#国护，我想对你说#
我对我能加入济医国旗护卫队感到非常的激动，我知道我的动作在全对中平平无奇，并不标准，真的很感谢哥姐给我了一个努力的机会。加入国旗护卫队是想在大学生活中磨练自己多方面发展开启一个健康多彩的生活。并且我喜欢这里是因为我们一群人天天在一起流汗，一起欢乐，一起成长，为了把国旗完美升上而训练。训练是苦的但也有意义三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。我加入国护可以给我的生活输入正能量激励我向前，增强了爱国情怀，为了强国梦不断奋斗。国旗护卫队也是一个神圣的不可亵渎的队伍，在日常生活中规范自己的行为大学生活肩上又扛起一个责任，作为济医国护人我一定努力向前。
——第十一届队员王硕投稿
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——第十一届队员王硕投稿
#东郊周末# 东郊567 创意集市
你的周末都在哪里度过？本周六，我们将在东郊记忆成都舞台，以“567创我时尚”之名，开启东郊的新玩法！这里包含音乐、艺术、潮玩、美食、舞蹈等等等，这里有来自天南地北的想法，有奇思妙想的朋友，现在，只缺一个有着共同兴趣的人一起分享，首期活动将在本周六开放，欢迎伙伴们周末来东郊记忆耍哦！
⏰ 1.15-16日
东郊记忆·成都舞台 https://t.cn/z8AtiYN
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闲着没事聊下LTPO--基本原理
【OLED怎么点亮的，LTPO里面O在哪，为什么要在那】
里面会涉及到一些基础的模电知识，我会尽量简化一下，不涉及复杂的Vgs-Vth图了
这个图1是苹果在2019年公开的一篇关于LTPO论文中截取的，我就不另外画了，这是一个最基本的6T1C OLED驱动电路，6T指的是6个TFT（你可以理解成一种薄膜状复杂控制流量的开关）1C指的是一个电容，用来“储存”电压信息。
首先第一步是复位阶段，或者初始阶段，也就是图2。Vem2和Vscan1给高电平，此时T3 T4 T6被开启，Vdd端的电压通过T4 T3流到Cst这个电容的一段，上面有个点叫N2，他的电压比较重要所以被标出来了，而T6开启后电容下板被直接连通到Vini，实际上就被复位了。此时这个电容器Cst的两端就通过电容器本身的特性，让N点维持一个电压，Vdd
然后第二步是补偿阶段，也就是图3。Vem2被给到低电平，此时T4就被关上了，注意这时候N2这个点还是因为电容本身的特性，断电后也维持了一个电压Vdd。与此同时Vscan2和Vscan1被给到高电平，他们就打开了T1 T3和T6这三个“开关”，此时Vdata，也就是信号输入的这一路，通过T1 T2 T3这三个“开关”，被持续的写入到N2这个点(注意下面是用来储存的电容)，直到N2这个点的电压满足T2这个开关的截止条件，即V(N2)-Vdata=Vth（截止电压），ok Vdata的信号就写入完毕了，此时N2这个点的电压就是Vth+Vdata，通过电容Cst保存了下来，这个电压在图4上用橙色的线表示了。
最后就是发光的阶段，也就是图4，我们给Vscan低电平，他关闭了T3和T6“开关”，接着给Vem2 和Vem1高电平，他就不打开了T4和T5，同时由于N2，储存了上一步给他的电压信息Vth+Vdata，T2“开关”被控制着打开。这时候VDD就输入了过来，通过T2时由于他的IDS，也就是漏电流，是被T2这个开关的栅极电压相对控制的（配合Vdd，也就是在T4导通后输入到T2 源极的电压），也就是N2这个之前被写入信号的点。Vdd（屏幕驱动的电）就这样受到N2这个点输入过的Vdata信号的相对控制，到了最下面和Vss连接到的那个二极管，也就是我们的OLED屏幕的一个像素，一个有机发光二极管上，他就受到控制发光了[开学季]
