观察家发现，最近冯巩老师顶风冒雪给汽车除雪。本来，冯巩干得很辛苦，可是最后发现闹了乌龙。不过冯巩自我解嘲，用4个字形容自己。你们觉得他是不是很有乐观精神？
第一个问题：冯巩为什么亲自铲雪？
，冯巩老师虽然贵为国家著名相声表演艺术家，可是生活中他很接地气。这次下雪，冯巩没有助理陪伴，自己亲自去给汽车铲雪。
其实对于冯巩来说，这很正常，毕竟他从来不觉得自己是一个大明星。冯巩自己扫雪，干得大汗淋漓，可是在这个关键时刻，突然车主来了。这是怎么回事？
原来，冯巩老师光顾着扫雪，没有注意到，这并不是自己的汽车。车主来了以后，冯巩赶忙道歉，车主看到冯巩给自己扫雪了，自然也很感谢。
第二个问题：冯巩老师为什么如此接地气？
其实，冯巩和现在的小鲜肉很不一样，他这种老艺术家，很注意和网友互动，这才是真正的双箭头，不是那种高高在上的优越感。
就拿这次冯巩扫雪闹出乌龙事件来说，冯巩哈哈一笑，用4个字形容，那就是助人为乐。的确，冯巩这次弄错了，但是他善于自我解嘲，而且也的确是帮助了其他人。而且，冯巩这么大的艺术家，汽车还停在路边，没有专属停车位。而且他的汽车，也就是十几万的普通汽车，并不是上百万的高级轿车，所以才很容易认错。
对于冯巩老师来说，他可以把生活过成段子。因为他善于挖掘生活中的细节，而且根植于基因的幽默，也能让他保持快乐。
第一个问题：冯巩为什么亲自铲雪？
，冯巩老师虽然贵为国家著名相声表演艺术家，可是生活中他很接地气。这次下雪，冯巩没有助理陪伴，自己亲自去给汽车铲雪。
其实对于冯巩来说，这很正常，毕竟他从来不觉得自己是一个大明星。冯巩自己扫雪，干得大汗淋漓，可是在这个关键时刻，突然车主来了。这是怎么回事？
原来，冯巩老师光顾着扫雪，没有注意到，这并不是自己的汽车。车主来了以后，冯巩赶忙道歉，车主看到冯巩给自己扫雪了，自然也很感谢。
第二个问题：冯巩老师为什么如此接地气？
其实，冯巩和现在的小鲜肉很不一样，他这种老艺术家，很注意和网友互动，这才是真正的双箭头，不是那种高高在上的优越感。
就拿这次冯巩扫雪闹出乌龙事件来说，冯巩哈哈一笑，用4个字形容，那就是助人为乐。的确，冯巩这次弄错了，但是他善于自我解嘲，而且也的确是帮助了其他人。而且，冯巩这么大的艺术家，汽车还停在路边，没有专属停车位。而且他的汽车，也就是十几万的普通汽车，并不是上百万的高级轿车，所以才很容易认错。
对于冯巩老师来说，他可以把生活过成段子。因为他善于挖掘生活中的细节，而且根植于基因的幽默，也能让他保持快乐。
但是选用SiC器件，可能要面对中国产业链并不完善的窘境。尤其在芯片供应相对紧张的情况下，中国能否实现自主供应，是供应链安全成为首要考虑的因素。
某资深业内人士告诉《电动汽车观察家》，目前中国没有任何一家（包括比亚迪）、任何一片SiC芯片装到量产车上。在功率芯片方面，仍基本依赖进口。
其实不要说第三代材料的SiC器件，就是二代材料的Si-IGBT芯片，中国也需要大量依赖海外企业供应，目前能够生产的企业也就比亚迪、中车少数几家企业供应。
有数据显示，中国95%的中高端IGBT芯片主要依靠进口，日德等IGBT企业是我国进口IGBT芯片的主要来源，其中日本的三菱和富士电机以及德国英飞凌，几乎垄断了国内90%以上的IGBT高端市场。
阳光电源的研发人员在沟通中也表示，SiC芯片本身难度大，控制器开发也比硅基的难。“硅做了那么多年都有很多的积累，但碳化硅还没有。”
SiC器件价值链可分为衬底——外延——晶圆——器件。SiC衬底是SiC器件的主要成本和难点所在，所占的成本最高为50%。主要原因单晶生长缓慢且品质不够稳定，并且这也使得是SiC价格高，没有得到广泛的推广。
在SiC行业中，企业的运营模式主要可分为两类：第一类是覆盖较全的产业链环节，如同时从事SiC衬底、外延及器件的制作，包括科锐（Cree）、罗姆（Rohm）等。第二类是只从事产业链的单个或者部分环节：单晶衬底方面，例如新日铁住金、Norstel 等；外延片方面，例如DowCorning、II-VI等；器件/模块方面，例如意法半导体、安森美。总体而言，Cree 是全球SiC相关技术的龙头企业。
中国的SiC功率半导体相关厂商主要包括单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体、中电科等；外延片企业天域半导体、瀚天天成等；器件/模块企业中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子；设备企业北方华创、沈科仪等。
虽然这些企业都在布局，但是目前中国的SiC产品，仍然不能满足车规级市场的需求。
随着SiC产品的相关投资增长，例如华为战略投资山东天岳获 10%股权，北方华创向天岳批量供应 6 英寸单晶炉，产品缺陷控制情况较好；比亚迪也在进行SiC功率半导体相关技术研发等。或许有一天中国也能培养出满足车规级需求的SiC芯片企业。
