外媒称中国高科技出口已超美日德总和，是捧杀，还是确有其事？
最近，德国一周刊《焦点》上刊登了一篇和中国有关的文章。文章名为《领先的高科技供应商之间的转变》。
文章直指，中国已从单纯量大的“中国制造”转变成了质量优秀的“中国智造”。字字句句皆言，今日之中国，早已非30年前需依靠他人为生的中国，中国在高科技制作、出口方面已实现了质的飞跃。
高科技老生常谈的有卫星技术、半导体、电子信息、计算机网络等。新兴的则是5G、人工智能、云服务领域等。
另外，我国在云技术计算领域，当今正处于全球领头羊的位置。除此之外，我国在数据库搭建、安全技术等方面也遥遥领先于全球其他国家。
同时直批，曾经稳居全世界高科技出口前三的美国、德国、日本，风光已不再。
文章中给出了具体数据：
1990年，全世界高科技出口中，美国占比23.3%、日本占比17.5%、德国占比10.8%，而此时中国仅占比0.6%。相比之下，中国的占比量少得可怜。
事情的转折点发生在2005年。随着中国综合国力的增强，数年积累后，中国厚积薄发一举甩掉尾位，首次取代美国，跃居世界高科技出口第一位。
到了2020年，全世界高科技出口的国家排名已彻底大换血。
之前以23.3%占比遥遥领先的美国已降至了7.1%，德国降到了5.6%，日本也没好到哪里去。反观中国，则从0.6%飞升到了23.8%。
但就算这样，不和的声音永远存在。
就在众人欢庆中国高科技进步的同时，一些见不得自家好的声音从四处飘散了开来。
有人直言，中国出口的高科技产值中有很大一部分是外商或者中外合资的企业创造的，这证明中国并没有那么强。
也有人说，中国出口的高科技虽然多了，但本质还是代工厂，核心技术还是在其他国家手里，会被卡脖子。
然而，事实当真如此吗？
下面我们就这两大疑点做个详细解说。
中国变强是否属实？中国是怎么“秒杀”外国高科技出口总额的？
战略决定战术。落后就要挨打，世界一定是在不断迭代、升级的。自上世纪末以来，我国就明确到，以后的世界必定是一个国与国之间比拼高新技术的世界。
要想发展新兴高科技技术，我们就得先对国内的工业生产体系进行升级、转型。在这一方针的引导下，国内工业生产体系发生了质的转换。
首先，我们需要明确，我们当下的不足之处是什么？
当下，我国的对外贸易主要以煤炭、钢铁等为主，于新兴技术方面缺失的不是一丁半点。对此，明确世界高新技术发展的趋势、方向成了我们的第一要务。
了解容易，但掌握难，因为核心技术别人自是不可能公之于众的，也不可能假手于我们。
路都是人走出来的，办法都是人想出来的。受益于这一困局的鞭策，进入到21世纪之后，国家在工业生产体系已逐步完善的基础上，开始主抓高新技术。
关关难闯，关关过，怎么抓，抓什么又成了当下最紧要的问题。
教育是国之根本。所以，为了加强我国高科技的研发创新，我国加大了相关方面的教育力度，并提出了相关的创新方向。同时出台了相关政策，大力鼓励公民参与到国家新兴科技创新中来。
参与其中的人增多，高科技领域产出的产品自是与日俱增。对应下来，我国高新技术出口的占比逐年增加也就不足为怪了。
几经努力，我国逐步实现了从了解高科技技术，到自主研发创兴高科技技术的变迁。
但光这样还不够，仍有人对中国的进步进行质疑：这些高新产业比值有很大一部分是外资提供的，这样能说是真正的强大吗？
而之所以会形成这样的局面，和我国劳动力充足，消费市场广阔的核心因素是分不开的。我国基础设施完善，欧美国家的一些科技厂商起初为减少劳力成本，纷纷在我国设立工厂。
借着这一已存基础，我国相关单位会和其合作产出对应的高科技产品。
那么，这能说明中国的强大只是站不起来的“纸老虎”吗？
我们不否认在中国出口的高科技产品中，一部分有外资企业的参与，但这并不代表我们在高科技出口方面依旧实力薄弱。相反，这正是我们强大的根本体现。
毕竟，有资源和能不能将资源利用起来是两码事。
放在以前，因为我们没有相关硬核的实力，即便是想和人家合作，也没有那个能力，但现在，我们完全能搭得上这趟车。
再者，与其揪着和国外对比这点不放，不如和我们国家以前的水平来对比更有意义。
