#产品经理科普# 知吾煮不粘炒锅如何帮助大家做一桌好菜？
知吾煮不粘炒锅 米家定制的涂层选用了美国资深涂料品牌科慕Chemours Profils 6星 Teflon 不粘涂层，灵感来源于海洋霸主蓝鲨的皮肤特性：粗糙、耐磨、耐阻、疏水性强，这正是一个优秀的不粘涂层需要具备的。
微微粗糙的颗粒感来自高硬度SiC金刚砂颗粒，也叫碳化硅颗粒，包裹在PTFE中油当中，与高性能聚合物面油及陶瓷增强PTFE底油形成「三明治」涂层体系，牢牢扒住锅身，给与涂层盔甲式的保护，比普通的不粘涂层更加耐磨耐翻炒。
凹凸质感的纹理，更增加不粘性及疏水性，使用过后一冲即净，只用力下厨，不用费力清洗。
知吾煮不粘炒锅 米家定制的涂层选用了美国资深涂料品牌科慕Chemours Profils 6星 Teflon 不粘涂层，灵感来源于海洋霸主蓝鲨的皮肤特性：粗糙、耐磨、耐阻、疏水性强，这正是一个优秀的不粘涂层需要具备的。
微微粗糙的颗粒感来自高硬度SiC金刚砂颗粒，也叫碳化硅颗粒，包裹在PTFE中油当中，与高性能聚合物面油及陶瓷增强PTFE底油形成「三明治」涂层体系，牢牢扒住锅身，给与涂层盔甲式的保护，比普通的不粘涂层更加耐磨耐翻炒。
凹凸质感的纹理，更增加不粘性及疏水性，使用过后一冲即净，只用力下厨，不用费力清洗。
罗姆的碳化硅半导体以中国为中心需求增长
日本半导体企业罗姆10月28日发布的数据显示，预计2021财年（截至2022年3月）的合并净利润同比增长38％，达到510亿日元。比原有预期高出170亿日元，从原来的预计利润减少转为预计利润增加。汽车和个人电脑的半导体需求将增加。年度分红也上调10日元至每股160日元。
2021财年的销售额将同比增长22％，达到4400亿日元，21年来再次刷新历史纪录。在大规模集成电路（LSI）及半导体元件等所有业务领域都将实现营收增长。
罗姆的社长松本功出席记者会时表示“还有积压的订单，明年以后也有很多订单咨询”。罗姆认为自身擅长的碳化硅（SiC）半导体也将以中国的车载用途为中心需求不断扩大。
日本半导体企业罗姆10月28日发布的数据显示，预计2021财年（截至2022年3月）的合并净利润同比增长38％，达到510亿日元。比原有预期高出170亿日元，从原来的预计利润减少转为预计利润增加。汽车和个人电脑的半导体需求将增加。年度分红也上调10日元至每股160日元。
2021财年的销售额将同比增长22％，达到4400亿日元，21年来再次刷新历史纪录。在大规模集成电路（LSI）及半导体元件等所有业务领域都将实现营收增长。
罗姆的社长松本功出席记者会时表示“还有积压的订单，明年以后也有很多订单咨询”。罗姆认为自身擅长的碳化硅（SiC）半导体也将以中国的车载用途为中心需求不断扩大。
天风证券：第三代半导体下游应用撬动蓝海市场（附股）
1.核心因素驱动：下游应用迭起+绿色能源需求+后摩尔时代驱动第三代半导体大发展
1)下游应用迭起，第三代半导体因物理性能优异竞争力极强
新能源汽车等下游应用需求高起带动第三代半导体在大功率电力电子器件领域起量。快充装置、输变电系统、轨道交通、电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件，基于SiC、GaN的电子电力器件因其物理性能优异在相关市场备受青睐。AIoT时代，智慧化产品渗透率将迅速提升，智能家居照明的商机空间广阔。GaN在蓝光等短波长光电器件方面优势明显。5G时代驱动GaN射频器件快速发展。GaN器件工作效率和输出功率优异，成为5G时代功率放大器主要技术。
2)绿色能源需求迫在眉睫，第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”目标实现
第三代半导体有望成为绿色经济的中流砥柱，助力光伏、风电，直流特高压输电，新能源汽车、消费电源等领域电能高效转换，推动能源绿色低碳发展。举例来看，若全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为GaN功率芯片器件，将减少30-40%的能源浪费，相当于节省了100兆瓦时太阳能和减少1.25亿吨二氧化碳排放量。
3）后摩尔时代来临，新材料新架构的创新支撑各类新应用蓬勃发展，其中第三代半导体为代表的核心材料是芯片性能的提升的基石
材料工艺是芯片研发的主旋律。SiC、GaN拥有高的击穿电场强度、高工作温度、低器件导通电阻、高电子密度等优势，在后摩尔时代极具潜力。
2.供需测算：产业链各环节产能增长，但供给仍然不足
