#王者荣耀[超话]#新英雄体验了一会儿，简单说一下：
集各射手所长，当然也有地方短，比如说射的距离，长按攻击会有一个类似艾琳一样的非指向性强化普攻，单次普攻伤害并不好，但射的快，不放技能基本不用松手[doge]
一技能是个加速，按普攻转方向会有一个漂移伤害，没有关羽马儿的停顿感，有点丝滑还挺好玩[喵喵]
二技能类似老刘备2技能，反向过墙薄一点的都可以穿过去[二哈]
大招龙卷风有点东西，但东西不多 具体看图[doge]
#王者新英雄戈娅##游亿点意思#
集各射手所长，当然也有地方短，比如说射的距离，长按攻击会有一个类似艾琳一样的非指向性强化普攻，单次普攻伤害并不好，但射的快，不放技能基本不用松手[doge]
一技能是个加速，按普攻转方向会有一个漂移伤害，没有关羽马儿的停顿感，有点丝滑还挺好玩[喵喵]
二技能类似老刘备2技能，反向过墙薄一点的都可以穿过去[二哈]
大招龙卷风有点东西，但东西不多 具体看图[doge]
#王者新英雄戈娅##游亿点意思#
五种压力传感器工作原理汇总
随着自动化技术的进步，在工业设备中，除了液柱式压力计、弹性式压力表外，目前更多的是采用可将压力转换成电信号的压力变送器和压力传感器。那么这些压力变送器和压力传感器是如何将压力信号转换为电信号的呢？不同的转换方式又有什么特点呢？今天为大家汇总了目前常见的几种压力传感器的测量原理，希望能对大家有所帮助。
一、压电压力传感器
压电式压力传感器主要基于压电效应（Piezoelectric effect），利用电气元件和其他机械把待测的压力转换成为电量，再进行相关测量工作的测量精密仪器，比如很多压力变送器和压力传感器。压电传感器不可以应用在静态的测量当中，原因是受到外力作用后的电荷，当回路有无限大的输入抗阻的时候，才可以得以保存下来。但是实际上并不是这样的。因此压电传感器只可以应用在动态的测量当中。它主要的压电材料是：磷酸二氢胺、酒石酸钾钠和石英。压电效应就是在石英上发现的。
当应力发生变化的时候，电场的变化很小很小，其他的一些压电晶体就会替代石英。酒石酸钾钠，它是具有很大的压电系数和压电灵敏度的，但是，它只可以使用在室内的湿度和温度都比较低的地方。磷酸二氢胺是一种人造晶体，它可以在很高的湿度和很高的温度的环境中使用，所以，它的应用是非常广泛的。随着技术的发展，压电效应也已经在多晶体上得到应用了。例如：压电陶瓷，铌镁酸压电陶瓷、铌酸盐系压电陶瓷和钛酸钡压电陶瓷等等都包括在内。
以压电效应为工作原理的传感器，是机电转换式和自发电式传感器。它的敏感元件是用压电的材料制作而成的，而当压电材料受到外力作用的时候，它的表面会形成电荷，电荷会通过电荷放大器、测量电路的放大以及变换阻抗以后，就会被转换成为与所受到的外力成正比关系的电量输出。它是用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量，例如：
加速度和压力。它有很多优点：重量较轻、工作可靠、结构很简单、信噪比很高、灵敏度很高以及信频宽等等。但是它也存在着某些缺点：有部分电压材料忌潮湿，因此需要采取一系列的防潮措施，而输出电流的响应又比较差，那就要使用电荷放大器或者高输入阻抗电路来弥补这个缺点，让仪器更好地工作。
二、压阻压力传感器
压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistive effect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于上述压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。
