#柳智敏[超话]#
我知道我配不上让大家进群,谁都可以催大家,不像我,连催的时候都小心翼翼,成了一只可笑的热场笑料,现实生活不顺人人冷眼相待,哪怕是在网上我也知道我配不上催你们的门槛,我想为自己发声,我向冷酷的夜冰冷的墙发誓,我要加入那里,但我不行,我的上帝,我就是玉米南瓜浓汤里一粒飘摇居无定所的南瓜籽,所以,能不能进群买点奶粉,柳智敏想喝奶粉了,她只有你了【进前找管理员审核,进后记得看公告】https://t.cn/A6x8Jrb4
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#冬季如何高效美容护肤# #肌肤进阶课#
【冬季护肤小知识课堂】
整理了几个冬季护肤的小常识,大家可以参考参考。
1.洗脸:建议用与皮肤温度相似的37度左右的温水洗脸,这样不容易因温度过高而损伤毛 囊。
2.清洁:千万不要在冬天,频繁的去进行面部角质的去除。太频繁了,反而容易损伤掉皮肤 保 水 锁 水的功能。
3.敷面膜:敷面膜的时候,千万别以为冬天干,面膜敷长一些会补更多的水,就敷的时候特别长,这样其实不仅没有达到你想要的效果,反而会把角质细胞泡的松松的,更容易脱落下来。
4.泡澡:在冬天,可以保持每星期大概一到两次的泡热水澡的频率,不用太频繁,不然,你可能会觉得你的皮肤变得更干,还有就是可以选用一些霜剂类的化妆品来保护我们的手、面部和唇,来锁住皮肤的水分和油脂。
5.补水:冬季如果觉得皮肤很油,别急着让皮肤保持干燥清爽,还是先补水,这样反而可以缓 解皮肤过油的状况。
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1.洗脸:建议用与皮肤温度相似的37度左右的温水洗脸,这样不容易因温度过高而损伤毛 囊。
2.清洁:千万不要在冬天,频繁的去进行面部角质的去除。太频繁了,反而容易损伤掉皮肤 保 水 锁 水的功能。
3.敷面膜:敷面膜的时候,千万别以为冬天干,面膜敷长一些会补更多的水,就敷的时候特别长,这样其实不仅没有达到你想要的效果,反而会把角质细胞泡的松松的,更容易脱落下来。
4.泡澡:在冬天,可以保持每星期大概一到两次的泡热水澡的频率,不用太频繁,不然,你可能会觉得你的皮肤变得更干,还有就是可以选用一些霜剂类的化妆品来保护我们的手、面部和唇,来锁住皮肤的水分和油脂。
5.补水:冬季如果觉得皮肤很油,别急着让皮肤保持干燥清爽,还是先补水,这样反而可以缓 解皮肤过油的状况。
芯片叠加,英特尔新方案告诉我们什么?
最近英特尔发布了关于芯片封装和晶体管以及新的方案技术突破的消息
我不知道大家有没有仔细看过,从英特尔的表述中我们可以看到几个关键点,例如: 在单位体积相同的情况下,塞进更多的晶体管数量,在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英特尔公布了其在不懈推进摩尔定律的过程中,在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术突破:即通过混合键合(hybrid bonding)将在封装中的互连密度提升10倍以上,晶体管微缩面积提升30%至50%;在全新的功率器件和内存技术上已取得重大突破;基于物理学新概念所衍生的新技术,在未来可能会重新定义计算。
这个是不是很熟悉[笑而不语]还记得我之前说过的话吗?假如给14nm芯片塞进更多晶体管会怎样?那个时候很多傻子在嘲讽我无知,现在呢?
英特尔全文中还有关于封装部分的新技术工艺,这个你们也会很熟悉。在7月份制程工艺和封装技术线上发布会”中,英特尔就曾宣布计划推出Foveros Direct,以实现10微米以下的凸点间距,使3D堆叠的互连密度提高一个数量级。这项技术应用于多种芯片混合封装的场景,可以将不同功能、不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一起。Foveros Direct 技术使得上下芯片之间的凸点(连接点)密度提升了 10 倍,每个凸点的间距小于 10 微米。
这项技术支持将 CPU、GPU、IO 芯片紧密结合在一起,同时还兼容来自在不同厂商的芯片混合进行封装。
英特尔在今年7月还展示了新型晶体管架构GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET),作为 FinFET 的替代。全新的封装方式可以将 NMOS 和 PMOS 堆叠在一起,紧密互联,从而在空间上提高芯片的晶体管密度。这种方式能在制程不便的情况下,将晶体管密度提升 30% 至 50%,延续摩尔定律。
所以芯片的堆叠技术是一直存在的,在传统工艺制程即将到顶的情况下,芯片叠加技术便成为新的方案,所以之前某些博主自以为是觉得自己非常聪明,极力否认这种工艺的存在是有多无知和愚蠢?更有甚至直接两杯50度水等于100度,还有人说这个世界就不存在叠加这种技术。
现在我们用英特尔这个实际例子来告诉你,无知不可怕,可怕的是你无知了还要拉着一堆人跟你一起,这就是作为科技数码博主最大的罪孽。
干啥啥不行,带节奏永远第一名,笑死[摊手]
#数码迷##科技快讯##菊厂SHOW[超话]#
最近英特尔发布了关于芯片封装和晶体管以及新的方案技术突破的消息
我不知道大家有没有仔细看过,从英特尔的表述中我们可以看到几个关键点,例如: 在单位体积相同的情况下,塞进更多的晶体管数量,在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英特尔公布了其在不懈推进摩尔定律的过程中,在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术突破:即通过混合键合(hybrid bonding)将在封装中的互连密度提升10倍以上,晶体管微缩面积提升30%至50%;在全新的功率器件和内存技术上已取得重大突破;基于物理学新概念所衍生的新技术,在未来可能会重新定义计算。
这个是不是很熟悉[笑而不语]还记得我之前说过的话吗?假如给14nm芯片塞进更多晶体管会怎样?那个时候很多傻子在嘲讽我无知,现在呢?
英特尔全文中还有关于封装部分的新技术工艺,这个你们也会很熟悉。在7月份制程工艺和封装技术线上发布会”中,英特尔就曾宣布计划推出Foveros Direct,以实现10微米以下的凸点间距,使3D堆叠的互连密度提高一个数量级。这项技术应用于多种芯片混合封装的场景,可以将不同功能、不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一起。Foveros Direct 技术使得上下芯片之间的凸点(连接点)密度提升了 10 倍,每个凸点的间距小于 10 微米。
这项技术支持将 CPU、GPU、IO 芯片紧密结合在一起,同时还兼容来自在不同厂商的芯片混合进行封装。
英特尔在今年7月还展示了新型晶体管架构GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET),作为 FinFET 的替代。全新的封装方式可以将 NMOS 和 PMOS 堆叠在一起,紧密互联,从而在空间上提高芯片的晶体管密度。这种方式能在制程不便的情况下,将晶体管密度提升 30% 至 50%,延续摩尔定律。
所以芯片的堆叠技术是一直存在的,在传统工艺制程即将到顶的情况下,芯片叠加技术便成为新的方案,所以之前某些博主自以为是觉得自己非常聪明,极力否认这种工艺的存在是有多无知和愚蠢?更有甚至直接两杯50度水等于100度,还有人说这个世界就不存在叠加这种技术。
现在我们用英特尔这个实际例子来告诉你,无知不可怕,可怕的是你无知了还要拉着一堆人跟你一起,这就是作为科技数码博主最大的罪孽。
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