全球知名运动品牌PUMA以“摩登予形，极质无界”为概念，在桂林阳朔举办PUMA SELECT 黑彪全新MMQ系列发布活动。本次活动特选址在远离都市喧嚣的自然山水间，勾勒出一抹静谧的极质之地，通过产品系列的陈列展示和搭配，及日常生活多方位的高品质探索，与来宾们在此一同体验摩登极简主义的极限，共同传递PUMA SELECT黑彪#有黑无界#的品牌精神。
10月31日，“星光不问赶路人”赛力斯华为智选SF5媒体探店试驾活动在青岛举行，试驾会邀约媒体朋友齐聚赛力斯华为智选青岛用户中心，零距离体验赛力斯华为智选SF5的极致驾控性能。
动感轿跑身姿 尽显生命自然美学理念
青岛是国家历史文化名城、中国道教发祥地，是中国帆船之都也是世界啤酒之城，这里既有鳞次栉比的摩天高楼，年轻活力的时尚男女，也有历史沉淀的文化古迹，名耀青史的文化名流，古今合璧，焕发出勃勃生机。秉承生命自然美学设计理念的赛力斯华为智选SF5，仿若穿梭于其间的动感之光，溜背式轿跑风格设计，展现犀利的俯冲姿态，配合闪电“∑”日行灯、柳叶风侧窗轮廓、海豚跃动式双腰线，以及“天际流光”贯穿组合式尾灯，营造出了个性、时尚又充满激情的视觉观感，与这城中美景相得益彰。
进入车内，映入眼帘的就是这块17英寸中央多点触控屏，搭载HUAWEI HiCar 人-车-家智能互联解决方案，给消费者带来了智能、便利的用车体验。“这块大屏可以通过呼叫‘小艺，小艺’语音唤醒，唤醒后可以进行导航、媒体播放、打电话等操作，比如我说‘小艺小艺，我要去五四广场’，HUAWEI HiCar的智慧助手就会自动开启导航。我只需继续按照语音指示，一步一步下达指令就可以了。如果想要听歌或者打电话给朋友，也只需要开口就能达成，用起来非常方便。”一位现场媒体如是说道。
百公里加速4.68秒 超跑性能瞬时激发
此次试驾路线涵盖了青岛市内高架桥、隧道以及城区道路等多样路况，一方面可以模拟真实的城市通勤路况，另一方面也能对赛力斯华为智选SF5的车辆性能进行全方位的考验。
在试驾环节中，赛力斯华为智选SF5迅猛的加速能力给媒体留下了深刻印象，它搭载赛力斯自主研发的SEP200电机与HUAWEI DriveONE三合一电驱动系统，组成一套双电机智能四驱动力组合，最大功率达405kW，最大扭矩820N·m，零百加速仅需4.68秒，拥有堪比百万级跑车的动力性能。
有媒体说道：“赛力斯华为智选SF5拥有纯电动车直接高效的动力输出特性，踩下加速踏板，动力瞬间输出，毫无延迟。在经济模式和舒适模式下，整车的动力输出相对柔和，加速踏板的调校也属于轻快的类型，开起来很好上手。如果切换至运动模式的话，整车的动力输出曲线会更为激进，深踩加速踏板，强烈的推背感甚至可以秒掉一众的性能车，给了我很大的惊喜。”
赛道级底盘调校 兼顾操控精准性与乘坐舒适性
青岛地处丘陵地带，道路起伏曲折，有很多环形高架路，各种极限转弯非常考验车辆的稳定性。有媒体表示：“这是我第一次试驾赛力斯华为智选SF5，没想到它的底盘技术非常扎实，采用的是像保时捷卡宴、宝马X5等高端SUV才会使用的轻量化铝合金底盘，转弯过程中对侧倾的控制非常到位。”与此同时，赛力斯华为智选SF5的副车架采用柔性化设计，也能够大幅提升车辆行驶平顺性，并获得更好的减震和降噪性能，在保持出色驾控性能的基础上，兼具了优良的乘坐体验，做到了刚柔并济。
此外，赛力斯华为智选SF5采用前上下双球头双叉臂独立悬架+后梯形多连杆独立悬架组合。这套悬架组合也出现在不少超豪华运动品牌的车型上，优点就是刚性高、侧倾抑制好，同时制动状态下的车身姿态也更平稳，在快速过弯时不会出现倾斜感，让驾驶者可以尽情享受畅快淋漓的驾驶体验。同时，铝合金材质H臂也能够很好的吸收、过滤路面冲击产生的振动。有媒体表示：“从实际驾驶来看，赛力斯华为智选SF5的底盘调校属于偏舒适的一类，弹簧的收缩和拉伸都很缓慢、滤震效果出色。在经过一些不平整的路面时，减震器会吸收掉几乎所有的震动，这是包括我在内很多中国消费者非常喜欢的一种调校方式。”