到这就完成了一个OLED的刷新周期。
接着就回到第一个阶段，把电容两端的电压重新复位，准备下一轮信号的输入。
当然，我们知道他的Ids，也就是漏电流，其实是栅级和源极间电压-截止电压Vth的函数，那N2这个点现在是T2的栅级，他的电压根据上一步我们知道是Vth+Vdata，那么T2这个开关的IDS，也就是漏电流就是栅级-源极电压差(Vth+Vdata-Vdd）-截止电压Vth的函数，我们就不经意间发现Vth被抵消了[开学季]，不同的T2“开关”不同的截止电压也不会显著影响最后输出的信号，不容易出现OLED像素之间的不均匀，这也是OLED补偿电路的后话了[开学季]
从整个流程我们不难看出来，第二步，给那个电容，Cst，输入的信号，就决定了最终发光二极管在这个周期发出什么样我们需要的光，我们要光稳定，那个电容就要稳定，写入N2那个点的电压信号数据就需要稳定存在。
而我们看图就知道，T3那个“开关”，关系到N2这个点的电压是不是稳定，电容储存的“电压信号”能不能持续的反馈到T2那个“开关”的栅级。因为T3那个开关有漏电，慢慢的电可能就漏掉了，就不能把正确的需要的电压给T2“开关”的栅级，让最下面的发光二极管按照我们的要求输出。
在刷新率相对比较高的情况下，那个电容Cst被清空复位的速度非常快，LTPS的TFT在T3那个位置，对于显示效果的影响不大，而如果你做低刷新率，比如10Hz甚至1Hz，你的电容Cst里储存的电，可能在这1/10或者1秒钟，因为T3这个“开关”不能高效的阻止电流通过而漏掉了，N2这个点的电压就会变化，控制T2“开关”就不再是预想的效果，你的显示效果就会变差，就会有很明显的不均匀现象。此时要改善这个效果，就需要扩大电容的容量，但是很显然这样做要会导致电容充放电的速度变慢，显示效果下降，此时如果加大充电的电压，整个系统的功耗损失就会增加，屏幕功耗就会增加，同时更大体积的电容也会导致像素不能做的密集，显示效果会下降。
所以就有了LTPO，把其中一部分低温多晶硅TFT（比如这个简单例子里的T3）替换成不容易漏电的氧化物TFT，我加大电容不方便，我减少漏电总可以吧。
但是LTPS虽然漏电，但是他转换速度快，体积更小，所以你也没办法一下把所有的TFT都换成氧化物的TFT，这会导致开关速度变慢，而且由于体积更大，OLED面板开口率会下降，同样会造成功耗的浪费。
讲到这里，整个OLED怎么被点亮，怎么刷新，基本原理就清楚了，你们要是觉得有意思，我就继续延伸更新一下，低刷新率下省电到底是从哪个部分，怎么省出来的，大概是第二部分的小科普了。
【OLED怎么点亮的，LTPO里面O在哪，为什么要在那】
里面会涉及到一些基础的模电知识，我会尽量简化一下，不涉及复杂的Vgs-Vth图了
这个图1是苹果在2019年公开的一篇关于LTPO论文中截取的，我就不另外画了，这是一个最基本的6T1C OLED驱动电路，6T指的是6个TFT（你可以理解成一种薄膜状复杂控制流量的开关）1C指的是一个电容，用来“储存”电压信息。
首先第一步是复位阶段，或者初始阶段，也就是图2。Vem2和Vscan1给高电平，此时T3 T4 T6被开启，Vdd端的电压通过T4 T3流到Cst这个电容的一段，上面有个点叫N2，他的电压比较重要所以被标出来了，而T6开启后电容下板被直接连通到Vini，实际上就被复位了。此时这个电容器Cst的两端就通过电容器本身的特性，让N点维持一个电压，Vdd
