下周预告！定制YFL碎花鱼尾半身裙
团·79不包反馈反5/id
https://t.cn/A64muaYy
这个裙型蛮好的，虽然我是大胯，感觉穿上也挺美~
裙子是一片一片很多片拼起来的，下摆好几个鱼尾，很漂亮，清新浪漫的碎花超适合春夏 ，A字裙身，n个裁片，裙摆很漂亮，做了半松紧腰的设计，可以搭配T恤衬衫，温柔清新的感觉～
黑色和红色面料不同，黑色是粗粗的雪纺纱，红色是光溜溜的，这个季节寒冷干燥地区会有一丝丝静电，等天儿热热就没了。
我身高160体重104 试穿S，咋说呢，我腰围70多有点紧。
喜欢的阔以拍了！
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这个裙型蛮好的，虽然我是大胯，感觉穿上也挺美~
裙子是一片一片很多片拼起来的，下摆好几个鱼尾，很漂亮，清新浪漫的碎花超适合春夏 ，A字裙身，n个裁片，裙摆很漂亮，做了半松紧腰的设计，可以搭配T恤衬衫，温柔清新的感觉～
黑色和红色面料不同，黑色是粗粗的雪纺纱，红色是光溜溜的，这个季节寒冷干燥地区会有一丝丝静电，等天儿热热就没了。
我身高160体重104 试穿S，咋说呢，我腰围70多有点紧。
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不知道该从哪里讲起，后端设计上的东西暂且不表，先说单元库和功耗的关系。
根据发哥的论文，由之前的那个图，我们可以清晰的明白待机功耗和频率以及单元库设计3者之间的关系。基本上在N5这个节点为了达到更高的频率，性能库必须用低阈值电压单元，频率越高需要的电压阈值单元就越低，但是这些单元越低，待机功耗就越高（leakage，半导体物理特性），就是这么尴尬。
首先引入一个名词VT：阈值电压 通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)
low Vt
由于阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
以上是相对粗陋且不是很直观定义的解释，其实就算不知道这些东西，依照发哥的论文给的图也能知道这些信息。
详细点解释：
阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。阈值电压Vt与漏电功耗和单元门延迟有如下关系:
阈值电压Vt越高的单元，它的漏电功耗越低，但门延迟越长，也就是速度慢；
阈值电压Vt越低的单元，它的漏电功耗越高，但门延迟越短，也就是速度快。
我们可以利用多阈值电压工艺库的这种特点，进行漏电功耗的优化，设计静态功耗低性能高的电路。
一般的设计中，一个时序路径组((timing path group)有多条时序路径，延迟最大的路径称为关键路径。根据多阈值电压单元的特点，为了满足时序的要求，关键路径中使用低阈值电压的单元(low Vt cells)，以减少单元门的延迟，改善路径的时序。而为了减少静态功耗，在非关键路径中使用高阈值电压的单元(high Vt cells)，以降低静态功耗。因此，使用多阈值电压的工艺库，我们可以设计出低静态功耗和高性能的设计。
举例说明ulvt：
uLVT是什么意思呢，UltraLowVoltageThreshold，指的是标准逻辑单元（StandardCell）用了超低电压阈值。电压低对于动态功耗当然是个好事，但是这个标准单元的漏电也很高，和频率是对数关系，也就是说，漏电每增加10倍，最高频率才增加log10%。后端可以给EDA工具设一个限制条件，比如只有不超过1%的需要冲频率的关键路径逻辑电路使用uLVT，其余都使用LVT，SVT或者HVT（电压依次升高，漏电减小），来减小总体漏电。对于动态功耗，后端还可以定制晶体管的源极和漏极的长度，越窄的电流越大，漏电越高，相应的，最高频率就可以冲的更高。所以我们有时候还能看到uLVTC16，LVTC24之类的参数，这里的C就是指ChannelLength。
由发哥的论文可知，x2大核基本上都是使用了ulvt和elvt单元库，所以漏电大是情有可原的，但是中核为了超频没有使用低漏电的lvt而是使用了ulvt-ll，这一方面虽然频率降下来了，但是又维持在相对高的水平，且漏电依然堪忧。
今天晚上就到这，我看了很多内容，但是主要还是单元库和leakage的内容，需要整合一下。
根据发哥的论文，由之前的那个图，我们可以清晰的明白待机功耗和频率以及单元库设计3者之间的关系。基本上在N5这个节点为了达到更高的频率，性能库必须用低阈值电压单元，频率越高需要的电压阈值单元就越低，但是这些单元越低，待机功耗就越高（leakage，半导体物理特性），就是这么尴尬。
首先引入一个名词VT：阈值电压 通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)
low Vt
由于阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；
