在业内，提到800V平台，往往也会提起SiC-MOSFET。为何SiC会和800V紧密联系起来呢？

这就要从目前车上所用的功率器件特点分析。

电动汽车上的功率器件大致有三个选择，一是MOSFET、Si-IGBT，以及SiC-MOSFET。

MOSFET 主要应用于A00级车型，市场占有率较低，且未来有望被IGBT所取代。

业内一般常说的Si-IGBT是以Si为基体材料的功率元器件，SiC -MOSFET则是以SiC为基体材料的功率元器件。

（1）SiC -MOSFET优点多，但贵

SiC- MOSFET与Si-IGBT相比，前者耐压程度高、开关损耗低、效率高，但是价格也高。

简单来说，优点很多，就是贵。

在考虑使用 SiC带来的电池成本、磁材成本和其他成本的系统经济性后，根据中信证券测算，当电池容量达到75kWh时，使用SiC可在系统单位成本上获得正向经济性。

例如，为了效率，不怕贵的特斯拉，在400V电压平台上，全系车就都采用了SiC-MOSFET。

由此可见，SiC的使用和电压平台没有必然关联。

（2）SiC -MOSFET和800V

但SiC -MOSFET在高压系统下，优势明显。

在中国，800V平台中，才考虑采用SiC MOSFET，是因为原来400V平台适用的Si-IGBT不再适用。

在工作过程中，电机控制器会在直流母线电压基础上产生电压浮动。因此，在450V直流母线电压下，IGBT 模块承受的最大电压应在650V左右，若直流母线电压提升到800V以上，对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。之前适用于400V的Si-IGBT模块将不再适用。

因此，在800V平台上，如果还用Si-IGBT，则需要换成耐高压的；或者考虑采用SiC -MOSFET。

因为即使换成耐高压的 Si-IGBT，其在800V 高电压平台上仍然存在着损耗高、效率低、体积大的缺点。

有业内人士表示，800V平台上所用Si-IGBT要明显大于400V电压平台，这对本就紧张的车内空间布置带来更大的困难。

至此似乎SiC-MOSFET的优势更多一些。

那么最终要不要换，还要看一个叠加因素——成本。

据科锐（Cree）预测，电动汽车上的 SiC 逆变器能通过增加 5%-10%的续航节省400-800美元的电池成本（80kWh电池，102美元/kWh），与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200美元的单车成本下降；从整车成本看，当SiC器件成本下降至当前Si-IGBT成本的2倍时，应用SiC器件的整车成本应不高于搭载 Si-IGBT的整车成本。

刘明辉也认为，采用SiC器件是划算的，采用SiC后，相比Si-IGBT的效率提高了3%左右，但是续驶里程却可以提高5%左右。

简单点儿说，就是SiC器件带来的空间节省、续驶里程增加，和多支出的成本比，还是划算的。

在刘明辉看来，SiC器件之所以贵，是因为没有人用，需求量一旦拉升，价格就会大幅下降。

阳光电源总裁洪思明也有类似观点，他认为，当车辆电量达到60度电以上，使用SiC器件基本上能达到成本的平衡点。也就是说，率先采用高电压的中高端车型会率先搭载，中低端车型暂时还无法普及。“如果将电动汽车定位为一个高端大玩具，虽然SiC器件成本有所提升，但同时也提升了车辆加速和NVH等方面的性能。”

当然，再次强调，也可以不选SiC器件，在快充速率上不会有任何影响。

原创 王凌方 电动汽车观察家

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