1.2.下班喽 耶耶～～
3.这个猫猫好乖跟一只小精灵一样
4.吴亦凡把姐的一寸照弄折了 ️️
5.猫猫咕噜咕噜的声音真的很治愈诶～
6.love you too w
7.妈啦 好像出去玩啊 等新冠滚出拆哪是不是我的旅游照也变成这样
8.9.那天早上吴亦凡说她肚子疼难受想吐一开始其实我以为她是起床气不想让我搞她 结构是真难受哈哈哈哈哈哈 而且人类的悲喜并不相通诶 因为那天早上画的妆很好看我就在拍照 她每次难受我好想都很开心的干自己的事情 我每次给她很认真的讲我怎么了怎么了tm她也是一笔带过 人类的悲喜并不相通[嘻嘻]
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用蚀刻法对金属陶瓷薄膜进行电阻修整
引言
二极管射频制备钽硅金属陶瓷薄膜的电学性能。研究了溅射和射频。用氩气对这些薄膜进行溅射蚀刻。 可以看出，当从钽面积比超过50%的靶溅射时，钽-二氧化硅金属陶瓷薄膜具有正的电阻温度系数。这些薄膜的电阻率约为500-700 pQ-cm。 对于该系统中的金属陶瓷薄膜，发现如果用射频进行溅射蚀刻，则可以以比通过化学蚀刻更高的精度进行电阻微调。功率为100瓦。通过设计成能够进行高频溅射，而且也能够进行溅射蚀刻的双极高频溅射装置，对干蚀刻进行了基础性研究决定利用一直以来研究的金属陶瓷( Ta - SiQ系)薄膜进行实验，与之前发表的阳极氧化微调进行比较研究。 结果得到了两三个基础性实验结果，特此报告
实验
金属陶瓷薄膜通过电阻加热真空蒸镀方式和溅射方式制作。 在笔者等人要制作的钽石英金属陶瓷中，被认为都是高熔点物质，最好采用溅射法，因此本实验中通过二极高频( RF.)溅射装置进行
制作了用于通过切割进行电阻微调的金属陶瓷薄膜试样。
图 1显示的是装置的框图。 这个装置是为了既可以用于溅射也可以用于蚀刻而制作的。 在图 1中，向靶电极施加高频电压，基板支架接地，处于可以溅射的状态。 图中的V.C .都是匹配电容器，RF .电源的最大输出功率为500 W，是可变的。 实际上，此次试料溅射时，利用直径10cm的靶，将二极间隔设定为4 cm，在RF .输入300 W下制作出了膜厚5，000-10，000 a的试料。 另外，纯钽试料制作使用直径10cm的钽板，金属陶瓷膜的制作如Fig. 2所示，在直径10cm的石英板上直径2cm
以及以适当的面积比排列1 cm的钽圆板作为目标。 用于靶材的钽板纯度为99.99%，厚度为0.2 mm。
基板使用的是将市售的普通折叠玻璃切成3cmx3cm大小的玻璃。 基板玻璃使用超声波洗净器，使用中性洗涤剂液、蒸馏水、异丙醇洗净后，在无尘干燥器中以100°C干燥。 在这些基板上，通过用钼板制作的掩模，通过RF .溅射成膜。 蒸镀膜的图案有膜厚测量用和电阻测量用2种，如图 3所示。 作为x 1〇"3 Torr的气压使之放电，进行了约30分钟的压力溅射。 虽然基板没有特别被电加热，但在溅射300 W、约30分钟后达到了约100°C。 用干涉仪重复测量了这样制作的金属陶瓷的膜厚。 溅射蚀刻是通过RF .电源连接在基板支架侧进行的。
调查了蚀刻引起的膜厚变化和与之对应的面积电阻的变化，显示了膜厚和电阻值直线变化的范围，即膜厚在10，000 a以上的实验结果。 考虑到蚀刻速度在RF .输入100 W下约为100 A/min，各组每100 A的电阻变化率提出了关于成功的事情。
每100 A的电阻的变化量”r与膜组成，即与Ta面积比St“之间AR=e~K^-的关系成立。 另外，已知该关系与蚀刻RF输入功率无关成立
讨论和总结
由以上蚀刻的实验结果可知，在利用RF .溅射蚀刻进行电阻微调时，对于粗略的微调，增大RF .输入，首先缩短微调时间，接着利用TOO W进行最终微调，则微调的精度会提高