大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。
压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿，即产生了输入电压成线性对应关系的4～20mA的标准输出信号。
为减小温度变化对芯体电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器都采用温度补偿措施使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。
三、电容式压力传感器
电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。
单电容式压力传感器由圆形薄膜与固定电极构成。薄膜在压力的作用下变形，从而改变电容器的容量，其灵敏度大致与薄膜的面积和压力成正比而与薄膜的张力和薄膜到固定电极的距离成反比。另一种型式的固定电极取凹形球面状，膜片为周边固定的张紧平面，膜片可用塑料镀金属层的方法制成。这种型式适于测量低压，并有较高过载能力。还可以采用带活塞动极膜片制成测量高压的单电容式压力传感器。这种型式可减小膜片的直接受压面积，以便采用较薄的膜片提高灵敏度。它还与各种补偿和保护部以及放大电路整体封装在一起，以便提高抗干扰能力。这种传感器适于测量动态高压和对飞行器进行遥测。单电容式压力传感器还有传声器式（即话筒式）和听诊器式等型式。
差动电容式压力传感器的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。过载时膜片受到凹面的保护而不致破裂。差动电容式压力传感器比单电容式的灵敏度高、线性度好，但加工较困难（特别是难以保证对称性），而且不能实现对被测气体或液体的隔离，因此不宜于工作在有腐蚀性或杂质的流体中。
四、电磁压力传感器
多种利用电磁原理的传感器统称，主要包括电感压力传感器、霍尔压力传感器、电涡流压力传感器等。
电感压力传感器
电感式压力传感器的工作原理是由于磁性材料和磁导率不同，当压力作用于膜片时，气隙大小发生改变，气隙的改变影响线圈电感的变化，处理电路可以把这个电感的变化转化成相应的信号输出，从而达到测量压力的目的。该种压力传感器按磁路变化可以分为两种：变磁阻和变磁导。电感式压力传感器的优点在于灵敏度高、测量范围大；缺点就是不能应用于高频动态环境。
变磁阻式压力传感器主要部件是铁芯跟膜片。它们跟之间的气隙形成了一个磁路。当有压力作用时，气隙大小改变，即磁阻发生了变化。如果在铁芯线圈上加一定的电压，电流会随着气隙的变化而变化，从而测出压力。
在磁通密度高的场合，铁磁材料的导磁率不稳定，这种情况下可以采用变磁导式压力传感器测量。变磁导式压力传感器用一个可移动的磁性元件代替铁芯，压力的变化导致磁性元件的移动，从而磁导率发生改变，由此得出压力值。
霍尔压力传感器
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。
电涡流压力传感器
基于电涡流效应的压力传感器。电涡流效应是由一个移动的磁场与金属导体相交，或是由移动的金属导体与磁场垂直交会所产生。简而言之，就是电磁感应效应所造成。这个动作产生了一个在导体内循环的电流。
电涡流特性使电涡流检测具有零频率响应等特性，因此电涡流压力传感器可用于静态力的检测。
五、振弦式压力传感器
振弦式压力传感器属于频率敏感型传感器，这种频率测量具有想当高的准确度，因为时间和频率是能准确测量的物理量参数，而且频率信号在传输过程中可以忽略电缆的电阻、电感、电容等因素的影响。同时，振弦式压力传感器还具有较强的抗干扰能力，零点漂移小、温度特性好、结构简单、分辨率高、性能稳定，便于数据传输、处理和存储，容易实现仪表数字化，所以振弦式压力传感器也可以作为传感技术发展的方向之一。
