[原创] TI LMG3410R050 GaN功率放大级解决方案
TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩ GaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃以降低EMI,20ns传输时延用于MHz工作,25-100V/ns用户可调转换速率,具有强健的保护,不需要外接保护元件,主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动,不间断电源(UPS)以及高压电池充电器.本文介绍了LMG3410R050主要特性, 功能框图和应用电路,以及评估板LMG3410EVM-018和LMG34xx-BB-EVM主要特性和指标,电路图,材料清单和PCB设计图.
中电网 https://t.cn/EqmnbaJ
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【贸泽开售TI LMG3410R070 GaN功率级产品 支持新型电动机的高密度需求】专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化镓 (GaN) 功率级产品。LMG3410R070具有超低的输入和输出电容,支持高功率密度电动机应用的新要求,适合的应用包括工业级和消费级电源。此款高性能GaN功率级产品支持的电流、温度、电压和开关频率比硅晶体管更高,同时还可减少高达80%的开关损耗。https://t.cn/E48Rvod
LDMOS器件物理上已经遇到极限,这就是氮化镓器件进入市场的原因。
而基站应用需要更高的峰值功率、更宽的带宽以及更高的频率,这些因素都促成了基站接受氮化镓器件。
因为电压(GaN器件要在12V的时候才发挥最好效率)等原因,暂时没看到GaN PA在这方面的需求,未来还将继续看好砷化镓”。 https://t.cn/z8AmW9T
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