30年的时间，我们一举从0.6%的高科技出口占比飞升至23.8%，已足以证明我们的进步显著，而且我们继续进步的潜力依旧很大。
这个“秒杀”是否意味着中国制造已经是世界最强？
也不尽然。
人无完人，国无完国是世界本然之定律。中国虽然在高科技出口方面取得了显著进步，但距离世界最强还是有着一定的距离的。
我国的一些高科技领域还有待持续发力，进一步完善。其中以生物医药、航空航天技术等方面最为紧要。
受限于这些领域起步晚，再加上其核心技术难以突破等原因，我国的这几个领域相较于欧美国家，无论是相关技术层面，还是人力配置等方面，都有着不小的差距。
以航空领域为例。
早在100多年前，美国自产的波音就开始向全球发售，而我国至今都没有自产的飞机。
生物医药方面，美国亦是一直处于领先地位，其出口量占据着全球市场70%之多的份额。反观我国，虽然我们每年也会有新型药品研发出来，但就其总量来看，属实是有点少。
再者，我们目前所研制的药，99%都是仿制药，以致我国在这方面出口占比极少。这也是我们目前的一大忧患。
还需强调的一点是，当下我国在工业软件领域，以及半导体领域依旧极度依赖进口。
这亦是相关人士声称，“中国出口的高科技虽然多了，但本质还是代工厂，核心技术还是在其他国家手里，会被卡脖子”的本质所在。
实际上，卡脖子与否是一个利益的博弈，与高端与否无关，如果我们足够强大，那么上游企业就算想卡脖子也得忌惮三分。更何况美国那种“产业空心化”的国家，更加离不了中国。从这一点来说，组装和研发谁也不比谁高贵。
我们客观承认这一问题所在，同时，问题所在之处，便是动力前行之所。为此，这也表明我们还需加大力度培养高科技人才，不断提升国家自身实力。唯科技，才能兴国。
实际上，我们也一直是这么做的。
根据世界知识产权组织2021年全球创新指数来看，在参与排名的132个经济体中，中国位居12。相较于2020年，我国又向前攀升了两个位次。
另外，我国在专利申请、商标申请和创意产品出口方面也取得了不错的成绩。这表明，我国已逐步摆脱了知识产权引进国称号，正大步迈向知识创新国形象。
但是鲜花、掌声簇拥之时，更是要清醒地认识到自己的本质所在。居安思危放在任何时候都不过时。总的来说，我国在高科技出口方面取得了瞩目成绩，但相关领域我们仍有所欠缺。对此，要想占领高科技阵地，我们需要时刻自我革新，推陈出新，如此，才能久处不败之地。
最近，德国一周刊《焦点》上刊登了一篇和中国有关的文章。文章名为《领先的高科技供应商之间的转变》。
文章直指，中国已从单纯量大的“中国制造”转变成了质量优秀的“中国智造”。字字句句皆言，今日之中国，早已非30年前需依靠他人为生的中国，中国在高科技制作、出口方面已实现了质的飞跃。
高科技老生常谈的有卫星技术、半导体、电子信息、计算机网络等。新兴的则是5G、人工智能、云服务领域等。
另外，我国在云技术计算领域，当今正处于全球领头羊的位置。除此之外，我国在数据库搭建、安全技术等方面也遥遥领先于全球其他国家。
同时直批，曾经稳居全世界高科技出口前三的美国、德国、日本，风光已不再。
文章中给出了具体数据：
1990年，全世界高科技出口中，美国占比23.3%、日本占比17.5%、德国占比10.8%，而此时中国仅占比0.6%。相比之下，中国的占比量少得可怜。
事情的转折点发生在2005年。随着中国综合国力的增强，数年积累后，中国厚积薄发一举甩掉尾位，首次取代美国，跃居世界高科技出口第一位。
到了2020年，全世界高科技出口的国家排名已彻底大换血。
之前以23.3%占比遥遥领先的美国已降至了7.1%，德国降到了5.6%，日本也没好到哪里去。反观中国，则从0.6%飞升到了23.8%。
但就算这样，不和的声音永远存在。
就在众人欢庆中国高科技进步的同时，一些见不得自家好的声音从四处飘散了开来。
有人直言，中国出口的高科技产值中有很大一部分是外商或者中外合资的企业创造的，这证明中国并没有那么强。
也有人说，中国出口的高科技虽然多了，但本质还是代工厂，核心技术还是在其他国家手里，会被卡脖子。
然而，事实当真如此吗？
下面我们就这两大疑点做个详细解说。