振弦式压力传感器的敏感元件是拉紧的钢弦，敏感元件的固有频率与拉紧力的大小有关。弦的长度是固定的，弦的振动频率变化量可用来测算拉力的大小，即输入是力信号，输出的是频率信号。振弦式压力传感器分为上下两个部分组成，下部构件主要是敏感元件组合体。上部构件是铝壳，包含一个电子模块和一个接线端子，分成两个小室放置，这样在接线时就不会影响电子模块室的密封性。
振弦式压力传感器可以选择电流输出型和频率输出型。振弦式压力传感器在运作式，振弦以其谐振频率不停振动，当测量的压力发生变化时，频率会产生变化，这种频率信号经过转换器可以转换为4~20mA的电流信号。
随着自动化技术的进步，在工业设备中，除了液柱式压力计、弹性式压力表外，目前更多的是采用可将压力转换成电信号的压力变送器和压力传感器。那么这些压力变送器和压力传感器是如何将压力信号转换为电信号的呢？不同的转换方式又有什么特点呢？今天为大家汇总了目前常见的几种压力传感器的测量原理，希望能对大家有所帮助。
一、压电压力传感器
压电式压力传感器主要基于压电效应（Piezoelectric effect），利用电气元件和其他机械把待测的压力转换成为电量，再进行相关测量工作的测量精密仪器，比如很多压力变送器和压力传感器。压电传感器不可以应用在静态的测量当中，原因是受到外力作用后的电荷，当回路有无限大的输入抗阻的时候，才可以得以保存下来。但是实际上并不是这样的。因此压电传感器只可以应用在动态的测量当中。它主要的压电材料是：磷酸二氢胺、酒石酸钾钠和石英。压电效应就是在石英上发现的。
当应力发生变化的时候，电场的变化很小很小，其他的一些压电晶体就会替代石英。酒石酸钾钠，它是具有很大的压电系数和压电灵敏度的，但是，它只可以使用在室内的湿度和温度都比较低的地方。磷酸二氢胺是一种人造晶体，它可以在很高的湿度和很高的温度的环境中使用，所以，它的应用是非常广泛的。随着技术的发展，压电效应也已经在多晶体上得到应用了。例如：压电陶瓷，铌镁酸压电陶瓷、铌酸盐系压电陶瓷和钛酸钡压电陶瓷等等都包括在内。
以压电效应为工作原理的传感器，是机电转换式和自发电式传感器。它的敏感元件是用压电的材料制作而成的，而当压电材料受到外力作用的时候，它的表面会形成电荷，电荷会通过电荷放大器、测量电路的放大以及变换阻抗以后，就会被转换成为与所受到的外力成正比关系的电量输出。它是用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量，例如：
加速度和压力。它有很多优点：重量较轻、工作可靠、结构很简单、信噪比很高、灵敏度很高以及信频宽等等。但是它也存在着某些缺点：有部分电压材料忌潮湿，因此需要采取一系列的防潮措施，而输出电流的响应又比较差，那就要使用电荷放大器或者高输入阻抗电路来弥补这个缺点，让仪器更好地工作。
二、压阻压力传感器
压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistive effect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于上述压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。
大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。
压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿，即产生了输入电压成线性对应关系的4～20mA的标准输出信号。
