电凝镊和电凝钩的区别，共同点：都是可以在手术中进行切割、凝血、剥离操作。不同点：电凝镊主要用于精确部位的止血和剥离。电凝钩主要用于鼻镜和内镜下的手术，对组织进行离断操作和电凝、电切。它们都是一次性使用的。通过环氧乙烷灭菌保证了手术的安全性。武汉麦朗医疗专注于手术室一次性耗材的研发及生产，欢迎您的莅临咨询。
晶盛机电会议交流纪要20210718
1、公司基本业务情况介绍。 答:公司是国内领先的半导体材料装备和LED衬底材料制造的高新技术企 业,以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产 业”为使命,围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开发出一系 列关键设备,并适度延伸到材料领域。在硅材料领域,公司开发出了应用 于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备,包括全自动晶体生长 设备(单晶生长炉、区熔硅单晶炉、多晶铸锭炉)、晶体加工设备(单晶硅 滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等)、晶片加工设备(晶片研磨 机、减薄机、抛光机、外延设备、LPCVD设备等)、叠瓦组件设备等;在 碳化硅领域,公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备;在蓝宝石领 域,公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭和晶 片。同时,公司还建立了以高纯石英坩埚、抛光液及半导体阀门、管 件、磁流体、精密零部件为主的产品体系以配套半导体关键零部件、辅 材耗材方面的需求。公司产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、 LED、工业4.0等具有广阔发展前景的新兴产业。公司在赛道上的选择 整体来说更宽了,目前这几大业务板块的发展和前景都比较良好。公司 在光伏产业链装备取得了行业认可的技术和规模双领先的地位,在8-12 英寸大硅片设备领域,公司产品在晶体生长、切片、抛光、外延等晶片 材料环节已基本实现8英寸设备的全覆盖和国产化替代,12英寸长晶设备 及部分加工设备也已实现批量销售,产品质量已达到国际先进水平。蓝 宝石材料方面,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先 水平,目前已成功生长出全球领先700Kg级蓝宝石晶体,建立了规模化生 产基地,是掌握核心技术及规模优势的龙头企业。公司碳化硅外延设备 已通过客户验证,同时在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已规划建立 测试线,以实现装备和工艺技术的领先,加快推进第三代半导体材料碳化 硅业务的前瞻性布局。
2、如何看待蓝宝石材料后续的市场需求?公司在蓝宝石材料领域的布局 如何?宁夏鑫晶盛的进展如何? 答:蓝宝石材料是现代工业重要的基础材料,由于其具备强度大、硬度 高、耐腐蚀等特点,被广泛应用于LED衬底、消费电子产品保护玻璃、航 空航天装备以及医疗植入品等领域。近年来,随着蓝宝石材料成本的不 断下降,蓝宝石在消费电子领域的应用不断增加。蓝宝石作为优质的LED 衬底材料,随着MiniLED为代表的新型显示技术的发展,蓝宝石材料也逐 步打开新的应用市场。应用端的进一步打开需要产业链上下游一起推 动,公司对于目前的市场需求持乐观态度。在蓝宝石领域,公司可提供满 足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭和晶片。公司拥有国 际领先的超大尺寸蓝宝石晶体生长技术,建立了从长晶到切磨抛环节的 生产能力,目前已成功生长出全球领先的700Kg级蓝宝石晶体。公司建 立了规模化生产基地,是掌握核心技术及规模优势的龙头企业。公司与 消费电子视窗防护领域的制造龙头蓝思科技合作,成立宁夏鑫晶盛电子 材料公司,从事蓝宝石材料的生产及加工,为蓝宝石材料在消费电子应用 领域的规模应用提前布局。目前宁夏鑫晶盛的建设工作有序推进中,厂 房建设和设备进场按预期计划顺利进行。 3、请介绍公司单晶炉在技术和配套服务能力上的优势? 答:公司始终坚持以技术创新作为公司持续发展的源动力,持续加强研发 投入,在晶体生长领域,对于长晶工艺的理解比较深入,包括对于长晶的热 场和物理过程的理解,不断推动行业技术的发展。公司单晶炉性能上优 势明显,包括单台产能、自动化程度等,按照客户总体的拥有成本和运营 成本来计算,我们提供给客户的价值量优。同时,公司拥有一支专业的服 务管理团队,几百人的工程安装和售后服务队伍,设备维护技术型人才超 过80%。设立客户服务中心,贴近客户服务,实现2H需求响应,24H上门售 后服务,提供技术支持和客户端培训服务,通过精进的专业能力和超越客