可油可电终结里程焦虑 全场景出行无忧
除了提供极致的操控性能，赛力斯华为智选SF5“可油可电”的灵活补能方式也深受媒体好评。现场媒体说道：“纯电动车目前受限于续航较短和充电桩的普及率等问题，更多的还是适合在城市驾驶，一旦需要长途出行，就会陷入寻找充电桩的焦虑，动辄4、5个小时的排队充电时间也非常误事。但赛力斯华为智选SF5就完全没有这方面的担心，它可以像普通燃油车那样加油补能，不用忍受漫长的充电时间，做到说走就走，终结里程焦虑。”
这要归功于赛力斯华为智选SF5搭载的驼峰智能增程系统，在满油满电的情况下，NEDC综合续航里程达到1000+km，而纯电动车的续航里程一般都在500km左右。这意味驾驶它从郑州开到像上海、兰州、长沙等城市，中途无需再次补能。赛力斯华为智选SF5支持“有电充电、无电加油”的灵活补能方式，即便是来到没有充电站的偏远地区，它也可以像普通燃油车一样通过加油的方式补能，不会像纯电动车型那样，出现充电难的问题。而且，赛力斯华为智选SF5还有180km的纯电续航能力，完全能够覆盖绝大多数人日常上下班和短途出行的里程需求，做到城市通勤0油耗。得益于赛力斯华为智选SF5的超长续航能力，各位试驾官可以尽情享受驾驶乐趣，无需担心续航和补能问题。
通过此次的媒体探店试驾活动，赛力斯华为智选SF5再一次证明了自己强大的实力，不仅拥有比肩百万级跑车的极致操控性能，长续航、可油可电的灵活补能方式也彻底告别了里程和充电焦虑。随着新能源汽车市场的不断发展，唯有真正从消费者用车需求出发的产品才能收获用户的认可，显然赛力斯华为智选SF5做到了这一点，相信未来将会有越来越多注重操控性能与驾驶乐趣的用户选择它！
目前，赛力斯华为智选SF5四驱版车型售价为24.68万。在2021年12月31日前购车的用户还将获赠包括20寸运动轮毂、倍耐力P Zero轮胎、HUD抬头显示和前排座椅的通风加热按摩功能。此外，赛力斯还为用户免费提供7kW家充桩和增程器十年免费保养服务，其综合性价比得到进一步提升。特别值得一提的是，消费者前往赛力斯华为智选用户中心赏车试驾，即可获得精美礼品一份，本月内购车，还可享受0首付，至长48期超长贷的优惠金融政策，进一步降低购车门槛。
动感轿跑身姿 尽显生命自然美学理念
青岛是国家历史文化名城、中国道教发祥地，是中国帆船之都也是世界啤酒之城，这里既有鳞次栉比的摩天高楼，年轻活力的时尚男女，也有历史沉淀的文化古迹，名耀青史的文化名流，古今合璧，焕发出勃勃生机。秉承生命自然美学设计理念的赛力斯华为智选SF5，仿若穿梭于其间的动感之光，溜背式轿跑风格设计，展现犀利的俯冲姿态，配合闪电“∑”日行灯、柳叶风侧窗轮廓、海豚跃动式双腰线，以及“天际流光”贯穿组合式尾灯，营造出了个性、时尚又充满激情的视觉观感，与这城中美景相得益彰。
进入车内，映入眼帘的就是这块17英寸中央多点触控屏，搭载HUAWEI HiCar 人-车-家智能互联解决方案，给消费者带来了智能、便利的用车体验。“这块大屏可以通过呼叫‘小艺，小艺’语音唤醒，唤醒后可以进行导航、媒体播放、打电话等操作，比如我说‘小艺小艺，我要去五四广场’，HUAWEI HiCar的智慧助手就会自动开启导航。我只需继续按照语音指示，一步一步下达指令就可以了。如果想要听歌或者打电话给朋友，也只需要开口就能达成，用起来非常方便。”一位现场媒体如是说道。
百公里加速4.68秒 超跑性能瞬时激发
此次试驾路线涵盖了青岛市内高架桥、隧道以及城区道路等多样路况，一方面可以模拟真实的城市通勤路况，另一方面也能对赛力斯华为智选SF5的车辆性能进行全方位的考验。
在试驾环节中，赛力斯华为智选SF5迅猛的加速能力给媒体留下了深刻印象，它搭载赛力斯自主研发的SEP200电机与HUAWEI DriveONE三合一电驱动系统，组成一套双电机智能四驱动力组合，最大功率达405kW，最大扭矩820N·m，零百加速仅需4.68秒，拥有堪比百万级跑车的动力性能。