为减小温度变化对芯体电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器都采用温度补偿措施使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。
三、电容式压力传感器
电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。
单电容式压力传感器由圆形薄膜与固定电极构成。薄膜在压力的作用下变形，从而改变电容器的容量，其灵敏度大致与薄膜的面积和压力成正比而与薄膜的张力和薄膜到固定电极的距离成反比。另一种型式的固定电极取凹形球面状，膜片为周边固定的张紧平面，膜片可用塑料镀金属层的方法制成。这种型式适于测量低压，并有较高过载能力。还可以采用带活塞动极膜片制成测量高压的单电容式压力传感器。这种型式可减小膜片的直接受压面积，以便采用较薄的膜片提高灵敏度。它还与各种补偿和保护部以及放大电路整体封装在一起，以便提高抗干扰能力。这种传感器适于测量动态高压和对飞行器进行遥测。单电容式压力传感器还有传声器式（即话筒式）和听诊器式等型式。
差动电容式压力传感器的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。过载时膜片受到凹面的保护而不致破裂。差动电容式压力传感器比单电容式的灵敏度高、线性度好，但加工较困难（特别是难以保证对称性），而且不能实现对被测气体或液体的隔离，因此不宜于工作在有腐蚀性或杂质的流体中。
四、电磁压力传感器
多种利用电磁原理的传感器统称，主要包括电感压力传感器、霍尔压力传感器、电涡流压力传感器等。
电感压力传感器
电感式压力传感器的工作原理是由于磁性材料和磁导率不同，当压力作用于膜片时，气隙大小发生改变，气隙的改变影响线圈电感的变化，处理电路可以把这个电感的变化转化成相应的信号输出，从而达到测量压力的目的。该种压力传感器按磁路变化可以分为两种：变磁阻和变磁导。电感式压力传感器的优点在于灵敏度高、测量范围大；缺点就是不能应用于高频动态环境。
变磁阻式压力传感器主要部件是铁芯跟膜片。它们跟之间的气隙形成了一个磁路。当有压力作用时，气隙大小改变，即磁阻发生了变化。如果在铁芯线圈上加一定的电压，电流会随着气隙的变化而变化，从而测出压力。
在磁通密度高的场合，铁磁材料的导磁率不稳定，这种情况下可以采用变磁导式压力传感器测量。变磁导式压力传感器用一个可移动的磁性元件代替铁芯，压力的变化导致磁性元件的移动，从而磁导率发生改变，由此得出压力值。
霍尔压力传感器
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。
电涡流压力传感器
基于电涡流效应的压力传感器。电涡流效应是由一个移动的磁场与金属导体相交，或是由移动的金属导体与磁场垂直交会所产生。简而言之，就是电磁感应效应所造成。这个动作产生了一个在导体内循环的电流。
电涡流特性使电涡流检测具有零频率响应等特性，因此电涡流压力传感器可用于静态力的检测。
五、振弦式压力传感器
振弦式压力传感器属于频率敏感型传感器，这种频率测量具有想当高的准确度，因为时间和频率是能准确测量的物理量参数，而且频率信号在传输过程中可以忽略电缆的电阻、电感、电容等因素的影响。同时，振弦式压力传感器还具有较强的抗干扰能力，零点漂移小、温度特性好、结构简单、分辨率高、性能稳定，便于数据传输、处理和存储，容易实现仪表数字化，所以振弦式压力传感器也可以作为传感技术发展的方向之一。