户需求的服务,实现客户设备价值最大化。公司在光伏产业链装备上取 得了行业认可的技术和规模双领先的地位。 4、请介绍公司发展战略规划? 答:公司坚持以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制 造产业”为企业使命,将继续贯彻“先进材料、先进装备”的发展战略, 抓住碳中和背景下全球光伏需求增长和大尺寸技术迭代带来的扩产需 求,把握半导体设备国产化进程加快的历史机遇和新能源车等多领域需 求拉动的sic产业高速增长,迎接MiniLED和消费电子窗口带来的新增长, 围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料深入布局核心装备和材 料,同时系统化的配套半导体关键零部件、辅材耗材方面的需求。加快 推进国际化战略,积极强化企业组织能力的建设,招募优秀人才,整合资源, 驱动技术和管理创新,确保公司竞争力的可持续性,保障公司战略的落地, 将公司打造成全球技术及规模领先的半导体材料装备和高端晶体材料生 产商和设备服务商。
5、请介绍公司能穿越光伏设备周期的优势? 答:1)公司研发基因强,始终坚持以技术创新作为公司持续发展的源动力, 持续加强研发投入,强化研发人员和核心业务骨干的培养,驱动技术创新, 确保公司竞争力的可持续性。2)公司重视企业文化和组织能力的建设。 公司成立十五年来始终坚持以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿 色智能高科技制造产业”为企业使命,建立了强有力的企业文化及组 织。3)公司重视管理能力的提升,公司创建技术与规模双领先的质量管 理模式,实施“稳健批量”和“柔性快速”双模制造管理模式,持续强化 精益生产和全流程质量管理。4)公司与业内知名的上市公司或大型企业 保持了长期的战略合作关系,彼此建立了深厚的互信合作,共同促进行业 快速发展。公司品牌影响力和客户优势进一步提升,对公司开拓下游市 场产生积极影响。
6、请介绍公司目前手订单情况和交货周期?公司产能是否能满足客户需 求?答:2021年第一季度,公司新签订晶体生长设备和智能化加工设备订 单超过50亿元。截至2021年3月31日,公司未完成晶体生长设备及智能 化加工设备合同总计104.5亿元,其中未完成半导体设备合同5.6亿元(以 上合同金额均含增值税)。公司产品种类较多,不同产品交货周期不同,主 要在3-6个月左右。公司订单签订的交付周期是与下游客户的扩产进度 相匹配的,公司已提前做好产能评估,适时适量扩充产能,布局好配套供应 链,目前公司的产能能够满足客户订单需求。 7、公司半导体设备研发、验证和销售情况? 答:公司持续推进半导体装备和辅材耗材的新产品研发和市场推广工作, 完善了以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大核心装备为主的半导体硅 材料设备体系,目前基本实现8英寸晶片端长晶到加工的全覆盖,且已实现 量产和批量出货;12英寸单晶硅生长炉、滚磨设备、截断设备、研磨设 备、边缘抛光设备已通过客户验证,并取得良好反响,12英寸单晶硅生长 炉及部分加工设备已实现批量销售,其他加工设备也陆续客户验证中。 8、公司在半导体关键辅材耗材方面的布局如何?在石英坩埚上的研发进 展和市场开拓情况如何? 答:在半导体关键辅材耗材方面,公司坚持自主研发与对外技术合作相结 合,建立了以高纯石英坩埚、抛光液及半导体阀门、管件、磁流体、精 密零部件为主的产品体系,建立了国内领先的半导体设备精密加工制造 基地,借助客户渠道优势,完善产业链配套服务体系,加强关键辅材耗材的 市场推广力度,公司半导体辅材耗材业务取得快速增长。公司半导体石 英坩埚在研发和市场开拓方面取得积极进展,已向客户批量销售32英寸 合成坩埚,并研发了36英寸石英坩埚。目前公司的半导体石英坩埚在大 陆及台湾市场份额增长较快,并争取向海外其他市场开拓业务。 9、如何看待碳化硅市场?公司在碳化硅领域的规划如何?
答:碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导 率、高热导率等优越物理特征。碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材 料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特 点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转 换效率并减小产品体积。主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射 频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,具有明确 且可观的市场前景。碳化硅衬底制作的技术门槛较高,良率低,成本较高 制约其发展,导致行业的整体产能远不及市场需求。目前国内在技术和 规模上都与国际头部企业存在很大的差距,公司近年布局的第三代半导 体材料碳化硅的研发取得关键进展,成功生长出6英寸碳化硅晶体,公司将 持续加强碳化硅长晶工艺和技术的研发和优化,并做好研产转化,建立生 长、切片、抛光测试线,在量产过程中逐步打磨产品质量,掌握纯熟工艺 和技术。#股票##价值投资日志[超话]#
1、公司基本业务情况介绍。 答:公司是国内领先的半导体材料装备和LED衬底材料制造的高新技术企 业,以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产 业”为使命,围绕硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料开发出一系 列关键设备,并适度延伸到材料领域。在硅材料领域,公司开发出了应用 于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备,包括全自动晶体生长 设备(单晶生长炉、区熔硅单晶炉、多晶铸锭炉)、晶体加工设备(单晶硅 滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等)、晶片加工设备(晶片研磨 机、减薄机、抛光机、外延设备、LPCVD设备等)、叠瓦组件设备等;在 碳化硅领域,公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备;在蓝宝石领 域,公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭和晶 片。同时,公司还建立了以高纯石英坩埚、抛光液及半导体阀门、管 件、磁流体、精密零部件为主的产品体系以配套半导体关键零部件、辅 材耗材方面的需求。公司产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、 LED、工业4.0等具有广阔发展前景的新兴产业。公司在赛道上的选择 整体来说更宽了,目前这几大业务板块的发展和前景都比较良好。公司 在光伏产业链装备取得了行业认可的技术和规模双领先的地位,在8-12 英寸大硅片设备领域,公司产品在晶体生长、切片、抛光、外延等晶片 材料环节已基本实现8英寸设备的全覆盖和国产化替代,12英寸长晶设备 及部分加工设备也已实现批量销售,产品质量已达到国际先进水平。蓝 宝石材料方面,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先 水平,目前已成功生长出全球领先700Kg级蓝宝石晶体,建立了规模化生 产基地,是掌握核心技术及规模优势的龙头企业。公司碳化硅外延设备 已通过客户验证,同时在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已规划建立 测试线,以实现装备和工艺技术的领先,加快推进第三代半导体材料碳化 硅业务的前瞻性布局。
2、如何看待蓝宝石材料后续的市场需求?公司在蓝宝石材料领域的布局 如何?宁夏鑫晶盛的进展如何? 答:蓝宝石材料是现代工业重要的基础材料,由于其具备强度大、硬度 高、耐腐蚀等特点,被广泛应用于LED衬底、消费电子产品保护玻璃、航 空航天装备以及医疗植入品等领域。近年来,随着蓝宝石材料成本的不 断下降,蓝宝石在消费电子领域的应用不断增加。蓝宝石作为优质的LED 衬底材料,随着MiniLED为代表的新型显示技术的发展,蓝宝石材料也逐 步打开新的应用市场。应用端的进一步打开需要产业链上下游一起推 动,公司对于目前的市场需求持乐观态度。在蓝宝石领域,公司可提供满 足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭和晶片。公司拥有国 际领先的超大尺寸蓝宝石晶体生长技术,建立了从长晶到切磨抛环节的 生产能力,目前已成功生长出全球领先的700Kg级蓝宝石晶体。公司建 立了规模化生产基地,是掌握核心技术及规模优势的龙头企业。公司与 消费电子视窗防护领域的制造龙头蓝思科技合作,成立宁夏鑫晶盛电子 材料公司,从事蓝宝石材料的生产及加工,为蓝宝石材料在消费电子应用 领域的规模应用提前布局。目前宁夏鑫晶盛的建设工作有序推进中,厂 房建设和设备进场按预期计划顺利进行。 3、请介绍公司单晶炉在技术和配套服务能力上的优势? 答:公司始终坚持以技术创新作为公司持续发展的源动力,持续加强研发 投入,在晶体生长领域,对于长晶工艺的理解比较深入,包括对于长晶的热 场和物理过程的理解,不断推动行业技术的发展。公司单晶炉性能上优 势明显,包括单台产能、自动化程度等,按照客户总体的拥有成本和运营 成本来计算,我们提供给客户的价值量优。同时,公司拥有一支专业的服 务管理团队,几百人的工程安装和售后服务队伍,设备维护技术型人才超 过80%。设立客户服务中心,贴近客户服务,实现2H需求响应,24H上门售 后服务,提供技术支持和客户端培训服务,通过精进的专业能力和超越客