有媒体说道：“赛力斯华为智选SF5拥有纯电动车直接高效的动力输出特性，踩下加速踏板，动力瞬间输出，毫无延迟。在经济模式和舒适模式下，整车的动力输出相对柔和，加速踏板的调校也属于轻快的类型，开起来很好上手。如果切换至运动模式的话，整车的动力输出曲线会更为激进，深踩加速踏板，强烈的推背感甚至可以秒掉一众的性能车，给了我很大的惊喜。”
赛道级底盘调校 兼顾操控精准性与乘坐舒适性
青岛地处丘陵地带，道路起伏曲折，有很多环形高架路，各种极限转弯非常考验车辆的稳定性。有媒体表示：“这是我第一次试驾赛力斯华为智选SF5，没想到它的底盘技术非常扎实，采用的是像保时捷卡宴、宝马X5等高端SUV才会使用的轻量化铝合金底盘，转弯过程中对侧倾的控制非常到位。”与此同时，赛力斯华为智选SF5的副车架采用柔性化设计，也能够大幅提升车辆行驶平顺性，并获得更好的减震和降噪性能，在保持出色驾控性能的基础上，兼具了优良的乘坐体验，做到了刚柔并济。
此外，赛力斯华为智选SF5采用前上下双球头双叉臂独立悬架+后梯形多连杆独立悬架组合。这套悬架组合也出现在不少超豪华运动品牌的车型上，优点就是刚性高、侧倾抑制好，同时制动状态下的车身姿态也更平稳，在快速过弯时不会出现倾斜感，让驾驶者可以尽情享受畅快淋漓的驾驶体验。同时，铝合金材质H臂也能够很好的吸收、过滤路面冲击产生的振动。有媒体表示：“从实际驾驶来看，赛力斯华为智选SF5的底盘调校属于偏舒适的一类，弹簧的收缩和拉伸都很缓慢、滤震效果出色。在经过一些不平整的路面时，减震器会吸收掉几乎所有的震动，这是包括我在内很多中国消费者非常喜欢的一种调校方式。”
可油可电终结里程焦虑 全场景出行无忧
除了提供极致的操控性能，赛力斯华为智选SF5“可油可电”的灵活补能方式也深受媒体好评。现场媒体说道：“纯电动车目前受限于续航较短和充电桩的普及率等问题，更多的还是适合在城市驾驶，一旦需要长途出行，就会陷入寻找充电桩的焦虑，动辄4、5个小时的排队充电时间也非常误事。但赛力斯华为智选SF5就完全没有这方面的担心，它可以像普通燃油车那样加油补能，不用忍受漫长的充电时间，做到说走就走，终结里程焦虑。”
这要归功于赛力斯华为智选SF5搭载的驼峰智能增程系统，在满油满电的情况下，NEDC综合续航里程达到1000+km，而纯电动车的续航里程一般都在500km左右。这意味驾驶它从郑州开到像上海、兰州、长沙等城市，中途无需再次补能。赛力斯华为智选SF5支持“有电充电、无电加油”的灵活补能方式，即便是来到没有充电站的偏远地区，它也可以像普通燃油车一样通过加油的方式补能，不会像纯电动车型那样，出现充电难的问题。而且，赛力斯华为智选SF5还有180km的纯电续航能力，完全能够覆盖绝大多数人日常上下班和短途出行的里程需求，做到城市通勤0油耗。得益于赛力斯华为智选SF5的超长续航能力，各位试驾官可以尽情享受驾驶乐趣，无需担心续航和补能问题。
通过此次的媒体探店试驾活动，赛力斯华为智选SF5再一次证明了自己强大的实力，不仅拥有比肩百万级跑车的极致操控性能，长续航、可油可电的灵活补能方式也彻底告别了里程和充电焦虑。随着新能源汽车市场的不断发展，唯有真正从消费者用车需求出发的产品才能收获用户的认可，显然赛力斯华为智选SF5做到了这一点，相信未来将会有越来越多注重操控性能与驾驶乐趣的用户选择它！
目前，赛力斯华为智选SF5四驱版车型售价为24.68万。在2021年12月31日前购车的用户还将获赠包括20寸运动轮毂、倍耐力P Zero轮胎、HUD抬头显示和前排座椅的通风加热按摩功能。此外，赛力斯还为用户免费提供7kW家充桩和增程器十年免费保养服务，其综合性价比得到进一步提升。特别值得一提的是，消费者前往赛力斯华为智选用户中心赏车试驾，即可获得精美礼品一份，本月内购车，还可享受0首付，至长48期超长贷的优惠金融政策，进一步降低购车门槛。
