#长津湖# #易烊千玺在零下30度的片场睡着#【独家专访|林超贤揭秘长津湖幕后：“最煎熬”的一次拍摄经历】#长津湖[超话]# #长津湖已打破8项影史纪录#
@电影长津湖 终于上映了，巨额的投资+超级巨星的阵容+豪华的导演班底，让人无法不期待。
影片的质量如何？能否承担起救市的重任？本刊独家专访了@林超賢 导演，从评价与解答两个方面，希望让您对这部电影会有更多的了解。
[加油]“最煎熬”的一次拍摄经历
从《湄公河行动》《红海行动》到《紧急救援》，导演林超贤素来擅长将动作元素融于主旋律电影之中。此次作为导演之一加盟献礼片《长津湖》，林超贤负责的部分几乎都是“硬骨头”：大场面、多特效、远处轰炸、近身肉搏。尽管拍摄此类作品的经验丰富，但《长津湖》带给林超贤的考验空前巨大。
《长津湖》以抗美援朝中长津湖战役为背景，林超贤坦言刚接下这部戏时，自己对这段历史的理解还不够深，于是发动整个团队去搜集资料，将与抗美援朝战争中东线部分相关的纪录片、电影、电视剧全部看完，并请来专业的军事顾问，研究志愿军的作战方式、军令、军衔等细节。
他透露，这是其从业以来“最煎熬”的一次拍摄经历：两个半月完成筹备、78 天完成拍摄，天气冷到全身贴满 10 个暖包，更是为一个坦克的镜头守了一个月的日落，片场的种种惊心动魄犹如“战场”。
[加油]时间紧、任务重，从筹备到开拍仅两个半月
2020年末，正在忙着宣传电影《紧急救援》的林超贤接到《长津湖》项目，计划一个月后开机。“当时我非常担心，一直都不敢答应。”林超贤认为那几乎是一个不可能完成的任务，“其他两位导演已经开始（筹备）了很久，是2019年头开始（筹备）的。”
三位导演中，陈凯歌主要执导文戏部分，徐克拍摄的段落主要集中在影片的尾声，中间的不少动作和特效场面则由林超贤来负责，包括仁川港登陆、轰炸三八线、美军狼林山脉搜索志愿军、血战乱石滩、民宅遭遇战等重场戏。
“临危受命”的林超贤深知拍摄难度之大，第一反应便是要组建一支足够强大的团队。与其合作了20年有余的制片人梁凤英立刻召集最熟悉的班底，用半个月的时间敲定所有人员，这才让林超贤有了信心。
梁凤英向记者透露，此前她与林超贤合作的电影，完整的制作周期是12-18个月，筹备期要半年。而《长津湖》从她“吹起冲锋号”投入筹备到开拍仅花了两个半月，拍摄历时78天，此外共有1671个特效镜头需要在映前赶制，可谓是挑战时间极限。
第二大挑战在于空间。
《长津湖》中林超贤导演部分的取景地分散在河北西北部，剧组需要辗转各地。在严寒、大风的恶劣气候下，剧组各个部门的效率都会受到影响，军营帐篷的布景甚至一度被突如其来的沙尘暴吹烂。
“一天只能拍十几个镜头，以前我可以拍四五十个。”林超贤说，为了御寒，自己会在全身贴满10个暖包。
此外，尚未结束的新冠疫情也对剧组的运转造成了一定限制。从境外赶来的工作人员必须按规定隔离21天，主创团队最初只能靠视频通话来开会。林超贤透露，自己在最开始也是通过线上会议与陈凯歌、徐克两位导演进行沟通。
被问及如何让三位导演的个人风格得以统一，林超贤向记者解释道，三位导演拍摄的戏份相对独立，有着不一样的地理环境和情节氛围，既能发挥各自的特色，过渡起来又会自然合理。
[加油]追求真实感，坦克冲进民宅并非特效
林超贤拍动作片素来追求真实感。为此，他首先对《长津湖》总计13万字的剧本进行了调整和加工，进一步细化、设计动作场景，将文学性的描述落地为符合逻辑且可拍摄的镜头语言。
比如“志愿军入朝遭轰炸”这场重头戏，剧本上原本写的是：火车停在桥上，战士们发现敌机后下车躲避，许多人被炸到血肉横飞，场面十分惨烈。
林超贤用桌上的餐具示意，摆出火车、桥与敌机的相对位置，向记者指出这个设定的落实难度：“首先，火车停在桥上面，火车跟桥之间有多少空间？如果整列火车的人都下车，大家都挤在一起动不了，怎么跑？如果飞机真的已经来炸桥了，你能跑得掉吗？”
基于此般考虑，林超贤从实战的逻辑重新设置这个场景：火车停在路面的铁轨上，车上的战士们看到远处发生了炸桥，于是集体下车躲避。如此一来，留给志愿军们躲避的时间和空间是充分的，但在敌机轰炸下逃命的过程又充满紧张的氛围，让这场戏具有了非常大的能量。
