掌握EUV光刻核心技术 日本憋出个大招：上马2nm[思考]
据报道，日本将与美国合作，最早在 2025 财年启动国内 2 纳米半导体制造基地，加入下一代芯片技术商业化的竞赛。
东京和华盛顿将根据双边芯片技术伙伴关系提供支持。两国私营企业将进行设计和量产研究。
台积电在开发 2 纳米芯片的量产技术方面处于领先地位。日本通过实现下一代芯片的国内生产来寻求稳定的半导体供应。
日本和美国企业可以联合成立一家新公司，或者日本公司可以建立一个新的制造中心。日本经济产业省将部分补贴研发成本和资本支出。
联合研究最早将于今年夏天开始，2025财年至2027财年将形成一个研究和量产中心。
全球最大的代工芯片制造商台积电正在日本熊本县建设芯片工厂，但该工厂将只生产从 10nm 到 20nm 范围的不太先进的半导体。
较小的半导体可以实现设备的小型化和改进的性能。2纳米芯片将用于量子计算机、数据中心和尖端智能手机等产品。这些芯片还降低了功耗，减少了碳足迹。
5月初，日美签署了半导体合作基本原则。双方将在即将举行的“二加二”内阁经济官员会议上讨论合作框架的细节。
在 2 纳米研发方面实力雄厚的 IBM 去年开发了原型。同为美国公司的英特尔公司也在进行 2 纳米工艺的研发。
在日本，由国立先进工业科学技术研究所运营的筑波市研究实验室正在开展一项合作，以开发先进半导体生产线的制造技术，包括 2 纳米工艺的生产技术。东京电子和佳能等芯片制造设备制造商与 IBM、英特尔和台积电一起参与了这个集体。
日本拥有信越化学和 Sumco 等强大的芯片材料制造商，而美国则拥有芯片制造设备巨头应用材料公司。芯片制造商和主要供应商之间的这种合作旨在使 2 纳米芯片的量产技术触手可及。
台积电处于下一代芯片量产的前沿。该公司预计今年将在 2 纳米制造设施上破土动工，并有望在今年晚些时候开始大规模制造 3 纳米芯片。
日本的2nm雄心
在去年五月，就有报道日本政府正在寻求吸引国外优秀的芯片制造商能赴日本建立圆晶工厂，以促进日本在半导体行业的发展。台积电后来也做了决定，虽然是28nm工艺，但也是个好的开始。
媒体在今年一月的报道也指出，台积电将与日本经济产业省成立合资公司，在东京设立先进封测厂。
而根据报导，台积电是要在日本茨城县筑波市新设技术研发中心， 研发中心包括晶圆制程及3D封装。
从过往的报道看来，日本的这个决定也是有其背后的考量的。因为晶体管微缩受限，过去多年在业界就存在一个观点，那就是借用先进封装可以继续推进芯片性能的提升。
而台积电在去年九月更是推出了其3D Fabric平台，将SoIC、CoWoS、InFO等技术家族囊入其中，能串联高频宽存储、异构整合和3D堆叠，以提升系统能耗，并缩小面积。
台积电研发副总余振华也以TSMC的SoIC技术为例，讲述他们这个平台的优势
。他指出，这个技术可将低温多层存储堆叠在逻辑芯片上，帮助延伸摩尔定律。而公司现在已成功将4层、8层与12层低温多层记忆体堆叠在逻辑芯片上，其中12层总厚度更是低于600微米，这让公司在未来可以实现堆叠更多层的可能。
虽然日本已经紧抱台积电，为未来发展先进芯片制造做好了一部分准备。但从日前的新闻看来，日本的野心并不止于此。
最新报道指出，日本经济产业省最快在本周内，会召开与日本半导体产业有关的检讨会，除了会探索瑞萨电子工厂火灾对汽车生产的影响，以及汽车业供应链不稳定的隐忧外，日本政府还计划府着眼朝着数字化发展的当前经济，让半导体供应链体质更加强韧，并从经济安全保障等观点，重新拟定中长期的政策。
日经进一步指出，日本政府将提供资金支持、协助日本企业研发2nm以后的次世代半导体制造技术。为实现这个目标，他们除了继续保持和台积电、Intel等半导体大厂进行大范围的意见交换来进行研发外，他们还将与佳能、东电、SCREEN等本土设备巨头携手，重振日本在先进研发方面的实力。
据报道，这支该获得经产省资金援助的研发团队目标在2020年代中期确立2nm以后的次世代半导体的制造技术，并设立测试产线，研发细微电路的加工、洗净等制造技术。
厚积薄发的底气
