来自Nikon的Takashi Masuyuki作了题为《Lithographic solutions for 3D structured devices》介绍了他们用于3D器件的光刻解决方案,主要目标器件是 3D-NAND 和 CMOS 图像传感器,通过引入三维 (3D) 结构代替传统的平面结构,以实现更高的密度和功能。对于光刻机等需要高精度和高吞吐量的曝光系统来说,在 3D 结构晶圆上进行精确的套刻是一个巨大的挑战。尼康建议使用前馈系统对具有变形的晶圆进行高速、高密度和高精度测量,例如 3D-NAND 多堆叠晶圆上的 500 μm 或更大翘曲以及背面照明图像传感器的键合晶圆的 50 nm 至 200 nm 变形。Litho Booster 和 iAS(S635E 的在线对准系统)是唯一能够在不降低曝光系统生产率的情况下进行前馈测量的系统。
来自KLA的Xuemei Chen作了题为《EPE challenges, analytics, and predictive control
for advanced patterning》的报告,介绍了先进版图方案(advanced patterning schemes)包括多重图形和极紫外光刻,使得半导体器件尺寸不断缩小(从20nm节点到3nm节点以下)。随着图形技术的发展,边缘放置误差的概念已经从一种单掩模层光刻驱动的光学邻近效应修正(a single-mask-layer litho-driven OPC)扩展为综合的工艺性能度量,结合了多种参数、层和工艺步骤的变化和交互,这些变化和交互有助于减少最终器件结构在晶圆上的边缘放置误差。报告回顾了先进版图方案中的减少边缘放置误差挑战,并提出一套分析和控制解决方案来克服这些挑战。
for advanced patterning》的报告,介绍了先进版图方案(advanced patterning schemes)包括多重图形和极紫外光刻,使得半导体器件尺寸不断缩小(从20nm节点到3nm节点以下)。随着图形技术的发展,边缘放置误差的概念已经从一种单掩模层光刻驱动的光学邻近效应修正(a single-mask-layer litho-driven OPC)扩展为综合的工艺性能度量,结合了多种参数、层和工艺步骤的变化和交互,这些变化和交互有助于减少最终器件结构在晶圆上的边缘放置误差。报告回顾了先进版图方案中的减少边缘放置误差挑战,并提出一套分析和控制解决方案来克服这些挑战。
#宝宝的少女心# 今天去了町田国际版画美术馆,很棒的地方~是日本规模最大的几个版画专门美术馆之一,还有对外开放使用的版画工作室,设备齐全。很久以来都是因为艾雪而喜欢版画,这种金土相位般的精确性,工艺性,结构美;也很喜欢木版画的刀痕感,虽然知道自己是刻不动的[二哈]六年前做过一小幅lithography,小小地体验过这种间接作画方式带来的不确定性和意外惊喜。但是除了木版画其他版种没有设备都是没办法搞的,所以尽管喜欢我也并不能像画画那样想起来就弄一幅……#版画[超话]##版画#
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