中国变强是否属实？中国是怎么“秒杀”外国高科技出口总额的？
战略决定战术。落后就要挨打，世界一定是在不断迭代、升级的。自上世纪末以来，我国就明确到，以后的世界必定是一个国与国之间比拼高新技术的世界。
要想发展新兴高科技技术，我们就得先对国内的工业生产体系进行升级、转型。在这一方针的引导下，国内工业生产体系发生了质的转换。
首先，我们需要明确，我们当下的不足之处是什么？
当下，我国的对外贸易主要以煤炭、钢铁等为主，于新兴技术方面缺失的不是一丁半点。对此，明确世界高新技术发展的趋势、方向成了我们的第一要务。
了解容易，但掌握难，因为核心技术别人自是不可能公之于众的，也不可能假手于我们。
路都是人走出来的，办法都是人想出来的。受益于这一困局的鞭策，进入到21世纪之后，国家在工业生产体系已逐步完善的基础上，开始主抓高新技术。
关关难闯，关关过，怎么抓，抓什么又成了当下最紧要的问题。
教育是国之根本。所以，为了加强我国高科技的研发创新，我国加大了相关方面的教育力度，并提出了相关的创新方向。同时出台了相关政策，大力鼓励公民参与到国家新兴科技创新中来。
参与其中的人增多，高科技领域产出的产品自是与日俱增。对应下来，我国高新技术出口的占比逐年增加也就不足为怪了。
几经努力，我国逐步实现了从了解高科技技术，到自主研发创兴高科技技术的变迁。
但光这样还不够，仍有人对中国的进步进行质疑：这些高新产业比值有很大一部分是外资提供的，这样能说是真正的强大吗？
而之所以会形成这样的局面，和我国劳动力充足，消费市场广阔的核心因素是分不开的。我国基础设施完善，欧美国家的一些科技厂商起初为减少劳力成本，纷纷在我国设立工厂。
借着这一已存基础，我国相关单位会和其合作产出对应的高科技产品。
那么，这能说明中国的强大只是站不起来的“纸老虎”吗？
我们不否认在中国出口的高科技产品中，一部分有外资企业的参与，但这并不代表我们在高科技出口方面依旧实力薄弱。相反，这正是我们强大的根本体现。
毕竟，有资源和能不能将资源利用起来是两码事。
放在以前，因为我们没有相关硬核的实力，即便是想和人家合作，也没有那个能力，但现在，我们完全能搭得上这趟车。
再者，与其揪着和国外对比这点不放，不如和我们国家以前的水平来对比更有意义。
30年的时间，我们一举从0.6%的高科技出口占比飞升至23.8%，已足以证明我们的进步显著，而且我们继续进步的潜力依旧很大。
这个“秒杀”是否意味着中国制造已经是世界最强？
也不尽然。
人无完人，国无完国是世界本然之定律。中国虽然在高科技出口方面取得了显著进步，但距离世界最强还是有着一定的距离的。
我国的一些高科技领域还有待持续发力，进一步完善。其中以生物医药、航空航天技术等方面最为紧要。
受限于这些领域起步晚，再加上其核心技术难以突破等原因，我国的这几个领域相较于欧美国家，无论是相关技术层面，还是人力配置等方面，都有着不小的差距。
以航空领域为例。
早在100多年前，美国自产的波音就开始向全球发售，而我国至今都没有自产的飞机。
生物医药方面，美国亦是一直处于领先地位，其出口量占据着全球市场70%之多的份额。反观我国，虽然我们每年也会有新型药品研发出来，但就其总量来看，属实是有点少。
再者，我们目前所研制的药，99%都是仿制药，以致我国在这方面出口占比极少。这也是我们目前的一大忧患。
还需强调的一点是，当下我国在工业软件领域，以及半导体领域依旧极度依赖进口。
这亦是相关人士声称，“中国出口的高科技虽然多了，但本质还是代工厂，核心技术还是在其他国家手里，会被卡脖子”的本质所在。
实际上，卡脖子与否是一个利益的博弈，与高端与否无关，如果我们足够强大，那么上游企业就算想卡脖子也得忌惮三分。更何况美国那种“产业空心化”的国家，更加离不了中国。从这一点来说，组装和研发谁也不比谁高贵。
我们客观承认这一问题所在，同时，问题所在之处，便是动力前行之所。为此，这也表明我们还需加大力度培养高科技人才，不断提升国家自身实力。唯科技，才能兴国。
实际上，我们也一直是这么做的。
根据世界知识产权组织2021年全球创新指数来看，在参与排名的132个经济体中，中国位居12。相较于2020年，我国又向前攀升了两个位次。