【第三代半导体来了，芯片行业会“变天”吗？[思考]】5纳米、2纳米、1纳米……作为当前芯片制造行业的主流技术，硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术已“接近物理极限”。这也意味着，“弯道超车”的机会越来越渺茫，“多道赛车”成为业内的选择。
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
https://t.cn/A6M7chv0
https://t.cn/A6M7chvN
https://t.cn/A6M7chvp
【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
最近，香港科技大学和南方科技大学研究人员分别在《自然—电子学》等期刊发表论文，报道了“氮化镓基互补逻辑集成电路”和“氮化镓高压多沟道器件技术”领域取得的突破，这或成为第三代半导体赛道上的一抹曙光。
相关论文信息：
https://t.cn/A6M7chv0
https://t.cn/A6M7chvN
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【适时的工作：氮化镓基互补逻辑集成电路】
硅基互补金属氧化物半导体可以获得极高的能源效率，与此同时，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景。
而宽禁带半导体，如氮化镓等在电力电子、射频电子、显示照明和严酷环境中的出色表现，让人们对其应用前景充满期待。由于缺乏在单个衬底上集成n沟道和p沟道场效应晶体管的合适策略，氮化镓基CMOS逻辑电路的开发进程缓慢。
“我们首次展示了一个完整的基本逻辑门集合，以及多级逻辑门集成更复杂逻辑电路的能力。”香港科技大学教授陈敬说，“这种氮化镓互补型逻辑电路拥有一系列‘类CMOS’的优点。这些电路可以工作在兆赫兹频率，并且拥有出色的热稳定性，一定程度上体现了宽禁带半导体的优势。”
在该研究中，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合——包括非、与非、或非和传输门。其中，以反相器为代表的逻辑门展现出100%轨到轨输出能力、显著抑制的静态功耗、良好的热稳定性和充分的噪声容限，单项指标与综合性能均为已报道的同类反相器中之最佳。
“这是个很漂亮而且很适时的工作。”瑞士洛桑联邦理工学院微纳技术中心博士刘骏秋在接受《中国科学报》采访时表示。
除了完备的单级基本逻辑门，陈敬团队进一步展示了由多级互补型逻辑门组成的拥有较高复杂度的集成电路。多级集成能力的证明，对将氮化镓基CMOS技术推向实用具有重要意义。
南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊认为，该技术首先可用于开发高能效的新一代电能转换芯片——氮化镓电力电子集成电路，对降低电能损耗和减少碳排放具有非常重要的意义；其次能扩展氮化镓的应用方向，例如用于开发航空航天等需要耐受严酷环境（高温、辐射等条件下）的新型特种计算控制芯片。
“该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。”马俊告诉《中国科学报》。
【基础器件突破：氮化镓高压多沟道电力电子器件】
作为第一代半导体材料，锗和硅已在各类电子器件和集成电路上广泛应用。以砷化镓和磷化铟为代表的三五族化合物半导体材料被认为是第二代半导体，它的某些性能优点弥补了硅晶体的缺点，从而生产出符合更高要求的产品。第三代半导体是以氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，第三代半导体在照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域的产业成熟度各不相同，在一些前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
