#书香云南#rjl #任嘉伦2022寄爱于书#
Day6
《半导体制造技术》读书笔记
第10章 氧化
1.氧化膜.
氧化膜的性质
氧化膜的用途：器件保护和隔离、表面钝化、栅氧电介质、掺杂阻挡、金属层间的介质层

2.热氧化生长.
各种要求下的氧化物厚度范围
关于氧化的化学反应：干氧氧化、湿氧氧化
氧化生长模式：二氧化硅-硅界面、氧化物生长速率、影响氧化物生长的因素、初始生长阶段、选择性氧化、二氧化硅的应力、氧化诱生堆垛层错

3.氧化设备与工艺
高温炉设备
卧式与立式炉
氧化工艺：氧化前的清洗、氧化工艺菜单
质量测量：氧化物厚度、栅氧化物完整性、氧化膜内的颗粒、氧化膜下的颗粒
氧化检查及故障排除

参考文献：
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:210-238

#书香云南#rjl #任嘉伦2022寄爱于书#
Day5
《半导体制造技术》读书笔记
第9章 集成电路制造工艺概况
1.CMOS工艺流程.
CMOS工艺流程中的主要制造步骤
硅片制造厂的分区概述

2.CMOS制作步骤.
双阱工艺：n阱的形成、p阱的形成
浅槽隔离工艺：STI槽刻蚀、STI氧化物填充、STI氧化层抛光-氮化物去除
多晶硅栅结构工艺：栅氧化层的生长、多晶硅淀积、第四层掩膜，多晶硅栅、多晶硅栅刻蚀
轻掺杂漏（LDD）工艺：n-轻掺杂漏注入、p-轻掺杂漏注入
侧墙的形成：淀积二氧化硅、二氧化硅反刻
源/漏（S/D）注入工艺：n+源/漏注入、p+源/漏注入
接触孔的形成
局部互连工艺：氮化硅化学气相淀积、掺杂氧化物的化学气相淀积、氧化层抛光（CMP）、第九层掩膜，局部互连刻蚀、金属钛淀积（PVD工艺)、氮化钛淀积、钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）、磨抛钨
通孔1和金属塞1的形成
金属1互连的形成
通孔2和金属塞2的形成
金属2互连的形成
制作金属3直到制作压点及合金
参数测试

参考文献：
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64187-209

#书香云南#rjl #任嘉伦2022寄爱于书#
Day4
《半导体制造技术》读书笔记
第4章 硅和硅片制备
1.半导体级硅.
高纯硅SGS
晶体结构（对比非晶材料）
晶胞
多晶和单晶结构
晶向单晶硅生长：CZ法、区熔法
硅中的晶体缺陷：点缺陷、位错、层错
外延层

2.硅片制备.
整型处理
切片
磨片和倒角
刻蚀
抛光：CMP、DSP
清洗
硅片评估
包装

3.质量测量
物理尺寸
平整度
微粗糙度
含氧量
具体缺陷
颗粒
体电阻率

参考文献：
[1]Quirk,M.,Serda,J.著;韩郑生等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2015.6:64-83