原创 王凌方 电动汽车观察家
某资深业内人士告诉《电动汽车观察家》，目前中国没有任何一家（包括比亚迪）、任何一片SiC芯片装到量产车上。在功率芯片方面，仍基本依赖进口。
其实不要说第三代材料的SiC器件，就是二代材料的Si-IGBT芯片，中国也需要大量依赖海外企业供应，目前能够生产的企业也就比亚迪、中车少数几家企业供应。
有数据显示，中国95%的中高端IGBT芯片主要依靠进口，日德等IGBT企业是我国进口IGBT芯片的主要来源，其中日本的三菱和富士电机以及德国英飞凌，几乎垄断了国内90%以上的IGBT高端市场。
阳光电源的研发人员在沟通中也表示，SiC芯片本身难度大，控制器开发也比硅基的难。“硅做了那么多年都有很多的积累，但碳化硅还没有。”
SiC器件价值链可分为衬底——外延——晶圆——器件。SiC衬底是SiC器件的主要成本和难点所在，所占的成本最高为50%。主要原因单晶生长缓慢且品质不够稳定，并且这也使得是SiC价格高，没有得到广泛的推广。
在SiC行业中，企业的运营模式主要可分为两类：第一类是覆盖较全的产业链环节，如同时从事SiC衬底、外延及器件的制作，包括科锐（Cree）、罗姆（Rohm）等。第二类是只从事产业链的单个或者部分环节：单晶衬底方面，例如新日铁住金、Norstel 等；外延片方面，例如DowCorning、II-VI等；器件/模块方面，例如意法半导体、安森美。总体而言，Cree 是全球SiC相关技术的龙头企业。
中国的SiC功率半导体相关厂商主要包括单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体、中电科等；外延片企业天域半导体、瀚天天成等；器件/模块企业中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子；设备企业北方华创、沈科仪等。
虽然这些企业都在布局，但是目前中国的SiC产品，仍然不能满足车规级市场的需求。
随着SiC产品的相关投资增长，例如华为战略投资山东天岳获 10%股权，北方华创向天岳批量供应 6 英寸单晶炉，产品缺陷控制情况较好；比亚迪也在进行SiC功率半导体相关技术研发等。或许有一天中国也能培养出满足车规级需求的SiC芯片企业。
原创 王凌方 电动汽车观察家
在业内，提到800V平台，往往也会提起SiC-MOSFET。为何SiC会和800V紧密联系起来呢？
这就要从目前车上所用的功率器件特点分析。
电动汽车上的功率器件大致有三个选择，一是MOSFET、Si-IGBT，以及SiC-MOSFET。
MOSFET 主要应用于A00级车型，市场占有率较低，且未来有望被IGBT所取代。
业内一般常说的Si-IGBT是以Si为基体材料的功率元器件，SiC -MOSFET则是以SiC为基体材料的功率元器件。
（1）SiC -MOSFET优点多，但贵
SiC- MOSFET与Si-IGBT相比，前者耐压程度高、开关损耗低、效率高，但是价格也高。
简单来说，优点很多，就是贵。
在考虑使用 SiC带来的电池成本、磁材成本和其他成本的系统经济性后，根据中信证券测算，当电池容量达到75kWh时，使用SiC可在系统单位成本上获得正向经济性。
例如，为了效率，不怕贵的特斯拉，在400V电压平台上，全系车就都采用了SiC-MOSFET。
由此可见，SiC的使用和电压平台没有必然关联。
（2）SiC -MOSFET和800V
但SiC -MOSFET在高压系统下，优势明显。
在中国，800V平台中，才考虑采用SiC MOSFET，是因为原来400V平台适用的Si-IGBT不再适用。
在工作过程中，电机控制器会在直流母线电压基础上产生电压浮动。因此，在450V直流母线电压下，IGBT 模块承受的最大电压应在650V左右，若直流母线电压提升到800V以上，对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。之前适用于400V的Si-IGBT模块将不再适用。
因此，在800V平台上，如果还用Si-IGBT，则需要换成耐高压的；或者考虑采用SiC -MOSFET。
因为即使换成耐高压的 Si-IGBT，其在800V 高电压平台上仍然存在着损耗高、效率低、体积大的缺点。
有业内人士表示，800V平台上所用Si-IGBT要明显大于400V电压平台，这对本就紧张的车内空间布置带来更大的困难。
至此似乎SiC-MOSFET的优势更多一些。
那么最终要不要换，还要看一个叠加因素——成本。