另外，我国在专利申请、商标申请和创意产品出口方面也取得了不错的成绩。这表明，我国已逐步摆脱了知识产权引进国称号，正大步迈向知识创新国形象。
但是鲜花、掌声簇拥之时，更是要清醒地认识到自己的本质所在。居安思危放在任何时候都不过时。总的来说，我国在高科技出口方面取得了瞩目成绩，但相关领域我们仍有所欠缺。对此，要想占领高科技阵地，我们需要时刻自我革新，推陈出新，如此，才能久处不败之地。
近日，多款采用4nm制程芯片的手机，被用户吐槽存在发热量高和功耗高等方面的问题。据了解，此次涉嫌功耗过热的3款顶级手机芯片，分别是高通骁龙8Gen1、三星Exynos2200、联发科天玑9000，均为目前各厂商高端芯片的代表。同时，天玑9000的生产商是台积电，Exynos2200和骁龙8Gen1的生产商是三星，为排名前两位的芯片代工制造商。
去年年初，5nm芯片就因发热问题被频频吐槽，如今4nm芯片再度陷入同样的困境：先进工艺制程芯片存在漏电流问题，导致发热量过高，似乎已经成为一种“魔咒”，是芯片制程工艺最大的障碍之一。芯片的制程工艺仍在不断延伸，未来如何有效破解漏电“魔咒”已经成为整个芯片制造领域的努力方向。
短沟道效应带来挑战
一般情况下，根据登纳徳缩放比例定律，随着芯片尺寸的缩小，所需的电压和电流也会下降，由于功耗会受电压和电流的影响，当制程工艺提升、电压和电流随之下降时，其芯片产生的功耗也会降低。台积电表示，与7nm工艺相比，同样性能下5nm工艺的功耗降低30%，同样的功耗下则性能提升了15%。
然而，芯片制程进入5nm时，却频频出现功耗过高的问题。北京超弦存储器研究院执行副院长、北京航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就导致了沟道管中的S和D（源和漏）的距离越来越短。因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断沟道的难度变大，即产生短沟道效应，从而出现严重的电流泄露（漏电）现象，最终令芯片的发热和耗电失控。
“5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET（鳍式场效应晶体管）结构。FinFET结构在芯片制程进入28nm后，相较于平面MOSFET器件结构，具有更强的栅极控制能力，FinFET结构可通过增加栅极与沟道的接触面积，来增强对导电沟道的控制。沟道接触面积的增加，可以从一定程度上缓解短沟道效应，从而将芯片制程继续延伸。然而，随着芯片制程逐渐发展到5nm及5nm以下，采用FinFET结构先进制程的芯片，也出现了短沟道效益造成的漏电现象，这也与FinFET本身的结构有关。FinFET所采用的是三面栅的结构，并非四面环绕式的结构，其中一个方向没有栅极的包裹。随着芯片制程的不断减小，FinFET三面栅的结构对于漏电的控制能力也在逐渐减弱，造成芯片再次出现功耗问题。”赵超表示。
如何破解漏电“魔咒”？
未来芯片制程仍将继续向3nm甚至2nm延伸，人们也在积极考虑如何解决漏电流所导致的功耗与发热问题，包括更换新材料、采用新架构——GAA（环绕式栅极）等，以期打破长久以来存在的漏电“魔咒”。
在材料方面，赵超介绍，采用具有高介电常数的栅介质材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解决短沟道效应造成栅极漏电的问题。而二氧化铪属于高介电常数的材料，以二氧化铪替代二氧化硅作为栅介质材料，可有效提高介电常数，减少漏电情况，并有效增加电容荷电的能力。
同时，随着芯片制程的延伸，采用四面环栅结构的GAA技术逐渐受到更多关注。复旦大学微电子学院副院长周鹏表示，相较于三面围栅的FinFET结构，GAA技术的四面环栅结构可以更好地抑制漏电流的形成以及增大驱动电流，进而更有利于实现性能和功耗之间的有效平衡。因此，GAA技术在5nm之后更小的制程中，更受到业界的普遍认可和青睐。