“第三代半导体材料领域的发展日新月异。”刘骏秋说，“比如氮化镓、碳化硅、铝镓砷等，主要用来制备电芯片。而光芯片领域，目前最成熟的材料硅、磷化铟已经以商业化为主。碳化硅目前已经开始从实验室走向成熟产业和商业化，而铌酸锂材料目前中国的研究也很前沿，很多大学都有相关的研究。值得一提的是，国际与国内很多领先的研究组已经开始研究利用第三代半导体材料实现光电集成。”
在发表于国际电子器件大会（IEDM）和《自然—电子学》的文章中，马俊团队和瑞士洛桑联邦理工大学、苏州晶湛半导体有限公司合作，通过原创性的高压多沟道电力电子器件技术，开辟了氮化镓电力电子器件研究的新领域，“有可能改变第三代半导体电力电子器件技术发展的趋势”。
“现有氮化镓电力电子器件的主流方案是硅基氮化镓器件，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，远未达到氮化镓材料的理论极限，近10年来进步甚微。”马俊说。
为解决这一问题，马俊等人用高压多沟道器件技术，在获得1200V高击穿电压的同时将器件的导通电阻降低为原来的1/5，将硅上氮化镓电力电子器件品质因子的国际纪录提升了4倍。
此后，马俊又以共同第一作者，将该技术的后续工作——1300V的常关型多沟道硅基氮化镓高迁移率晶体管研究成果发表于《自然—电子学》。
“这项工作是氮化镓电力电子器件领域的重大进步。”氮化镓电子器件领域专家、英国布里斯托大学教授Martin Kuball在《自然—电子学》撰写专文评论说，“该技术使氮化镓器件的性能大幅接近其理论极限，且显著地超过了现有的碳化硅器件。”
《自然—电子学》在其编辑部报道中提到，“我们重点推荐的第三篇文章是学术界和工业界的合作成果，即马俊、Elison Matioli和他们同事汇报的多沟道器件技术”，展示了该技术巨大的价值和潜力。
【基础+集成：改变行业版图】
“氮化镓电子器件及集成电路家族因氮化镓基CMOS的加入而更加完整，实现氮化镓基计算控制芯片已经成为可能，氮化镓电子技术的应用领域会进一步扩展。”陈敬说，“以高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的n沟道氮化镓器件已历逾25年的研发，近年来已开启了快速商业化的进程。”
“氮化镓基芯片未来的发展将有很大可能呈现‘基础化+集成化’的趋势。”马俊说。
马俊解释说，基础化是因为现有氮化镓电子器件的性能远未达到氮化镓材料的理论极限。因此，氮化镓基芯片的未来发展将首先聚焦于新型基础性器件技术的开发，寻求基础元器件性能的突破性进展，达到全面利用氮化镓材料性能优势的目的。
例如，在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，新型的多沟道结构和纳米结构等技术正在推动氮化镓射频电子器件和电力电子器件性能的成倍提高，远远超出传统的硅器件和现有的氮化镓器件。同时，高性能的p沟道晶体管对氮化镓互补性逻辑电路的进一步发展也至关重要。
“这些基础器件性能的突破，将为氮化镓芯片的未来发展提供更广阔的可能。”马俊说，“集成是半导体发展的重要目标，氮化镓基芯片的未来发展也将沿着集成化的方向发展。”
马俊认为，集成化主要体现在两个方面。一是氮化镓器件家族将不断扩大，包括氮化镓互补型逻辑门技术和肖特基二极管等关键基础单元，将向着实用化方向不断完善，最终形成完整的氮化镓射频电子和电力电子集成电路解决方案；二是氮化镓与传统硅基材料和芯片的集成技术也将不断发展。根据不同的应用，通过异质集成、片上集成、封装集成等多种方法，选择并集成最适配的硅基和氮化镓基芯片，形成最佳性能与最优成本的集成电路解决方案。
我们期待，芯片制造业的版图将因第三代半导体驶入赛道而改变。https://t.cn/A6M7chvO
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