以上是相对粗陋且不是很直观定义的解释，其实就算不知道这些东西，依照发哥的论文给的图也能知道这些信息。
详细点解释：
阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。阈值电压Vt与漏电功耗和单元门延迟有如下关系:
阈值电压Vt越高的单元，它的漏电功耗越低，但门延迟越长，也就是速度慢；
阈值电压Vt越低的单元，它的漏电功耗越高，但门延迟越短，也就是速度快。
我们可以利用多阈值电压工艺库的这种特点，进行漏电功耗的优化，设计静态功耗低性能高的电路。
一般的设计中，一个时序路径组((timing path group)有多条时序路径，延迟最大的路径称为关键路径。根据多阈值电压单元的特点，为了满足时序的要求，关键路径中使用低阈值电压的单元(low Vt cells)，以减少单元门的延迟，改善路径的时序。而为了减少静态功耗，在非关键路径中使用高阈值电压的单元(high Vt cells)，以降低静态功耗。因此，使用多阈值电压的工艺库，我们可以设计出低静态功耗和高性能的设计。
举例说明ulvt：
uLVT是什么意思呢，UltraLowVoltageThreshold，指的是标准逻辑单元（StandardCell）用了超低电压阈值。电压低对于动态功耗当然是个好事，但是这个标准单元的漏电也很高，和频率是对数关系，也就是说，漏电每增加10倍，最高频率才增加log10%。后端可以给EDA工具设一个限制条件，比如只有不超过1%的需要冲频率的关键路径逻辑电路使用uLVT，其余都使用LVT，SVT或者HVT（电压依次升高，漏电减小），来减小总体漏电。对于动态功耗，后端还可以定制晶体管的源极和漏极的长度，越窄的电流越大，漏电越高，相应的，最高频率就可以冲的更高。所以我们有时候还能看到uLVTC16，LVTC24之类的参数，这里的C就是指ChannelLength。
由发哥的论文可知，x2大核基本上都是使用了ulvt和elvt单元库，所以漏电大是情有可原的，但是中核为了超频没有使用低漏电的lvt而是使用了ulvt-ll，这一方面虽然频率降下来了，但是又维持在相对高的水平，且漏电依然堪忧。
今天晚上就到这，我看了很多内容，但是主要还是单元库和leakage的内容，需要整合一下。
#像搭积木一样合成3D小分子# 最“艰苦”的学科之一有机化学正变得简单。6年前，美国一个化学团队发明了一种合成系统平台，可自动构建多种有机分子，作为潜在的药物、燃料和香水的材料。但该系统能力有限，只能构建平面分子链或2D环状结构分子，不能组装成3D小分子，而后者正是许多药物和材料所需要的。
现在，3D小分子也可以了。该团队日前在《自然》上报告https://t.cn/A66fqZZT称，他们设计了新的系统平台，采用通用的化学反应来将模块化的分子组件装配成所需的目标有机分子，实现了14 种不同类别小分子的全自动合成。
研究人员使用超共轭和位阻调控的方式制备了一种新型的四甲基N—甲基亚氨基二乙酸（TIDA）硼酸酯，可以高效实现饱和sp3碳原子的自动迭代偶联组装。这个名为TIDA硼酸盐的偶联平台解开了缺失的3D空间，实现了基于“积木”的自动化合成。
作为案例，新系统平台自动合成了两种复杂的天然产物，一种称为碘霉素 C的抗生素和一种称为 sch725674的抗真菌化合物。二者都包含手性中心，这种手性中心是许多药物和有机化合物功能的关键。
除了包含更多功能之外，在对常见的交叉偶联反应和化学转化中，TIDA 硼酸盐偶联平台的稳定性比很多科学家正在使用的第一代偶联平台——N—甲基亚氨基二乙酸（MIDA）硼酸盐高 1000 倍。它们在水中也非常稳定，可以在更广泛的条件下简单合成更多种类的化学品。https://t.cn/A66fqZZY
现在，3D小分子也可以了。该团队日前在《自然》上报告https://t.cn/A66fqZZT称，他们设计了新的系统平台，采用通用的化学反应来将模块化的分子组件装配成所需的目标有机分子，实现了14 种不同类别小分子的全自动合成。
研究人员使用超共轭和位阻调控的方式制备了一种新型的四甲基N—甲基亚氨基二乙酸（TIDA）硼酸酯，可以高效实现饱和sp3碳原子的自动迭代偶联组装。这个名为TIDA硼酸盐的偶联平台解开了缺失的3D空间，实现了基于“积木”的自动化合成。
作为案例，新系统平台自动合成了两种复杂的天然产物，一种称为碘霉素 C的抗生素和一种称为 sch725674的抗真菌化合物。二者都包含手性中心，这种手性中心是许多药物和有机化合物功能的关键。
除了包含更多功能之外，在对常见的交叉偶联反应和化学转化中，TIDA 硼酸盐偶联平台的稳定性比很多科学家正在使用的第一代偶联平台——N—甲基亚氨基二乙酸（MIDA）硼酸盐高 1000 倍。它们在水中也非常稳定，可以在更广泛的条件下简单合成更多种类的化学品。https://t.cn/A66fqZZY
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