然而，无论是新材料，还是GAA技术，都难以在短时间内解决问题。有研究人员发现，若想在碳纳米管晶体管中使用二氧化铪来替代二氧化硅成为栅极电介质材料也存在困难，二氧化铪同样难以在所需的薄层中形成高介电常数的电介质。
GAA结构实现量产同样困难重重。据了解，近期三星采用GAA结构打造的3nm芯片，良率仅在10%~20%之间。而台积电在其第一代3nm制程中仍将采用FinFET工艺。
“在半导体领域当中，任何一种技术的转换或更迭，往往都需要经历多年的试错和改进。GAA结构虽然在5nm以下的制程中具有较为明显的优势，但其最终能否实现预期的高性能和低功耗，还取决于其制程中所面临的技术难题能否被一一攻克。”周鹏说。
4nm并非噱头
对于此次4nm芯片出现功耗问题，也有消费者质疑，4nm是否只是一个商业噱头？4nm与5nm技术实则并无太大差异，否则为何高功耗、高发热的问题依然如故？
一般而言，对于芯片工艺的名称数字，是以0.7倍的节奏演进的，例如，14nm工艺之后，完整的工艺迭代应当是10nm（14nm×0.7≈10nm），10nm之后是7nm，7nm之后是5nm。若按此规则演进，5nm后究竟应该是4nm还是3nm，在四舍五入规则下似乎并不明确。但在代工厂的约定俗成下，5nm的完整工艺迭代应为3nm。因此，4nm应当属于5nm和3nm的过渡工艺，其角色定位与此前推出的8nm（10nm和7nm的过渡工艺）
去年年初，5nm芯片就因发热问题被频频吐槽，如今4nm芯片再度陷入同样的困境：先进工艺制程芯片存在漏电流问题，导致发热量过高，似乎已经成为一种“魔咒”，是芯片制程工艺最大的障碍之一。芯片的制程工艺仍在不断延伸，未来如何有效破解漏电“魔咒”已经成为整个芯片制造领域的努力方向。
短沟道效应带来挑战
一般情况下，根据登纳徳缩放比例定律，随着芯片尺寸的缩小，所需的电压和电流也会下降，由于功耗会受电压和电流的影响，当制程工艺提升、电压和电流随之下降时，其芯片产生的功耗也会降低。台积电表示，与7nm工艺相比，同样性能下5nm工艺的功耗降低30%，同样的功耗下则性能提升了15%。
然而，芯片制程进入5nm时，却频频出现功耗过高的问题。北京超弦存储器研究院执行副院长、北京航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就导致了沟道管中的S和D（源和漏）的距离越来越短。因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断沟道的难度变大，即产生短沟道效应，从而出现严重的电流泄露（漏电）现象，最终令芯片的发热和耗电失控。
“5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET（鳍式场效应晶体管）结构。FinFET结构在芯片制程进入28nm后，相较于平面MOSFET器件结构，具有更强的栅极控制能力，FinFET结构可通过增加栅极与沟道的接触面积，来增强对导电沟道的控制。沟道接触面积的增加，可以从一定程度上缓解短沟道效应，从而将芯片制程继续延伸。然而，随着芯片制程逐渐发展到5nm及5nm以下，采用FinFET结构先进制程的芯片，也出现了短沟道效益造成的漏电现象，这也与FinFET本身的结构有关。FinFET所采用的是三面栅的结构，并非四面环绕式的结构，其中一个方向没有栅极的包裹。随着芯片制程的不断减小，FinFET三面栅的结构对于漏电的控制能力也在逐渐减弱，造成芯片再次出现功耗问题。”赵超表示。
如何破解漏电“魔咒”？
未来芯片制程仍将继续向3nm甚至2nm延伸，人们也在积极考虑如何解决漏电流所导致的功耗与发热问题，包括更换新材料、采用新架构——GAA（环绕式栅极）等，以期打破长久以来存在的漏电“魔咒”。
在材料方面，赵超介绍，采用具有高介电常数的栅介质材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解决短沟道效应造成栅极漏电的问题。而二氧化铪属于高介电常数的材料，以二氧化铪替代二氧化硅作为栅介质材料，可有效提高介电常数，减少漏电情况，并有效增加电容荷电的能力。