此外，片中有一个坦克从山上冲进民宅的场面令人震撼，林超贤透露该镜头并非特效，而是实拍，为了拍摄到最佳效果，自己带着剧组“死磕”了一个月。
“我们要怎么把地形弄到可以让坦克俯冲，但是又不能失控，然后必须要让它在我们指定的路线去穿过那些房子？前期要做很多试验和测量。”林超贤说，“房子是用真材实料搭的，因为要让观众看着很有冲击力，所以我们加固了那些房子。但是加固了房子，就必须要加强坦克的钢板，然后坦克又太重，结果要改它的引擎。”
这场坦克戏发生在夜晚，但山上地势复杂、较难打光。而如果将其放在白天拍摄、靠后期调暗，画面又会显得不真实。林超贤最后想到的解决办法是，在每天太阳刚下山、尚有余光的那15分钟进行拍摄。
为了抓住时机，剧组会在每天下午日落前的4个小时开始准备，提前布置好所有机器、做好安全检查，等待光线到达合适的亮度便开拍。有时遇到天气突变，光线的明暗程度会受到影响，剧组必须随时待命，做好拍摄准备，“感觉就是像在打仗一样”。
[加油]新老演员表现亮眼，@吳京 “真的很厉害”
谈及演员的表现，林超贤的语气柔和了下来，直言与吴京、易烊千玺、李晨、朱亚文等一众演员的合作“很顺利”。
林超贤告诉记者，“老戏骨”吴京拍摄动作戏的经验丰富，拍《长津湖》期间他脚上的旧伤有复发的迹象，但丝毫没有影响到表演。吴京在片场还会帮助沟通不便的外国演员，教他们如何动手、如何拿捏力量。
令林超贤印象尤为深刻的是一场爆破戏，一名新人演员与吴京需要先后跳到两个指定位置趴下，然而新人演员意外地错占了吴京的位置。此时吴京迅速做出反应，“他在空中把自己一条腿抬高，落到地上后没有压到他身上，最后两个人都安全了。”林超贤称赞道，“他真的很厉害。”
相比之下，#易烊千玺[超话]# 则是“一张白纸”似的新人。林超贤对其亦颇为欣赏，“我很喜欢他，他拍戏是很踏实的态度，而且他比较‘简单’，所以才会准确。”#易烊千玺长津湖[超话]#
所谓的“简单”，是指该演员能够在某个情境下做出自然的反应。比如与战友结识时眼神中的关怀、目睹战友牺牲后的悲痛，@TFBOYS-易烊千玺 直接地表达情感，而不会有太多的预设或顾虑。
林超贤还透露，易烊千玺在片场虽然很少说话，但对于角色的理解十分精准，心中非常清楚伍万里是个怎样的人。@易烊千玺JacksonYee工作室
在故事的开始，伍万里是个顽劣的乡村少年，喜欢用石子“打水漂”。为了呼应这个爱好，林超贤特别在中美遭遇战中为伍万里设计了一场“投弹戏”。向敌军投弹成功，也标志着这个角色从一个调皮的男孩成长为了一名真正的战士。
伍万里第一次投手雷时，他成功地让手雷在敌方上空爆炸。此时，镜头给万里面部特写，他的神情有些“懵”，而这恰恰是林超贤觉得这个人物在当时该有的状态。“他的表情就是，自己做了什么都不知道的那种感觉，他的表演很准确。”
除了主演外，其他演员的表现也让林超贤感到惊喜。在他设计的“血战乱石滩”这场戏中，为了充分展现志愿军作战群像，林超贤将实拍与特效结合，用全新的方式做了一个特别的长镜头，让观众几乎找不到剪接痕迹。
看到这场戏初剪效果后，林超贤深受感动，“几个主要演员的动作是指定的，但前线还有很多其他队员，拿着枪准备拼了，你或许不认识他们，但那种坚定的眼神会让人感觉非常真实。”
从精神到体力，《长津湖》被林超贤称为“最煎熬”的一次拍摄经历。最终他与工作人员用强大的信念支撑了下来，而其中也不乏新鲜的体验：贴暖包、守日落、架铁轨……辛苦的同时也乐在其中，因为他坚信：做电影应当不断探索突破，而非重复自己。
“如果总炒一个菜的话，你的人生没有回味”。采访的最后，林超贤如是说。（来源：南都娱乐 ）#深圳老兵回忆长津湖战役# https://t.cn/A6MI4DLb
@电影长津湖 终于上映了，巨额的投资+超级巨星的阵容+豪华的导演班底，让人无法不期待。
影片的质量如何？能否承担起救市的重任？本刊独家专访了@林超賢 导演，从评价与解答两个方面，希望让您对这部电影会有更多的了解。
[加油]“最煎熬”的一次拍摄经历
从《湄公河行动》《红海行动》到《紧急救援》，导演林超贤素来擅长将动作元素融于主旋律电影之中。此次作为导演之一加盟献礼片《长津湖》，林超贤负责的部分几乎都是“硬骨头”：大场面、多特效、远处轰炸、近身肉搏。尽管拍摄此类作品的经验丰富，但《长津湖》带给林超贤的考验空前巨大。
