）和前值（93.8万），失业率也降至低于预期的水平
二、政策
央行发布2021年第二季度中国货币政策执行报告：
总体来看，疫情发生以来我国坚持实施正常的货币政策，今年上半年货币政策力度已基本回到疫情前的常态，在全球宏观政策中保持领先态势。
下一阶段，中国人民银行将统筹做好今明两年宏观政策衔接，保持货币政策稳定性。既有力支持实体经济，又坚决不搞“大水漫灌”。
坚持正常的货币政策，搞好跨周期政策设计，增强宏观政策自主性，根据国内经济形势和物价走势把握好政策力度和节奏，处理好经济发展和防范风险的关系
CPI涨幅温和，PPI阶段性走高，总的看通胀压力可控，不存在长期通胀或通缩的基础。
三、市场
榆林煤价最高降幅130元/吨，保供政策显成效，港口库存回升。
布伦特原油期货失守68美元/桶整数关口，日内跌近4%。
四、观点
上周五公布的7月非农就业数据强劲，十年美债利率上行8bp至1.30%。
高盛：预计美国10年期国债收益率在2021年底前为1.6%，此前预期为1.9%。
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汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
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