振弦式压力传感器的敏感元件是拉紧的钢弦，敏感元件的固有频率与拉紧力的大小有关。弦的长度是固定的，弦的振动频率变化量可用来测算拉力的大小，即输入是力信号，输出的是频率信号。振弦式压力传感器分为上下两个部分组成，下部构件主要是敏感元件组合体。上部构件是铝壳，包含一个电子模块和一个接线端子，分成两个小室放置，这样在接线时就不会影响电子模块室的密封性。
振弦式压力传感器可以选择电流输出型和频率输出型。振弦式压力传感器在运作式，振弦以其谐振频率不停振动，当测量的压力发生变化时，频率会产生变化，这种频率信号经过转换器可以转换为4~20mA的电流信号。
科学猜想文集
(349) 当阳大峡谷与构造运动
重庆市巫山县当阳大峡谷的入口处，两侧耸立着两座山峰，由于两座山峰合并起来形如一个完整的船型，当地称之为船型山，或者称为半船型山。从两座山峰看，船型山是个整体，为什么只有两座山峰各一半个船型呢？西南大学地理科学学院教授徐刚等人经过数日科考，证明此山为典型的向斜构造，由于中间部份受到断带构造作用，经自然风化、剥蚀、深切为峡谷，故形成了两座半船型山。那么，问题来了，向斜构造为什么会形成巨大山体，中间部分为什么能剥蚀深切为峡谷？
地层相互挤压形成地质层弯曲叫褶曲，地质层向上隆起的弯曲称之为背斜，向下弯曲的地层称之为向斜，一组连续的向斜与背斜构造称之为褶皱。向上弯曲形成的褶皱称之为背斜构造，而向下弯曲的部份称之为向斜构造，褶皱运动往往表现为连续的波浪形状。从力的作用方向而言，由于移动地层本身就具有一定的厚度与密度，地壳层下面的地质体质量较大，形成岩石圈层托底，不同地区形成的褶皱规模也不太一样，地壳层较厚形成的褶皱规模大，反之，地层越薄形成的褶皱运动规模较小。地壳层较薄的相互挤压运动更容易形成地层向上隆起，形成直立褶皱、斜立褶皱、倒转褶皱等，而不会向下拗陷形成向斜构造。向斜构造的形成是与地壳层的厚度、质量与密度有着密切关系。
当阳大峡谷为南北走向，是典型的板块西向漂移形成的断裂带，如果当阳大峡谷为纵向分布，那么，当阳大峡谷口的船型山就为横向构造运动形成的向斜构造，即为东西走向，这一走向证明船型山形成的年代早于当阳大峡谷的断裂年代，是典型的板块北向漂移与西向漂移的地理结构。船型山的形成证明地壳层厚度较厚，而质量相对较低，使地壳层具有很强的塑性，形成背斜的消失与向斜构造的隆起。船型山的形成还是地壳层整体抬升的结果，地质体整体抬升构成地壳层质量的下降，加速了背斜构造的消失。
岩层质量低塑性大、刚性小，形成背斜与向斜构造运动的连续发生。地层向上隆起，质量得到松懈性释放，背斜构造往往剥蚀为低谷。向斜构造在地壳层相互挤压的过程中质量得到加强，往往形成 “隆起” 地貌。地壳层质量大，其钢性与脆性也大，往往形成断带，断带被剥蚀深切，形成峡谷，当阳大峡谷就属于此类型的构造运动。
当阳大峡谷呈南北走势，依据板块北向漂移发生在前，西向漂移发生在后，证明当阳大峡谷形成于地壳层西向漂移的地史时期，大约开始于距今260万年之后，由于东西走向的褶皱运动早于当阳大峡谷形成之前，褶皱向下凹陷成向斜构造形成山岭。以当阳大峡谷口的船型山为中心，地质层由中心的新地质层向外逐渐老的地质层展开。由于下层地质体质量过大，加上西向漂移的力度较大及板块推力不均衡，形成向斜构造的断带现象。从当阳大峡谷口的新老地层比较上看，中心的新地层主要形成于新生代当阳地区继续沉积，形成新的地层，并完成北向漂移的褶皱。大约在距今260万年时开始了真正意义上的板块西向漂移，当阳地区的褶皱出现断带，为当阳大峡谷形成波浪式的山峦创造了条件。所以，你在
当阳峡谷的底部能从剖面上看到自上而下与横向上的新老地层的层序结构。
当阳大峡谷总长约50公里，由平河大峡谷、当阳里河大峡谷、葱坪高山湿地三部份组成，这就证明在当阳大峡谷形成之前，当阳地区已经发生过了连续三段的纬向褶皱运动，从而形成大峡谷三段不同的地貌。从地史上看，新生代之前当阳地区已经形成纬向褶皱，第三纪继续沉积形成新地层，第四纪出现西向漂移，完成大峡谷的形成。如果第三纪沉积过程成立，阳大峡谷的两侧应该能找到相应的沉积层。