同时，随着芯片制程的延伸，采用四面环栅结构的GAA技术逐渐受到更多关注。复旦大学微电子学院副院长周鹏表示，相较于三面围栅的FinFET结构，GAA技术的四面环栅结构可以更好地抑制漏电流的形成以及增大驱动电流，进而更有利于实现性能和功耗之间的有效平衡。因此，GAA技术在5nm之后更小的制程中，更受到业界的普遍认可和青睐。
然而，无论是新材料，还是GAA技术，都难以在短时间内解决问题。有研究人员发现，若想在碳纳米管晶体管中使用二氧化铪来替代二氧化硅成为栅极电介质材料也存在困难，二氧化铪同样难以在所需的薄层中形成高介电常数的电介质。
GAA结构实现量产同样困难重重。据了解，近期三星采用GAA结构打造的3nm芯片，良率仅在10%~20%之间。而台积电在其第一代3nm制程中仍将采用FinFET工艺。
“在半导体领域当中，任何一种技术的转换或更迭，往往都需要经历多年的试错和改进。GAA结构虽然在5nm以下的制程中具有较为明显的优势，但其最终能否实现预期的高性能和低功耗，还取决于其制程中所面临的技术难题能否被一一攻克。”周鹏说。
4nm并非噱头
对于此次4nm芯片出现功耗问题，也有消费者质疑，4nm是否只是一个商业噱头？4nm与5nm技术实则并无太大差异，否则为何高功耗、高发热的问题依然如故？
一般而言，对于芯片工艺的名称数字，是以0.7倍的节奏演进的，例如，14nm工艺之后，完整的工艺迭代应当是10nm（14nm×0.7≈10nm），10nm之后是7nm，7nm之后是5nm。若按此规则演进，5nm后究竟应该是4nm还是3nm，在四舍五入规则下似乎并不明确。但在代工厂的约定俗成下，5nm的完整工艺迭代应为3nm。因此，4nm应当属于5nm和3nm的过渡工艺，其角色定位与此前推出的8nm（10nm和7nm的过渡工艺）
#物业怒告业主私包阳台业主败诉#【私包阳台屡劝不改，业主曾剪“蜘蛛人”安全绳，杭州一红盘物业怒告业主！法院：业主败诉】去年4月，钱江晚报·小时新闻曾经报道过杭州城东艮北板块某红盘业主私包阳台屡劝不改，物业怒告业主一事。
一年时间过去了，事情进展究竟如何？近日，钱江晚报·小时新闻记者了解到，去年5月，该艮北红盘物业起诉业主私包阳台的案件一审就已经宣判，业主败诉；但是去年6月，该案件所涉业主不服一审判决，向杭州市中级人民法院提起了上诉；去年12月底，二审判决结果出来，驳回业主的上诉，维持原判，并且该判决为终审判决。今年4月，相关的民事判决书在中国裁判文书网上公开。
交付以来，“包阳台”争议不断
甚至发生过业主剪“蜘蛛人”安全绳事件
该艮北红盘位于七堡地铁站附近，小区定位较高端，无论园区环境还是外立面，在艮北板块都非常出挑，甚至有“艮北第一外立面”之称，当初很多业主就是冲着小区品质较高买了这里的房子。
自小区2019年交付，关于“包阳台”的争议和纠纷就没有断过。前年9月，小区物业与私包阳台的业主们多次沟通无果后，请了“蜘蛛人”上门进行拆除，没想到有业主竟然把“蜘蛛人”的安全绳给剪断了；剪“蜘蛛人”安全绳事件发生后，物业与开发商同时发表声明，并向私包阳台的业主发了律师函，有一些业主之后拆除了封包的阳台，但仍有个别业主置若罔闻。跟业主多次沟通无果，而物业去强拆的话也不合适，无奈之下，去年3月，物业不得不依据小区《临时管理规约》，对违反约定的业主提起起诉。
根据该小区《临时管理规约》第十五条第9点明确规定，“小区是高端改善型项目，为保证项目品质，不允许业主封闭阳台或露台。”物业方面表示，在《临时管理规约》中明规定不得私包阳台，是想努力把小区打造成高品质标杆楼盘，另外业主私包阳台，若材料存在质量问题，对小区的安全也是隐患。而在小区《临时管理规约》的最后一页“违约责任”这一条款里，也明文约定，如果业主、非业主使用人违反本临时管理规约的，其他业主和物业服务企业可依法向人民法院提起诉讼。
业主称征集到280户住户同意包阳台
但《临时管理规约》相关条款并不因此变更
从公开的判决书内容来看，双方争辩的焦点在于小区《临时管理规约》是否已做变更调整。