正如文章开头所说，虽然日本没有先进的晶圆厂，但他们在先进工艺的上游有很重要的布局。以现在炙手可热的EUV光刻为例，虽然大家都知道全球目前荷兰公司ASML能提供领先的EUV光刻机。
但在半导体行业观察之前的报道中，我们可以看到日本公司在这个领域多个环节的实力。
首先来看缺陷检测设备，如果作为原始电路板的光掩模中存在缺陷，则半导体的缺陷率将相应增加。最近几年需求增长尤其旺盛的是EUV光罩（半导体线路的光掩模版、掩膜版）检验设备，在这个领域，日本的Lasertec Corp.是全球唯一的测试机制造商，Lasertec公司持有全球市场100%的份额。
日本另一个占据100%市场份额的是东京电子的EUV涂覆显影设备，该设备用于将特殊的化学液体涂在硅片上作为半导体材料进行显影。
1993年东电开始销售FPD生产设备涂布机/显影机，2000年交付了1000台涂布机/显影机“ CLEAN TRACK ACT 8”。在EUV光刻胶方面，日本的市场份额更是遥遥领先。
据南大光电在今年三月发布的相关报告中披露，如下图所示，全球仅有日本厂商研发出了EUV光刻胶，由此可以看到他们在这方面的实力。而欲了解更多日本在EUV方面的实力，可以参考半导体行业观察之前的文章《不容忽视的日本EUV实力》。
国际主要厂商在半导体光刻胶产品的产业化进度（source：南大光电）在先进工艺研发方面，还有一个重要环节，那就是本节开头谈到的EUV光刻机，这也是日本在先进工艺研发上将佳能纳入其中的原因。虽然这家曾经的光刻机巨头在这个领域已经被ASML抛离，但他们在光刻方面的积累，能某种程度上给日本的先进制造提供指引。
除了上述谈到的一些技术和企业外，如上图所示，日经在昨天的报道中，也披露了日本在半导体制造的多个环节参与其中。
由此可见，对于日本来说，要想在芯片制造上搞出一些浪花，是有其深厚的底气。与此同时，日本富岳“超算”上的富士通的48核Arm芯片A64FX的超强性能表现加上索喜5nm芯片的新闻表示，日本在先进芯片上也有其实力所在。
在这些企业的配合下，相信日本复兴半导体先进芯片技术乃至建造先进工艺晶圆厂，都有潜在的可能。当然，是否真会这样做晶圆厂，又是另一个层面的讨论。
日重振半导体，政府顾问：须880亿美金
台积电赴日建厂并获得日本政府的补助，被视为日本提高自身芯片制造能力的关键，据外媒报导，日本政府半导体小组的高级顾问认为，日本做得还不够多，如果想重振半导体产业，明年就应该提供减税优惠，并订下未来十年鼓励企业投资多达10兆日圆（约880亿美元）。
东哲郎认为，日本的半导体产业已低迷数十年，如今有增加补助经费的动作，应是扭转颓势的开端，“没有政府的初期投资，私营企业不会愿意投资。”
东哲郎建议，在未来的10年内，日本政府及私营部门应投资半导体产业10兆日圆。目前，增加对半导体产业的补助，在日本政界内已形成共识，据报导，日本首相岸田文雄也曾称，将为国内半导体生产提供逾1.4兆日圆的投资。
报导提到，因为芯片短缺，各国都在扩大自身的芯片制造能力，并增加补助经费，美国已投入520亿美元（约新台币1.44兆元），并成功吸引到台积电与三星赴美设厂，而中国也有相关的动作。
报导提到，日本过去为人诟病的一点是，对半导体产业的投资不足，并使得市场份额被抢走，如今日本政府也重新重视半导体产业，并承诺将重振半导体产业列为国家项目，目标是到2030年将国内半导体公司的年收入提高约3倍至13兆日圆（约1100字美元）。
东哲郎认为，在下一步，日本政府应在常规预算中，为芯片制造编列额外资金，而非使用一次性的预算进行帮忙。他认为，人们需要看到对这个项目的长期承诺，否则不会把政府当一回事，“若没有政府的初期投资，私营企业不会愿意投资。”
至于日本政府对半导体产业的减税优惠，应涵盖哪些项目，据东哲郎认为，包括：对芯片制造业免征企业所得税的研发、削减用水及公用事业成本，这都是值得讨论的方向。#半导体#
据报道，日本将与美国合作，最早在 2025 财年启动国内 2 纳米半导体制造基地，加入下一代芯片技术商业化的竞赛。
东京和华盛顿将根据双边芯片技术伙伴关系提供支持。两国私营企业将进行设计和量产研究。
