#这些儿女老年人吸烟有害身心健康对其不闻不问放任在电梯间吸烟希望用老年人身心健康讹骗钱这些之儿女真不孝#郑州老人电梯吸烟被劝阻后猝死,家属索赔40万,法院判决赢来赞许“抽烟有害健康”,这是一句世人皆知的标语,甚至每一支香烟的包装盒上都会标注。但依旧制止不了人们抽烟,因为至今为止没有谁因为抽了两根烟立刻死亡的先例,所以人们对这句话且听且行。直到郑州一位69岁的老人,在抽了一根烟后死亡,引发了人们对于吸烟的讨论。但讨论的重点依旧不是抽烟的危害,而是在公共场合遇到吸烟的人,是否应该及时劝阻。2017年5月2日,河南郑州市金水区天骄华庭小区,业主杨帆坐电梯下楼取快递。正当电梯门快要关闭时,忽然一只手伸出来拦住了即将关门的电梯,是一位60多岁的老大爷。大爷进了电梯后,按下了楼层按钮,随后自顾自地掏出一包香烟。彼时的杨帆面对着大爷,看到大爷掏烟点火的动作,片刻间就传来一阵浓郁的烟味。杨帆皱起了眉头,他是一名医生,对香烟的味道非常敏感,同时也认为在狭窄的电梯里抽烟,容易影响到其他人。于是杨帆劝说老人别抽了,电梯空间小,如果有小孩和孕妇影响不好。老人却充耳不闻,依旧自顾自地抽烟,杨帆看到老人的态度后,依旧还是要求老人灭烟。可老人却开始争辩起来,称电梯里既没有小孩也没有孕妇,自己抽根烟又不犯法,关他什么事。短短的几分钟里,两人针对是否该在公共场合抽烟,以及遇到此类情况是否该劝阻展开了争论。争论一直持续到两人走出电梯,来到大门外,全程杨帆比较平静,反而是老人越说越激动。物业得知后立刻上前劝阻,杨帆被劝离而老人则被物业带到办公室劝说。可让杨帆没想到的是,自己前脚刚离开,老人就因为情绪激烈引发心脏病倒地不起。当救护车赶到后,老人已经丧失了意识,即使经过抢救还是不幸去世。随着老人突发心脏病去世,杨帆也被卷入了一场官司中。老人的家属认为,老人是和杨帆发生争吵后去世的,因此杨帆要为老人的死负责。可杨帆却认为,自己劝阻抽烟并无过错,且事先也不知道老人患有心脏病,因此自己无责。最后双方决定走法律程序,让法院来宣判最后的结果。从事发,到法院二审宣判,这段时间杨帆一共经历了267天,他有过焦虑有过惶恐,甚至为了照顾家人,还特意辞职。为的就是调整好心态,面对庭审,争取还自己一个清白。杨帆虽然定居在郑州,但他其实是周口人,父母都是老实的农民,其本身也只是中专毕业。不过他有一颗上进心,中专毕业后继续读书,考上了大专,又拿到了“助理医师资格证”,成为了郑州市某医院的助理医生。多亏了这份工作,让他在2015年贷款买了房子,眼看一家人的生活就要慢慢变好,却突然发生了这样一件纠纷。老人的家属执意要让杨帆负责,赔偿40万元的损失。但杨帆夫妻俩的工资满打满算也不过一万多,每个月还要还5000元的贷款,不可能负担得起。同时他自己也坚定地认为,自己的行为没有错,不应该为老人的死负责。2017年9月4日,郑州市金水区法院作出了一审判决,杨帆与老人之死没有直接的因果关系,不构成侵权,但按照《侵权责任法》的规定,老人也没有过错行为,因此可以根据实际情况,由双方分担损失。我国《侵权责任法》是为保护民事主体的合法权益,明确侵权责任,预防并制裁侵权行为,促进社会和谐稳定,而制定的法律。在这起纠纷中,杨帆应分担的损失较小,最后法院判他向死者家属补偿1.5万元。杨帆虽然认为自己无责,但是他也对老人死感到悲痛,因此愿意出这一笔钱。反而是老人的家属不同意,当庭表示不服要求继续上诉。