无任当阳大峡谷是形成于低海拔或者高海拔，在地壳层增长的过程中都会形层不同层面不同区域间地层质量的不均一，错层运动、错位运动是应力不均等构成断层与断带的原因，也是在高原上再次形成向斜与背斜的重要因素。当阳大峡谷为南北走向，并形成侵蚀深切现象，向斜构造是当阳大峡谷地质层质量增强的体现，所以，在断带上形成深切现象。当阳大峡谷在高原上能形成向斜构造，还因为上层主要由沉积岩层或低质量的岩石层组成，沉积岩体密度相对较低质量较小，再加上地壳层的抬升造成重力的下降，更容易被侵蚀所至。
地质层相对的低质量在相互挤压过程中容易形成隆起与拗陷，地质层弯曲的过程是相互挤压变形过程，当处在褶曲上端与下端的地层质量较小时是容易形成弯曲，构成运动地质体再一次向上隆起或向下弯曲。在地质体上升到一定高度时，运动地质体质量较低的那一段又会出现弯曲，从而形成向斜构造与背斜构造的连续结构，是高海拔与低海拔同时存在的构造运动现象。
褶皱是岩层在构造运动中所产生的一系列波状弯曲，是一种未丧失岩层连续性的塑性变形。由于背斜构造弯曲的质量相对较低，又暴露在外，形成风化剥蚀力度相对较大。向斜构造形成时的质量虽然也比较低，但由于运动地质体的相互挤压而使向斜构造的弯曲质量大大增强，形成向斜构造弯曲不易被剥蚀现象。
从向斜构造的形成与断层的相互关系上看，地质层的质量在不断的增强过程中，是形成岩石圈层的重要因素。当岩石圈的密度达到一定水平时，岩石圈不会随着板块运动而弯曲，只会形成更多的断带或者断层，这就是断带与向斜之间的关系。从地史越早褶皱越多，地史越晚断带越多的现象判断，地史年代越早，地壳层的质量越小，同时证明地壳层越薄，分布均匀的现象比较突出。有人对更早发生的地槽会说：地槽运动不就是断带吗？地槽构造真不是断带，地槽运动是地幔体在宽度上所作的垂直运动，不是地壳层张力的结果，这是地球构造运动发生的先后顺序，当阳大峡谷的形成就是一个很好的例证。
(349) 当阳大峡谷与构造运动
重庆市巫山县当阳大峡谷的入口处，两侧耸立着两座山峰，由于两座山峰合并起来形如一个完整的船型，当地称之为船型山，或者称为半船型山。从两座山峰看，船型山是个整体，为什么只有两座山峰各一半个船型呢？西南大学地理科学学院教授徐刚等人经过数日科考，证明此山为典型的向斜构造，由于中间部份受到断带构造作用，经自然风化、剥蚀、深切为峡谷，故形成了两座半船型山。那么，问题来了，向斜构造为什么会形成巨大山体，中间部分为什么能剥蚀深切为峡谷？
地层相互挤压形成地质层弯曲叫褶曲，地质层向上隆起的弯曲称之为背斜，向下弯曲的地层称之为向斜，一组连续的向斜与背斜构造称之为褶皱。向上弯曲形成的褶皱称之为背斜构造，而向下弯曲的部份称之为向斜构造，褶皱运动往往表现为连续的波浪形状。从力的作用方向而言，由于移动地层本身就具有一定的厚度与密度，地壳层下面的地质体质量较大，形成岩石圈层托底，不同地区形成的褶皱规模也不太一样，地壳层较厚形成的褶皱规模大，反之，地层越薄形成的褶皱运动规模较小。地壳层较薄的相互挤压运动更容易形成地层向上隆起，形成直立褶皱、斜立褶皱、倒转褶皱等，而不会向下拗陷形成向斜构造。向斜构造的形成是与地壳层的厚度、质量与密度有着密切关系。
当阳大峡谷为南北走向，是典型的板块西向漂移形成的断裂带，如果当阳大峡谷为纵向分布，那么，当阳大峡谷口的船型山就为横向构造运动形成的向斜构造，即为东西走向，这一走向证明船型山形成的年代早于当阳大峡谷的断裂年代，是典型的板块北向漂移与西向漂移的地理结构。船型山的形成证明地壳层厚度较厚，而质量相对较低，使地壳层具有很强的塑性，形成背斜的消失与向斜构造的隆起。船型山的形成还是地壳层整体抬升的结果，地质体整体抬升构成地壳层质量的下降，加速了背斜构造的消失。