据科锐（Cree）预测，电动汽车上的 SiC 逆变器能通过增加 5%-10%的续航节省400-800美元的电池成本（80kWh电池，102美元/kWh），与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200美元的单车成本下降；从整车成本看，当SiC器件成本下降至当前Si-IGBT成本的2倍时，应用SiC器件的整车成本应不高于搭载 Si-IGBT的整车成本。
刘明辉也认为，采用SiC器件是划算的，采用SiC后，相比Si-IGBT的效率提高了3%左右，但是续驶里程却可以提高5%左右。
简单点儿说，就是SiC器件带来的空间节省、续驶里程增加，和多支出的成本比，还是划算的。
在刘明辉看来，SiC器件之所以贵，是因为没有人用，需求量一旦拉升，价格就会大幅下降。
阳光电源总裁洪思明也有类似观点，他认为，当车辆电量达到60度电以上，使用SiC器件基本上能达到成本的平衡点。也就是说，率先采用高电压的中高端车型会率先搭载，中低端车型暂时还无法普及。“如果将电动汽车定位为一个高端大玩具，虽然SiC器件成本有所提升，但同时也提升了车辆加速和NVH等方面的性能。”
当然，再次强调，也可以不选SiC器件，在快充速率上不会有任何影响。
原创 王凌方 电动汽车观察家
这就要从目前车上所用的功率器件特点分析。
电动汽车上的功率器件大致有三个选择，一是MOSFET、Si-IGBT，以及SiC-MOSFET。
MOSFET 主要应用于A00级车型，市场占有率较低，且未来有望被IGBT所取代。
业内一般常说的Si-IGBT是以Si为基体材料的功率元器件，SiC -MOSFET则是以SiC为基体材料的功率元器件。
（1）SiC -MOSFET优点多，但贵
SiC- MOSFET与Si-IGBT相比，前者耐压程度高、开关损耗低、效率高，但是价格也高。
简单来说，优点很多，就是贵。
在考虑使用 SiC带来的电池成本、磁材成本和其他成本的系统经济性后，根据中信证券测算，当电池容量达到75kWh时，使用SiC可在系统单位成本上获得正向经济性。
例如，为了效率，不怕贵的特斯拉，在400V电压平台上，全系车就都采用了SiC-MOSFET。
由此可见，SiC的使用和电压平台没有必然关联。
（2）SiC -MOSFET和800V
但SiC -MOSFET在高压系统下，优势明显。
在中国，800V平台中，才考虑采用SiC MOSFET，是因为原来400V平台适用的Si-IGBT不再适用。
在工作过程中，电机控制器会在直流母线电压基础上产生电压浮动。因此，在450V直流母线电压下，IGBT 模块承受的最大电压应在650V左右，若直流母线电压提升到800V以上，对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。之前适用于400V的Si-IGBT模块将不再适用。
因此，在800V平台上，如果还用Si-IGBT，则需要换成耐高压的；或者考虑采用SiC -MOSFET。
因为即使换成耐高压的 Si-IGBT，其在800V 高电压平台上仍然存在着损耗高、效率低、体积大的缺点。
有业内人士表示，800V平台上所用Si-IGBT要明显大于400V电压平台，这对本就紧张的车内空间布置带来更大的困难。
至此似乎SiC-MOSFET的优势更多一些。
那么最终要不要换，还要看一个叠加因素——成本。
据科锐（Cree）预测，电动汽车上的 SiC 逆变器能通过增加 5%-10%的续航节省400-800美元的电池成本（80kWh电池，102美元/kWh），与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200美元的单车成本下降；从整车成本看，当SiC器件成本下降至当前Si-IGBT成本的2倍时，应用SiC器件的整车成本应不高于搭载 Si-IGBT的整车成本。
刘明辉也认为，采用SiC器件是划算的，采用SiC后，相比Si-IGBT的效率提高了3%左右，但是续驶里程却可以提高5%左右。
简单点儿说，就是SiC器件带来的空间节省、续驶里程增加，和多支出的成本比，还是划算的。
在刘明辉看来，SiC器件之所以贵，是因为没有人用，需求量一旦拉升，价格就会大幅下降。
阳光电源总裁洪思明也有类似观点，他认为，当车辆电量达到60度电以上，使用SiC器件基本上能达到成本的平衡点。也就是说，率先采用高电压的中高端车型会率先搭载，中低端车型暂时还无法普及。“如果将电动汽车定位为一个高端大玩具，虽然SiC器件成本有所提升，但同时也提升了车辆加速和NVH等方面的性能。”
当然，再次强调，也可以不选SiC器件，在快充速率上不会有任何影响。
原创 王凌方 电动汽车观察家
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