我国产线陆续开通，第三代半导体领域6英寸8英寸尺寸晶圆渐成主流。截至2020年底，国内约有8条SiC制造产线，10条正在建设。7条GaN-on-Si产线，4条正在建设。供给端：我国2020年SiC导电型衬底产能（折合6英寸）约18万片，外延22万片，Si基GaN外延约28万片。需求端：测算2025年我国仅新能源汽车板块就需75万片等效SiC6寸晶圆,仅快充部分就需要67万片GaN相关晶圆，现有产能与需求差距较大，如不在2025年前加速扩产，供给会持续紧缺。
3.成本测算：与传统产品价差持续缩小，综合成本优势大于传统硅基
SiC、GaN器件与传统Si基产品价差持续缩小。1)上游衬底产能持续释放，供货能力提升，材料端衬底价格下降，器件制造成本降低;2)量产技术趋于稳定，良品率提升，叠加产能持续扩张，拉动市场价格下降;3)产线规格由4英寸转向6英寸,成本大幅下降。未来SiC、GaN综合成本优势显著，可通过大幅提高器件能效+减小器件体积使其综合成本优势大于传统硅基材料，看好第三代半导体随着价格降低迎来大发展。
投资建议
看好下游应用迭起+绿色能源需求+后摩尔时代驱动下第三代半导体大发展，推荐前瞻布局+高质量研发第三代半导体的优质龙头企业，推荐三安光电/闻泰科技/立昂微；关注斯达半导/华润微/士兰微/纳微半导体/华虹半导体/新洁能/扬杰科技/赛微电子/捷捷微电/华微电子/时代电气/天岳先进/凤凰光学/宏微科技。
风险提示：产业政策变化、国际贸易争端加剧、下游行业发展不及预期
来源：天风证券
1.核心因素驱动：下游应用迭起+绿色能源需求+后摩尔时代驱动第三代半导体大发展
1)下游应用迭起，第三代半导体因物理性能优异竞争力极强
新能源汽车等下游应用需求高起带动第三代半导体在大功率电力电子器件领域起量。快充装置、输变电系统、轨道交通、电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件，基于SiC、GaN的电子电力器件因其物理性能优异在相关市场备受青睐。AIoT时代，智慧化产品渗透率将迅速提升，智能家居照明的商机空间广阔。GaN在蓝光等短波长光电器件方面优势明显。5G时代驱动GaN射频器件快速发展。GaN器件工作效率和输出功率优异，成为5G时代功率放大器主要技术。
2)绿色能源需求迫在眉睫，第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”目标实现
第三代半导体有望成为绿色经济的中流砥柱，助力光伏、风电，直流特高压输电，新能源汽车、消费电源等领域电能高效转换，推动能源绿色低碳发展。举例来看，若全球采用硅芯片器件的数据中心都升级为GaN功率芯片器件，将减少30-40%的能源浪费，相当于节省了100兆瓦时太阳能和减少1.25亿吨二氧化碳排放量。
3）后摩尔时代来临，新材料新架构的创新支撑各类新应用蓬勃发展，其中第三代半导体为代表的核心材料是芯片性能的提升的基石
材料工艺是芯片研发的主旋律。SiC、GaN拥有高的击穿电场强度、高工作温度、低器件导通电阻、高电子密度等优势，在后摩尔时代极具潜力。
2.供需测算：产业链各环节产能增长，但供给仍然不足
我国产线陆续开通，第三代半导体领域6英寸8英寸尺寸晶圆渐成主流。截至2020年底，国内约有8条SiC制造产线，10条正在建设。7条GaN-on-Si产线，4条正在建设。供给端：我国2020年SiC导电型衬底产能（折合6英寸）约18万片，外延22万片，Si基GaN外延约28万片。需求端：测算2025年我国仅新能源汽车板块就需75万片等效SiC6寸晶圆,仅快充部分就需要67万片GaN相关晶圆，现有产能与需求差距较大，如不在2025年前加速扩产，供给会持续紧缺。
3.成本测算：与传统产品价差持续缩小，综合成本优势大于传统硅基
SiC、GaN器件与传统Si基产品价差持续缩小。1)上游衬底产能持续释放，供货能力提升，材料端衬底价格下降，器件制造成本降低;2)量产技术趋于稳定，良品率提升，叠加产能持续扩张，拉动市场价格下降;3)产线规格由4英寸转向6英寸,成本大幅下降。未来SiC、GaN综合成本优势显著，可通过大幅提高器件能效+减小器件体积使其综合成本优势大于传统硅基材料，看好第三代半导体随着价格降低迎来大发展。
投资建议
看好下游应用迭起+绿色能源需求+后摩尔时代驱动下第三代半导体大发展，推荐前瞻布局+高质量研发第三代半导体的优质龙头企业，推荐三安光电/闻泰科技/立昂微；关注斯达半导/华润微/士兰微/纳微半导体/华虹半导体/新洁能/扬杰科技/赛微电子/捷捷微电/华微电子/时代电气/天岳先进/凤凰光学/宏微科技。
风险提示：产业政策变化、国际贸易争端加剧、下游行业发展不及预期
来源：天风证券
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