岩层质量低塑性大、刚性小，形成背斜与向斜构造运动的连续发生。地层向上隆起，质量得到松懈性释放，背斜构造往往剥蚀为低谷。向斜构造在地壳层相互挤压的过程中质量得到加强，往往形成 “隆起” 地貌。地壳层质量大，其钢性与脆性也大，往往形成断带，断带被剥蚀深切，形成峡谷，当阳大峡谷就属于此类型的构造运动。
当阳大峡谷呈南北走势，依据板块北向漂移发生在前，西向漂移发生在后，证明当阳大峡谷形成于地壳层西向漂移的地史时期，大约开始于距今260万年之后，由于东西走向的褶皱运动早于当阳大峡谷形成之前，褶皱向下凹陷成向斜构造形成山岭。以当阳大峡谷口的船型山为中心，地质层由中心的新地质层向外逐渐老的地质层展开。由于下层地质体质量过大，加上西向漂移的力度较大及板块推力不均衡，形成向斜构造的断带现象。从当阳大峡谷口的新老地层比较上看，中心的新地层主要形成于新生代当阳地区继续沉积，形成新的地层，并完成北向漂移的褶皱。大约在距今260万年时开始了真正意义上的板块西向漂移，当阳地区的褶皱出现断带，为当阳大峡谷形成波浪式的山峦创造了条件。所以，你在
当阳峡谷的底部能从剖面上看到自上而下与横向上的新老地层的层序结构。
当阳大峡谷总长约50公里，由平河大峡谷、当阳里河大峡谷、葱坪高山湿地三部份组成，这就证明在当阳大峡谷形成之前，当阳地区已经发生过了连续三段的纬向褶皱运动，从而形成大峡谷三段不同的地貌。从地史上看，新生代之前当阳地区已经形成纬向褶皱，第三纪继续沉积形成新地层，第四纪出现西向漂移，完成大峡谷的形成。如果第三纪沉积过程成立，阳大峡谷的两侧应该能找到相应的沉积层。
无任当阳大峡谷是形成于低海拔或者高海拔，在地壳层增长的过程中都会形层不同层面不同区域间地层质量的不均一，错层运动、错位运动是应力不均等构成断层与断带的原因，也是在高原上再次形成向斜与背斜的重要因素。当阳大峡谷为南北走向，并形成侵蚀深切现象，向斜构造是当阳大峡谷地质层质量增强的体现，所以，在断带上形成深切现象。当阳大峡谷在高原上能形成向斜构造，还因为上层主要由沉积岩层或低质量的岩石层组成，沉积岩体密度相对较低质量较小，再加上地壳层的抬升造成重力的下降，更容易被侵蚀所至。
地质层相对的低质量在相互挤压过程中容易形成隆起与拗陷，地质层弯曲的过程是相互挤压变形过程，当处在褶曲上端与下端的地层质量较小时是容易形成弯曲，构成运动地质体再一次向上隆起或向下弯曲。在地质体上升到一定高度时，运动地质体质量较低的那一段又会出现弯曲，从而形成向斜构造与背斜构造的连续结构，是高海拔与低海拔同时存在的构造运动现象。
褶皱是岩层在构造运动中所产生的一系列波状弯曲，是一种未丧失岩层连续性的塑性变形。由于背斜构造弯曲的质量相对较低，又暴露在外，形成风化剥蚀力度相对较大。向斜构造形成时的质量虽然也比较低，但由于运动地质体的相互挤压而使向斜构造的弯曲质量大大增强，形成向斜构造弯曲不易被剥蚀现象。
从向斜构造的形成与断层的相互关系上看，地质层的质量在不断的增强过程中，是形成岩石圈层的重要因素。当岩石圈的密度达到一定水平时，岩石圈不会随着板块运动而弯曲，只会形成更多的断带或者断层，这就是断带与向斜之间的关系。从地史越早褶皱越多，地史越晚断带越多的现象判断，地史年代越早，地壳层的质量越小，同时证明地壳层越薄，分布均匀的现象比较突出。有人对更早发生的地槽会说：地槽运动不就是断带吗？地槽构造真不是断带，地槽运动是地幔体在宽度上所作的垂直运动，不是地壳层张力的结果，这是地球构造运动发生的先后顺序，当阳大峡谷的形成就是一个很好的例证。
✋热门推荐