《长津湖》以抗美援朝中长津湖战役为背景，林超贤坦言刚接下这部戏时，自己对这段历史的理解还不够深，于是发动整个团队去搜集资料，将与抗美援朝战争中东线部分相关的纪录片、电影、电视剧全部看完，并请来专业的军事顾问，研究志愿军的作战方式、军令、军衔等细节。
他透露，这是其从业以来“最煎熬”的一次拍摄经历：两个半月完成筹备、78 天完成拍摄，天气冷到全身贴满 10 个暖包，更是为一个坦克的镜头守了一个月的日落，片场的种种惊心动魄犹如“战场”。
[加油]时间紧、任务重，从筹备到开拍仅两个半月
2020年末，正在忙着宣传电影《紧急救援》的林超贤接到《长津湖》项目，计划一个月后开机。“当时我非常担心，一直都不敢答应。”林超贤认为那几乎是一个不可能完成的任务，“其他两位导演已经开始（筹备）了很久，是2019年头开始（筹备）的。”
三位导演中，陈凯歌主要执导文戏部分，徐克拍摄的段落主要集中在影片的尾声，中间的不少动作和特效场面则由林超贤来负责，包括仁川港登陆、轰炸三八线、美军狼林山脉搜索志愿军、血战乱石滩、民宅遭遇战等重场戏。
“临危受命”的林超贤深知拍摄难度之大，第一反应便是要组建一支足够强大的团队。与其合作了20年有余的制片人梁凤英立刻召集最熟悉的班底，用半个月的时间敲定所有人员，这才让林超贤有了信心。
梁凤英向记者透露，此前她与林超贤合作的电影，完整的制作周期是12-18个月，筹备期要半年。而《长津湖》从她“吹起冲锋号”投入筹备到开拍仅花了两个半月，拍摄历时78天，此外共有1671个特效镜头需要在映前赶制，可谓是挑战时间极限。
第二大挑战在于空间。
《长津湖》中林超贤导演部分的取景地分散在河北西北部，剧组需要辗转各地。在严寒、大风的恶劣气候下，剧组各个部门的效率都会受到影响，军营帐篷的布景甚至一度被突如其来的沙尘暴吹烂。
“一天只能拍十几个镜头，以前我可以拍四五十个。”林超贤说，为了御寒，自己会在全身贴满10个暖包。
此外，尚未结束的新冠疫情也对剧组的运转造成了一定限制。从境外赶来的工作人员必须按规定隔离21天，主创团队最初只能靠视频通话来开会。林超贤透露，自己在最开始也是通过线上会议与陈凯歌、徐克两位导演进行沟通。
被问及如何让三位导演的个人风格得以统一，林超贤向记者解释道，三位导演拍摄的戏份相对独立，有着不一样的地理环境和情节氛围，既能发挥各自的特色，过渡起来又会自然合理。
[加油]追求真实感，坦克冲进民宅并非特效
林超贤拍动作片素来追求真实感。为此，他首先对《长津湖》总计13万字的剧本进行了调整和加工，进一步细化、设计动作场景，将文学性的描述落地为符合逻辑且可拍摄的镜头语言。
比如“志愿军入朝遭轰炸”这场重头戏，剧本上原本写的是：火车停在桥上，战士们发现敌机后下车躲避，许多人被炸到血肉横飞，场面十分惨烈。
林超贤用桌上的餐具示意，摆出火车、桥与敌机的相对位置，向记者指出这个设定的落实难度：“首先，火车停在桥上面，火车跟桥之间有多少空间？如果整列火车的人都下车，大家都挤在一起动不了，怎么跑？如果飞机真的已经来炸桥了，你能跑得掉吗？”
基于此般考虑，林超贤从实战的逻辑重新设置这个场景：火车停在路面的铁轨上，车上的战士们看到远处发生了炸桥，于是集体下车躲避。如此一来，留给志愿军们躲避的时间和空间是充分的，但在敌机轰炸下逃命的过程又充满紧张的氛围，让这场戏具有了非常大的能量。
此外，片中有一个坦克从山上冲进民宅的场面令人震撼，林超贤透露该镜头并非特效，而是实拍，为了拍摄到最佳效果，自己带着剧组“死磕”了一个月。
“我们要怎么把地形弄到可以让坦克俯冲，但是又不能失控，然后必须要让它在我们指定的路线去穿过那些房子？前期要做很多试验和测量。”林超贤说，“房子是用真材实料搭的，因为要让观众看着很有冲击力，所以我们加固了那些房子。但是加固了房子，就必须要加强坦克的钢板，然后坦克又太重，结果要改它的引擎。”
这场坦克戏发生在夜晚，但山上地势复杂、较难打光。而如果将其放在白天拍摄、靠后期调暗，画面又会显得不真实。林超贤最后想到的解决办法是，在每天太阳刚下山、尚有余光的那15分钟进行拍摄。