户需求的服务,实现客户设备价值最大化。公司在光伏产业链装备上取 得了行业认可的技术和规模双领先的地位。 4、请介绍公司发展战略规划? 答:公司坚持以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制 造产业”为企业使命,将继续贯彻“先进材料、先进装备”的发展战略, 抓住碳中和背景下全球光伏需求增长和大尺寸技术迭代带来的扩产需 求,把握半导体设备国产化进程加快的历史机遇和新能源车等多领域需 求拉动的sic产业高速增长,迎接MiniLED和消费电子窗口带来的新增长, 围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料深入布局核心装备和材 料,同时系统化的配套半导体关键零部件、辅材耗材方面的需求。加快 推进国际化战略,积极强化企业组织能力的建设,招募优秀人才,整合资源, 驱动技术和管理创新,确保公司竞争力的可持续性,保障公司战略的落地, 将公司打造成全球技术及规模领先的半导体材料装备和高端晶体材料生 产商和设备服务商。
5、请介绍公司能穿越光伏设备周期的优势? 答:1)公司研发基因强,始终坚持以技术创新作为公司持续发展的源动力, 持续加强研发投入,强化研发人员和核心业务骨干的培养,驱动技术创新, 确保公司竞争力的可持续性。2)公司重视企业文化和组织能力的建设。 公司成立十五年来始终坚持以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿 色智能高科技制造产业”为企业使命,建立了强有力的企业文化及组 织。3)公司重视管理能力的提升,公司创建技术与规模双领先的质量管 理模式,实施“稳健批量”和“柔性快速”双模制造管理模式,持续强化 精益生产和全流程质量管理。4)公司与业内知名的上市公司或大型企业 保持了长期的战略合作关系,彼此建立了深厚的互信合作,共同促进行业 快速发展。公司品牌影响力和客户优势进一步提升,对公司开拓下游市 场产生积极影响。
6、请介绍公司目前手订单情况和交货周期?公司产能是否能满足客户需 求?答:2021年第一季度,公司新签订晶体生长设备和智能化加工设备订 单超过50亿元。截至2021年3月31日,公司未完成晶体生长设备及智能 化加工设备合同总计104.5亿元,其中未完成半导体设备合同5.6亿元(以 上合同金额均含增值税)。公司产品种类较多,不同产品交货周期不同,主 要在3-6个月左右。公司订单签订的交付周期是与下游客户的扩产进度 相匹配的,公司已提前做好产能评估,适时适量扩充产能,布局好配套供应 链,目前公司的产能能够满足客户订单需求。 7、公司半导体设备研发、验证和销售情况? 答:公司持续推进半导体装备和辅材耗材的新产品研发和市场推广工作, 完善了以单晶硅生长、切片、抛光、外延四大核心装备为主的半导体硅 材料设备体系,目前基本实现8英寸晶片端长晶到加工的全覆盖,且已实现 量产和批量出货;12英寸单晶硅生长炉、滚磨设备、截断设备、研磨设 备、边缘抛光设备已通过客户验证,并取得良好反响,12英寸单晶硅生长 炉及部分加工设备已实现批量销售,其他加工设备也陆续客户验证中。 8、公司在半导体关键辅材耗材方面的布局如何?在石英坩埚上的研发进 展和市场开拓情况如何? 答:在半导体关键辅材耗材方面,公司坚持自主研发与对外技术合作相结 合,建立了以高纯石英坩埚、抛光液及半导体阀门、管件、磁流体、精 密零部件为主的产品体系,建立了国内领先的半导体设备精密加工制造 基地,借助客户渠道优势,完善产业链配套服务体系,加强关键辅材耗材的 市场推广力度,公司半导体辅材耗材业务取得快速增长。公司半导体石 英坩埚在研发和市场开拓方面取得积极进展,已向客户批量销售32英寸 合成坩埚,并研发了36英寸石英坩埚。目前公司的半导体石英坩埚在大 陆及台湾市场份额增长较快,并争取向海外其他市场开拓业务。 9、如何看待碳化硅市场?公司在碳化硅领域的规划如何?
答:碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导 率、高热导率等优越物理特征。碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材 料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特 点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转 换效率并减小产品体积。主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射 频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,具有明确 且可观的市场前景。碳化硅衬底制作的技术门槛较高,良率低,成本较高 制约其发展,导致行业的整体产能远不及市场需求。目前国内在技术和 规模上都与国际头部企业存在很大的差距,公司近年布局的第三代半导 体材料碳化硅的研发取得关键进展,成功生长出6英寸碳化硅晶体,公司将 持续加强碳化硅长晶工艺和技术的研发和优化,并做好研产转化,建立生 长、切片、抛光测试线,在量产过程中逐步打磨产品质量,掌握纯熟工艺 和技术。#股票##价值投资日志[超话]#
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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