2018年1月23日,郑州市中级人民法院接受审理了这起纠纷,并且当庭作出判决。杨帆的劝阻未超出必要限度,属正当劝阻行为,且在劝阻过程中保持理性、平和,双方未发生肢体冲突和拉扯行为。且杨帆的劝阻本身不会对老人造成死亡结果,没有侵犯老人权利,因此履行《侵权责任法》中双方分担损失的规定,最终法院改判杨帆连一审判决赔偿的1.5万元都不需要出,如此结果,显然让许多人大吃一惊,原本以为法院会兼顾双方家庭,让杨帆赔偿一笔损失,毕竟老人死亡这一结果是事实存在的。但法院从法律条文和理论事实出发,不偏袒任何一方,做出了最公正的判决,赢得了人们的赞许。这样的结果,让老人的家属不能接受,但他们也只能哑巴吃黄连,有苦说不出。毕竟老人电梯上抽烟的行为,违反我国的相关规定。《公共场所控制吸烟条例》规定,室内公共场所全面实行禁止吸烟政策,部分室外公共场所禁止吸烟。电梯属于室内公共场所,不允许吸烟。老人的行为虽然没有达到违法犯罪的程度,但也违背了我国的法律规定,因此杨帆出言劝阻不仅没错还值得夸赞。只是谁也想不到,老人的心态如此偏激,只因为别人劝说其吸烟,就激动到引发心脏病,最后一命呜呼。
硅KOH蚀刻:凸角蚀刻特性
引用
本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术的几种方法。传统上,方向光束用于补偿凸角上的底切。发现这种方法对于锐角凸角产生良好的结果,但是导致在钝角凸角上出现具有晶面的大的残余结构。为了缓解这个问题,基于测量的蚀刻前平面,开发了使用三角形和菱形图案的新的拐角补偿方法。详细评估了所提出的拐角补偿图案在减少底切和残留物方面的有效性。发现对于钝角凸角,菱形角补偿提供了最好的结果,对于锐角凸角,菱形和波束图案都是有效的。
介绍
建立硅在KOH水溶液中的Ekh作用
虽然已有许多关于取向硅的腐蚀速率的报道,但参考文献中的数据。6-10的差异相当大。因此,蚀刻速率在进行实验之前,必须确定晶面及其比例。
选择氢氧化钾(KOH)作为蚀刻剂是因为它的高选择性和相对无毒性。在随后的实验中使用了两种蚀刻条件:70℃下的40% KOH水溶液蚀刻和80℃下的50% KOH水溶液蚀刻。注意,所用的KOH薄片是85% KOH和15% HCO的混合物,按重量计。因此,在这些条件下,蚀刻剂的真实重量百分比分别为34和42.5重量%。在手稿的其余部分,85%的KOH薄片(即40%和50%的KOH水溶液)的重量百分比在正文中注明。在图和表中,为了清楚起见,陈述了KOH百分比的两种类型的表达。本实验中使用的取向硅片是双面抛光的n型4 in。厚度为525 * 25微米、电阻率为10到30铝厘米的晶片。
为了获得高纵横比并使蚀刻掩模下不希望的横向蚀刻最小化,将光掩模与(111)晶面精确对准是非常重要的。为了精确对准,使用扇形对准目标图案,该图案由4 mm长、20 pm宽、跨度为-5°至+5°的光束组成。每个波束该目标图案的每一个以0.1度的角度彼此散开。在充分蚀刻该扇形图案之后,可以确定精度在0.05以内的适当对准方向。该方向是真正的1晶体方向,并且光掩模应该平行于该晶体方向对准。
对于KOH蚀刻掩模,在500的热生长缓冲氧化物层上使用1500的化学计量低压化学气相沉积(LPCVD)氮化物膜。氧化层生长采用湿氧化法,在1000°C下进行37分钟,每分钟4500标准立方厘米(sccm)的氢气和200 seem的三氯乙烷,在此之前在相同条件下进行3分钟的预氧化,除了预氧化阶段不使用氢气。通过分解100 seem的NH沉积氮化物膜,并且30 seem的二氯硅烷在300毫托和785℃下处理45分钟。请注意,这些配方改编自我们研究所使用的标准CMOS工艺。