为了抓住时机，剧组会在每天下午日落前的4个小时开始准备，提前布置好所有机器、做好安全检查，等待光线到达合适的亮度便开拍。有时遇到天气突变，光线的明暗程度会受到影响，剧组必须随时待命，做好拍摄准备，“感觉就是像在打仗一样”。
[加油]新老演员表现亮眼，@吳京 “真的很厉害”
谈及演员的表现，林超贤的语气柔和了下来，直言与吴京、易烊千玺、李晨、朱亚文等一众演员的合作“很顺利”。
林超贤告诉记者，“老戏骨”吴京拍摄动作戏的经验丰富，拍《长津湖》期间他脚上的旧伤有复发的迹象，但丝毫没有影响到表演。吴京在片场还会帮助沟通不便的外国演员，教他们如何动手、如何拿捏力量。
令林超贤印象尤为深刻的是一场爆破戏，一名新人演员与吴京需要先后跳到两个指定位置趴下，然而新人演员意外地错占了吴京的位置。此时吴京迅速做出反应，“他在空中把自己一条腿抬高，落到地上后没有压到他身上，最后两个人都安全了。”林超贤称赞道，“他真的很厉害。”
相比之下，#易烊千玺[超话]# 则是“一张白纸”似的新人。林超贤对其亦颇为欣赏，“我很喜欢他，他拍戏是很踏实的态度，而且他比较‘简单’，所以才会准确。”#易烊千玺长津湖[超话]#
所谓的“简单”，是指该演员能够在某个情境下做出自然的反应。比如与战友结识时眼神中的关怀、目睹战友牺牲后的悲痛，@TFBOYS-易烊千玺 直接地表达情感，而不会有太多的预设或顾虑。
林超贤还透露，易烊千玺在片场虽然很少说话，但对于角色的理解十分精准，心中非常清楚伍万里是个怎样的人。@易烊千玺JacksonYee工作室
在故事的开始，伍万里是个顽劣的乡村少年，喜欢用石子“打水漂”。为了呼应这个爱好，林超贤特别在中美遭遇战中为伍万里设计了一场“投弹戏”。向敌军投弹成功，也标志着这个角色从一个调皮的男孩成长为了一名真正的战士。
伍万里第一次投手雷时，他成功地让手雷在敌方上空爆炸。此时，镜头给万里面部特写，他的神情有些“懵”，而这恰恰是林超贤觉得这个人物在当时该有的状态。“他的表情就是，自己做了什么都不知道的那种感觉，他的表演很准确。”
除了主演外，其他演员的表现也让林超贤感到惊喜。在他设计的“血战乱石滩”这场戏中，为了充分展现志愿军作战群像，林超贤将实拍与特效结合，用全新的方式做了一个特别的长镜头，让观众几乎找不到剪接痕迹。
看到这场戏初剪效果后，林超贤深受感动，“几个主要演员的动作是指定的，但前线还有很多其他队员，拿着枪准备拼了，你或许不认识他们，但那种坚定的眼神会让人感觉非常真实。”
从精神到体力，《长津湖》被林超贤称为“最煎熬”的一次拍摄经历。最终他与工作人员用强大的信念支撑了下来，而其中也不乏新鲜的体验：贴暖包、守日落、架铁轨……辛苦的同时也乐在其中，因为他坚信：做电影应当不断探索突破，而非重复自己。
“如果总炒一个菜的话，你的人生没有回味”。采访的最后，林超贤如是说。（来源：南都娱乐 ）#深圳老兵回忆长津湖战役# https://t.cn/A6MI4DLb
#芯片# 【第三代半导体来了！芯片版图会改写吗？】作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
基础+集成：改变行业版图
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
【第三代半导体来了，芯片行业会“变天”吗？[思考]】5纳米、2纳米、1纳米……作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
https://t.cn/A6M7chv0
https://t.cn/A6M7chvN
https://t.cn/A6M7chvp
【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
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【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
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