然后第二步是补偿阶段，也就是图3。Vem2被给到低电平，此时T4就被关上了，注意这时候N2这个点还是因为电容本身的特性，断电后也维持了一个电压Vdd。与此同时Vscan2和Vscan1被给到高电平，他们就打开了T1 T3和T6这三个“开关”，此时Vdata，也就是信号输入的这一路，通过T1 T2 T3这三个“开关”，被持续的写入到N2这个点(注意下面是用来储存的电容)，直到N2这个点的电压满足T2这个开关的截止条件，即V(N2)-Vdata=Vth（截止电压），ok Vdata的信号就写入完毕了，此时N2这个点的电压就是Vth+Vdata，通过电容Cst保存了下来，这个电压在图4上用橙色的线表示了。
最后就是发光的阶段，也就是图4，我们给Vscan低电平，他关闭了T3和T6“开关”，接着给Vem2 和Vem1高电平，他就不打开了T4和T5，同时由于N2，储存了上一步给他的电压信息Vth+Vdata，T2“开关”被控制着打开。这时候VDD就输入了过来，通过T2时由于他的IDS，也就是漏电流，是被T2这个开关的栅极电压相对控制的（配合Vdd，也就是在T4导通后输入到T2 源极的电压），也就是N2这个之前被写入信号的点。Vdd（屏幕驱动的电）就这样受到N2这个点输入过的Vdata信号的相对控制，到了最下面和Vss连接到的那个二极管，也就是我们的OLED屏幕的一个像素，一个有机发光二极管上，他就受到控制发光了[开学季]
到这就完成了一个OLED的刷新周期。
接着就回到第一个阶段，把电容两端的电压重新复位，准备下一轮信号的输入。
当然，我们知道他的Ids，也就是漏电流，其实是栅级和源极间电压-截止电压Vth的函数，那N2这个点现在是T2的栅级，他的电压根据上一步我们知道是Vth+Vdata，那么T2这个开关的IDS，也就是漏电流就是栅级-源极电压差(Vth+Vdata-Vdd）-截止电压Vth的函数，我们就不经意间发现Vth被抵消了[开学季]，不同的T2“开关”不同的截止电压也不会显著影响最后输出的信号，不容易出现OLED像素之间的不均匀，这也是OLED补偿电路的后话了[开学季]
从整个流程我们不难看出来，第二步，给那个电容，Cst，输入的信号，就决定了最终发光二极管在这个周期发出什么样我们需要的光，我们要光稳定，那个电容就要稳定，写入N2那个点的电压信号数据就需要稳定存在。
而我们看图就知道，T3那个“开关”，关系到N2这个点的电压是不是稳定，电容储存的“电压信号”能不能持续的反馈到T2那个“开关”的栅级。因为T3那个开关有漏电，慢慢的电可能就漏掉了，就不能把正确的需要的电压给T2“开关”的栅级，让最下面的发光二极管按照我们的要求输出。
在刷新率相对比较高的情况下，那个电容Cst被清空复位的速度非常快，LTPS的TFT在T3那个位置，对于显示效果的影响不大，而如果你做低刷新率，比如10Hz甚至1Hz，你的电容Cst里储存的电，可能在这1/10或者1秒钟，因为T3这个“开关”不能高效的阻止电流通过而漏掉了，N2这个点的电压就会变化，控制T2“开关”就不再是预想的效果，你的显示效果就会变差，就会有很明显的不均匀现象。此时要改善这个效果，就需要扩大电容的容量，但是很显然这样做要会导致电容充放电的速度变慢，显示效果下降，此时如果加大充电的电压，整个系统的功耗损失就会增加，屏幕功耗就会增加，同时更大体积的电容也会导致像素不能做的密集，显示效果会下降。
所以就有了LTPO，把其中一部分低温多晶硅TFT（比如这个简单例子里的T3）替换成不容易漏电的氧化物TFT，我加大电容不方便，我减少漏电总可以吧。
但是LTPS虽然漏电，但是他转换速度快，体积更小，所以你也没办法一下把所有的TFT都换成氧化物的TFT，这会导致开关速度变慢，而且由于体积更大，OLED面板开口率会下降，同样会造成功耗的浪费。
讲到这里，整个OLED怎么被点亮，怎么刷新，基本原理就清楚了，你们要是觉得有意思，我就继续延伸更新一下，低刷新率下省电到底是从哪个部分，怎么省出来的，大概是第二部分的小科普了。
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