案件所涉业主在上诉时称，小区《临时管理规约》中关于不允许业主封闭阳台的约定已作调整。2020年9月，街道、社区、小区业主代表和物业公司多人曾经就封包阳台一事召开过协调会，并达成一份《会议纪要》，会议结束后，业主代表在指定日期内征集了280户业主意见，均同意封包阳台，达到了会议纪要的要求。
而物业公司在二审答辩时称，根据《民法典》第二百七十八条的规定，修改管理规约属于业主共同决定的事项，应当由专有部分面积占比三分之二以上的业主且人数占比三分之二以上的业主参与表决，且应当经参与表决专有面积过半数的业主且参与表决人数过半数的业主同意。而小区分一期、二期、三期，一期建筑面积约13万m²、678户住宅；二期建筑面积约11万m²、含购物中心即357户酒店式公寓；三期建筑面积约14万m²、590户住宅。2020年9月的《会议纪要》仅是一份参会人员的沟通记录，不具有法律效力，该会议纪要中以小区20%业主的征求意见结果来修改管理规约，明显违反《民法典》和《物权法》，是无效的。
此外，业主上诉所称的征集到280户业主同意封包阳台，该征集既未经法律规定的业委会发起，也不清楚参与表决的人数及专有部分面积的占比是否符合法律规定，280户是否是该小区业主也未经第三方核验，远远未达到修改管理规约法律规定的票数。因此，小区《临时管理规约》未经法定程序修改。
二审法院认为，业主上诉所声称的小区《临时管理规约》中不允许业主封包阳台的内容已经通过案涉会议纪要以及征集业主意见的方式变更为允许封闭，但即使几名业主代表曾参与沟通并形成会议纪要，但并不能代表全体业主意见，且最终也未就允许封包阳台达成一致意见，其所述的280户业主意见中的业主身份也未经审核确认，上诉业主亦未提交充分有效的证据证明该项约定已作变更或调整，故原审法院对其有关抗辩未予采纳并无不当。业主上诉理由不成立，对其上诉请求不予支持，驳回上诉，维持原判。
业主败诉后不肯拆除包阳台怎么办
可申请法院强制执行
根据终审判决结果，案涉业主应当于判决生效之日起三十日内拆除封包阳台的设施并将阳台恢复原状。但是昨天上午，钱江晚报·小时新闻记者来到艮北该红盘现场，发现小区靠近大门口的一幢楼，仍然有4、5户业主私包的阳台尚未拆除。
虽然这几户业主并非案涉业主，但去年记者采访该小区物业相关负责人时，对方表示，对于其余未起诉的私包阳台业主，希望业主能自觉拆除，如不拆除会继续走起诉流程。
对于封包阳台的官司中，如果业主败诉后仍拖着不肯拆除封包阳台，怎么办？浙江六和律师事务所合伙人郭铁城表示，遇到这种情况，物业公司可以依据法院判决书的内容，向判决一审法院申请强制执行。法院有执行庭，会有执行法官来具体处理，如果业主不按照判决进行处理，法院也可以给业主上失信执行人名单，限制其高消费，甚至予以行政拘留等措施。
如果小区多数业主想要包阳台，那么，按照相关物业管理条例，可以在小区成立业委会后，召开业主大会投票表决。根据去年开始实施的《民法典》，改建、重建建筑物及其附属设施的，应当由三分之二以上的业主参与表决，并且须经参与表决的四分之三以上的业主同意。（钱江晚报·小时新闻记者 徐叔竞）
一年时间过去了，事情进展究竟如何？近日，钱江晚报·小时新闻记者了解到，去年5月，该艮北红盘物业起诉业主私包阳台的案件一审就已经宣判，业主败诉；但是去年6月，该案件所涉业主不服一审判决，向杭州市中级人民法院提起了上诉；去年12月底，二审判决结果出来，驳回业主的上诉，维持原判，并且该判决为终审判决。今年4月，相关的民事判决书在中国裁判文书网上公开。
交付以来，“包阳台”争议不断
甚至发生过业主剪“蜘蛛人”安全绳事件
该艮北红盘位于七堡地铁站附近，小区定位较高端，无论园区环境还是外立面，在艮北板块都非常出挑，甚至有“艮北第一外立面”之称，当初很多业主就是冲着小区品质较高买了这里的房子。
自小区2019年交付，关于“包阳台”的争议和纠纷就没有断过。前年9月，小区物业与私包阳台的业主们多次沟通无果后，请了“蜘蛛人”上门进行拆除，没想到有业主竟然把“蜘蛛人”的安全绳给剪断了；剪“蜘蛛人”安全绳事件发生后，物业与开发商同时发表声明，并向私包阳台的业主发了律师函，有一些业主之后拆除了封包的阳台，但仍有个别业主置若罔闻。跟业主多次沟通无果，而物业去强拆的话也不合适，无奈之下，去年3月，物业不得不依据小区《临时管理规约》，对违反约定的业主提起起诉。