讨论
在用于测试的三种拐角补偿图案中,新开发的菱形图案为钝角凸角提供了最好的结果。这与波束图案三角形图案的结果相比,用菱形图案获得的结果具有更清晰的轮廓,几乎没有或没有残余结构。基于这些结果,可以得出结论,在本文考虑的三种补偿模式中,菱形角补偿模式是钝角的唯一可行选择。
在锐角凸角上,光束模式和菱形模式都产生良好的结果。这里引用的四幅图具有不同的形状,因此,应该根据应用的具体需要来确定选择哪种补偿模式。
顶侧的底切补偿和底侧的残余结构的减少之间的权衡仍然是一个问题。这种情况可以通过从两侧蚀刻水来缓解,假设光掩模可以在水的两侧精确对准。另一个好处是,双面蚀刻技术可以使用较小的补偿图案。
最后,三角形拐角补偿图案通过不允许任何底切侵蚀发生而在顶侧产生最尖锐的特征。不幸的是,在这种情况下,使用双面蚀刻技术并不能有效消除残余结构,因为残余结构的高度太大了。减小三角形图案的尺寸是可能的,但是根据我们的计算,三角形图案的面积需求仍然大于菱形图案的面积需求。
结论
本文介绍了取向硅在KOH水溶液中的腐蚀特性。平行四边形蚀刻考虑由四个侧面上的面和顶部和底部的面限定的台面结构。为了防止凸角上的底切,研究了几种补偿方法。首先考虑用光束的常规补偿方法,但是结果显示在钝角上有大的残余结构。因此,提出并检验了一种新的三角形拐角补偿方法,该方法基于控制底切的测量的蚀刻前平面。三角形由面限定的图案在顶侧产生非常尖锐的结构,几乎完美地补偿了底切。然而,底切的发明在底侧导致大的不想要的残余结构。作为底切和残余结构之间的折衷,提出并评估了菱形角补偿图案。在此方法中,菱形以平行四边形凸结构的顶点为中心,并包含在由确定的三角形内#毕业生首次租房该注意什么# #选大学该不该远离家乡#
引用
本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术的几种方法。传统上,方向光束用于补偿凸角上的底切。发现这种方法对于锐角凸角产生良好的结果,但是导致在钝角凸角上出现具有晶面的大的残余结构。为了缓解这个问题,基于测量的蚀刻前平面,开发了使用三角形和菱形图案的新的拐角补偿方法。详细评估了所提出的拐角补偿图案在减少底切和残留物方面的有效性。发现对于钝角凸角,菱形角补偿提供了最好的结果,对于锐角凸角,菱形和波束图案都是有效的。
介绍
建立硅在KOH水溶液中的Ekh作用
虽然已有许多关于取向硅的腐蚀速率的报道,但参考文献中的数据。6-10的差异相当大。因此,蚀刻速率在进行实验之前,必须确定晶面及其比例。
选择氢氧化钾(KOH)作为蚀刻剂是因为它的高选择性和相对无毒性。在随后的实验中使用了两种蚀刻条件:70℃下的40% KOH水溶液蚀刻和80℃下的50% KOH水溶液蚀刻。注意,所用的KOH薄片是85% KOH和15% HCO的混合物,按重量计。因此,在这些条件下,蚀刻剂的真实重量百分比分别为34和42.5重量%。在手稿的其余部分,85%的KOH薄片(即40%和50%的KOH水溶液)的重量百分比在正文中注明。在图和表中,为了清楚起见,陈述了KOH百分比的两种类型的表达。本实验中使用的取向硅片是双面抛光的n型4 in。厚度为525 * 25微米、电阻率为10到30铝厘米的晶片。