如果用loow进行的话，1分钟内进行iooA的修整，也可以提高时间上的精度。 已知关于这些各组成的电阻值的微调精度在10%以下，利用St”为32~44 %的靶进行的膜电阻微调精度可以在5%以下。 这些值比笔者之前发表的阳极氧化微调的精度好，而且具有卜微调后不需要在大气中进行热处理等优#俄乌局势升级影响全球金融市场#
引言
二极管射频制备钽硅金属陶瓷薄膜的电学性能。研究了溅射和射频。用氩气对这些薄膜进行溅射蚀刻。 可以看出，当从钽面积比超过50%的靶溅射时，钽-二氧化硅金属陶瓷薄膜具有正的电阻温度系数。这些薄膜的电阻率约为500-700 pQ-cm。 对于该系统中的金属陶瓷薄膜，发现如果用射频进行溅射蚀刻，则可以以比通过化学蚀刻更高的精度进行电阻微调。功率为100瓦。通过设计成能够进行高频溅射，而且也能够进行溅射蚀刻的双极高频溅射装置，对干蚀刻进行了基础性研究决定利用一直以来研究的金属陶瓷( Ta - SiQ系)薄膜进行实验，与之前发表的阳极氧化微调进行比较研究。 结果得到了两三个基础性实验结果，特此报告
实验
金属陶瓷薄膜通过电阻加热真空蒸镀方式和溅射方式制作。 在笔者等人要制作的钽石英金属陶瓷中，被认为都是高熔点物质，最好采用溅射法，因此本实验中通过二极高频( RF.)溅射装置进行
制作了用于通过切割进行电阻微调的金属陶瓷薄膜试样。
图 1显示的是装置的框图。 这个装置是为了既可以用于溅射也可以用于蚀刻而制作的。 在图 1中，向靶电极施加高频电压，基板支架接地，处于可以溅射的状态。 图中的V.C .都是匹配电容器，RF .电源的最大输出功率为500 W，是可变的。 实际上，此次试料溅射时，利用直径10cm的靶，将二极间隔设定为4 cm，在RF .输入300 W下制作出了膜厚5，000-10，000 a的试料。 另外，纯钽试料制作使用直径10cm的钽板，金属陶瓷膜的制作如Fig. 2所示，在直径10cm的石英板上直径2cm
以及以适当的面积比排列1 cm的钽圆板作为目标。 用于靶材的钽板纯度为99.99%，厚度为0.2 mm。
基板使用的是将市售的普通折叠玻璃切成3cmx3cm大小的玻璃。 基板玻璃使用超声波洗净器，使用中性洗涤剂液、蒸馏水、异丙醇洗净后，在无尘干燥器中以100°C干燥。 在这些基板上，通过用钼板制作的掩模，通过RF .溅射成膜。 蒸镀膜的图案有膜厚测量用和电阻测量用2种，如图 3所示。 作为x 1〇"3 Torr的气压使之放电，进行了约30分钟的压力溅射。 虽然基板没有特别被电加热，但在溅射300 W、约30分钟后达到了约100°C。 用干涉仪重复测量了这样制作的金属陶瓷的膜厚。 溅射蚀刻是通过RF .电源连接在基板支架侧进行的。
调查了蚀刻引起的膜厚变化和与之对应的面积电阻的变化，显示了膜厚和电阻值直线变化的范围，即膜厚在10，000 a以上的实验结果。 考虑到蚀刻速度在RF .输入100 W下约为100 A/min，各组每100 A的电阻变化率提出了关于成功的事情。
每100 A的电阻的变化量”r与膜组成，即与Ta面积比St“之间AR=e~K^-的关系成立。 另外，已知该关系与蚀刻RF输入功率无关成立
讨论和总结
由以上蚀刻的实验结果可知，在利用RF .溅射蚀刻进行电阻微调时，对于粗略的微调，增大RF .输入，首先缩短微调时间，接着利用TOO W进行最终微调，则微调的精度会提高
如果用loow进行的话，1分钟内进行iooA的修整，也可以提高时间上的精度。 已知关于这些各组成的电阻值的微调精度在10%以下，利用St”为32~44 %的靶进行的膜电阻微调精度可以在5%以下。 这些值比笔者之前发表的阳极氧化微调的精度好，而且具有卜微调后不需要在大气中进行热处理等优#俄乌局势升级影响全球金融市场#
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