根据该小区《临时管理规约》第十五条第9点明确规定，“小区是高端改善型项目，为保证项目品质，不允许业主封闭阳台或露台。”物业方面表示，在《临时管理规约》中明规定不得私包阳台，是想努力把小区打造成高品质标杆楼盘，另外业主私包阳台，若材料存在质量问题，对小区的安全也是隐患。而在小区《临时管理规约》的最后一页“违约责任”这一条款里，也明文约定，如果业主、非业主使用人违反本临时管理规约的，其他业主和物业服务企业可依法向人民法院提起诉讼。
业主称征集到280户住户同意包阳台
但《临时管理规约》相关条款并不因此变更
从公开的判决书内容来看，双方争辩的焦点在于小区《临时管理规约》是否已做变更调整。
案件所涉业主在上诉时称，小区《临时管理规约》中关于不允许业主封闭阳台的约定已作调整。2020年9月，街道、社区、小区业主代表和物业公司多人曾经就封包阳台一事召开过协调会，并达成一份《会议纪要》，会议结束后，业主代表在指定日期内征集了280户业主意见，均同意封包阳台，达到了会议纪要的要求。
而物业公司在二审答辩时称，根据《民法典》第二百七十八条的规定，修改管理规约属于业主共同决定的事项，应当由专有部分面积占比三分之二以上的业主且人数占比三分之二以上的业主参与表决，且应当经参与表决专有面积过半数的业主且参与表决人数过半数的业主同意。而小区分一期、二期、三期，一期建筑面积约13万m²、678户住宅；二期建筑面积约11万m²、含购物中心即357户酒店式公寓；三期建筑面积约14万m²、590户住宅。2020年9月的《会议纪要》仅是一份参会人员的沟通记录，不具有法律效力，该会议纪要中以小区20%业主的征求意见结果来修改管理规约，明显违反《民法典》和《物权法》，是无效的。
此外，业主上诉所称的征集到280户业主同意封包阳台，该征集既未经法律规定的业委会发起，也不清楚参与表决的人数及专有部分面积的占比是否符合法律规定，280户是否是该小区业主也未经第三方核验，远远未达到修改管理规约法律规定的票数。因此，小区《临时管理规约》未经法定程序修改。
二审法院认为，业主上诉所声称的小区《临时管理规约》中不允许业主封包阳台的内容已经通过案涉会议纪要以及征集业主意见的方式变更为允许封闭，但即使几名业主代表曾参与沟通并形成会议纪要，但并不能代表全体业主意见，且最终也未就允许封包阳台达成一致意见，其所述的280户业主意见中的业主身份也未经审核确认，上诉业主亦未提交充分有效的证据证明该项约定已作变更或调整，故原审法院对其有关抗辩未予采纳并无不当。业主上诉理由不成立，对其上诉请求不予支持，驳回上诉，维持原判。
业主败诉后不肯拆除包阳台怎么办
可申请法院强制执行
根据终审判决结果，案涉业主应当于判决生效之日起三十日内拆除封包阳台的设施并将阳台恢复原状。但是昨天上午，钱江晚报·小时新闻记者来到艮北该红盘现场，发现小区靠近大门口的一幢楼，仍然有4、5户业主私包的阳台尚未拆除。
虽然这几户业主并非案涉业主，但去年记者采访该小区物业相关负责人时，对方表示，对于其余未起诉的私包阳台业主，希望业主能自觉拆除，如不拆除会继续走起诉流程。
对于封包阳台的官司中，如果业主败诉后仍拖着不肯拆除封包阳台，怎么办？浙江六和律师事务所合伙人郭铁城表示，遇到这种情况，物业公司可以依据法院判决书的内容，向判决一审法院申请强制执行。法院有执行庭，会有执行法官来具体处理，如果业主不按照判决进行处理，法院也可以给业主上失信执行人名单，限制其高消费，甚至予以行政拘留等措施。
如果小区多数业主想要包阳台，那么，按照相关物业管理条例，可以在小区成立业委会后，召开业主大会投票表决。根据去年开始实施的《民法典》，改建、重建建筑物及其附属设施的，应当由三分之二以上的业主参与表决，并且须经参与表决的四分之三以上的业主同意。（钱江晚报·小时新闻记者 徐叔竞）
✋热门推荐