为了获得高纵横比并使蚀刻掩模下不希望的横向蚀刻最小化,将光掩模与(111)晶面精确对准是非常重要的。为了精确对准,使用扇形对准目标图案,该图案由4 mm长、20 pm宽、跨度为-5°至+5°的光束组成。每个波束该目标图案的每一个以0.1度的角度彼此散开。在充分蚀刻该扇形图案之后,可以确定精度在0.05以内的适当对准方向。该方向是真正的1晶体方向,并且光掩模应该平行于该晶体方向对准。
对于KOH蚀刻掩模,在500的热生长缓冲氧化物层上使用1500的化学计量低压化学气相沉积(LPCVD)氮化物膜。氧化层生长采用湿氧化法,在1000°C下进行37分钟,每分钟4500标准立方厘米(sccm)的氢气和200 seem的三氯乙烷,在此之前在相同条件下进行3分钟的预氧化,除了预氧化阶段不使用氢气。通过分解100 seem的NH沉积氮化物膜,并且30 seem的二氯硅烷在300毫托和785℃下处理45分钟。请注意,这些配方改编自我们研究所使用的标准CMOS工艺。
讨论
在用于测试的三种拐角补偿图案中,新开发的菱形图案为钝角凸角提供了最好的结果。这与波束图案三角形图案的结果相比,用菱形图案获得的结果具有更清晰的轮廓,几乎没有或没有残余结构。基于这些结果,可以得出结论,在本文考虑的三种补偿模式中,菱形角补偿模式是钝角的唯一可行选择。
在锐角凸角上,光束模式和菱形模式都产生良好的结果。这里引用的四幅图具有不同的形状,因此,应该根据应用的具体需要来确定选择哪种补偿模式。
顶侧的底切补偿和底侧的残余结构的减少之间的权衡仍然是一个问题。这种情况可以通过从两侧蚀刻水来缓解,假设光掩模可以在水的两侧精确对准。另一个好处是,双面蚀刻技术可以使用较小的补偿图案。
最后,三角形拐角补偿图案通过不允许任何底切侵蚀发生而在顶侧产生最尖锐的特征。不幸的是,在这种情况下,使用双面蚀刻技术并不能有效消除残余结构,因为残余结构的高度太大了。减小三角形图案的尺寸是可能的,但是根据我们的计算,三角形图案的面积需求仍然大于菱形图案的面积需求。
结论
本文介绍了取向硅在KOH水溶液中的腐蚀特性。平行四边形蚀刻考虑由四个侧面上的面和顶部和底部的面限定的台面结构。为了防止凸角上的底切,研究了几种补偿方法。首先考虑用光束的常规补偿方法,但是结果显示在钝角上有大的残余结构。因此,提出并检验了一种新的三角形拐角补偿方法,该方法基于控制底切的测量的蚀刻前平面。三角形由面限定的图案在顶侧产生非常尖锐的结构,几乎完美地补偿了底切。然而,底切的发明在底侧导致大的不想要的残余结构。作为底切和残余结构之间的折衷,提出并评估了菱形角补偿图案。在此方法中,菱形以平行四边形凸结构的顶点为中心,并包含在由确定的三角形内#毕业生首次租房该注意什么# #选大学该不该远离家乡#
用了一下午回顾了过去6、7年的微博,好多看了都很尬,但还是能回忆当时的心境。虽不能时时记录生活,但心血来潮或深思熟虑写下的文字对于许多年后的我来说还是很有意义,就像冥想盆一样让记忆有个存放回复的地方。还是要时不时的记录一下那些细微的、敏感的情绪。自上次发动态之后半年有余,时间过的飞快,我的身体在一天天的老去,从某一点开始就在渐渐逝去。希望我还能爱一棵树、一只鸟。
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