台积电在开发 2 纳米芯片的量产技术方面处于领先地位。日本通过实现下一代芯片的国内生产来寻求稳定的半导体供应。
日本和美国企业可以联合成立一家新公司，或者日本公司可以建立一个新的制造中心。日本经济产业省将部分补贴研发成本和资本支出。
联合研究最早将于今年夏天开始，2025财年至2027财年将形成一个研究和量产中心。
全球最大的代工芯片制造商台积电正在日本熊本县建设芯片工厂，但该工厂将只生产从 10nm 到 20nm 范围的不太先进的半导体。
较小的半导体可以实现设备的小型化和改进的性能。2纳米芯片将用于量子计算机、数据中心和尖端智能手机等产品。这些芯片还降低了功耗，减少了碳足迹。
5月初，日美签署了半导体合作基本原则。双方将在即将举行的“二加二”内阁经济官员会议上讨论合作框架的细节。
在 2 纳米研发方面实力雄厚的 IBM 去年开发了原型。同为美国公司的英特尔公司也在进行 2 纳米工艺的研发。
在日本，由国立先进工业科学技术研究所运营的筑波市研究实验室正在开展一项合作，以开发先进半导体生产线的制造技术，包括 2 纳米工艺的生产技术。东京电子和佳能等芯片制造设备制造商与 IBM、英特尔和台积电一起参与了这个集体。
日本拥有信越化学和 Sumco 等强大的芯片材料制造商，而美国则拥有芯片制造设备巨头应用材料公司。芯片制造商和主要供应商之间的这种合作旨在使 2 纳米芯片的量产技术触手可及。
台积电处于下一代芯片量产的前沿。该公司预计今年将在 2 纳米制造设施上破土动工，并有望在今年晚些时候开始大规模制造 3 纳米芯片。
日本的2nm雄心
在去年五月，就有报道日本政府正在寻求吸引国外优秀的芯片制造商能赴日本建立圆晶工厂，以促进日本在半导体行业的发展。台积电后来也做了决定，虽然是28nm工艺，但也是个好的开始。
媒体在今年一月的报道也指出，台积电将与日本经济产业省成立合资公司，在东京设立先进封测厂。
而根据报导，台积电是要在日本茨城县筑波市新设技术研发中心， 研发中心包括晶圆制程及3D封装。
从过往的报道看来，日本的这个决定也是有其背后的考量的。因为晶体管微缩受限，过去多年在业界就存在一个观点，那就是借用先进封装可以继续推进芯片性能的提升。
而台积电在去年九月更是推出了其3D Fabric平台，将SoIC、CoWoS、InFO等技术家族囊入其中，能串联高频宽存储、异构整合和3D堆叠，以提升系统能耗，并缩小面积。
台积电研发副总余振华也以TSMC的SoIC技术为例，讲述他们这个平台的优势
。他指出，这个技术可将低温多层存储堆叠在逻辑芯片上，帮助延伸摩尔定律。而公司现在已成功将4层、8层与12层低温多层记忆体堆叠在逻辑芯片上，其中12层总厚度更是低于600微米，这让公司在未来可以实现堆叠更多层的可能。
虽然日本已经紧抱台积电，为未来发展先进芯片制造做好了一部分准备。但从日前的新闻看来，日本的野心并不止于此。
最新报道指出，日本经济产业省最快在本周内，会召开与日本半导体产业有关的检讨会，除了会探索瑞萨电子工厂火灾对汽车生产的影响，以及汽车业供应链不稳定的隐忧外，日本政府还计划府着眼朝着数字化发展的当前经济，让半导体供应链体质更加强韧，并从经济安全保障等观点，重新拟定中长期的政策。
日经进一步指出，日本政府将提供资金支持、协助日本企业研发2nm以后的次世代半导体制造技术。为实现这个目标，他们除了继续保持和台积电、Intel等半导体大厂进行大范围的意见交换来进行研发外，他们还将与佳能、东电、SCREEN等本土设备巨头携手，重振日本在先进研发方面的实力。
据报道，这支该获得经产省资金援助的研发团队目标在2020年代中期确立2nm以后的次世代半导体的制造技术，并设立测试产线，研发细微电路的加工、洗净等制造技术。
厚积薄发的底气
正如文章开头所说，虽然日本没有先进的晶圆厂，但他们在先进工艺的上游有很重要的布局。以现在炙手可热的EUV光刻为例，虽然大家都知道全球目前荷兰公司ASML能提供领先的EUV光刻机。
但在半导体行业观察之前的报道中，我们可以看到日本公司在这个领域多个环节的实力。
首先来看缺陷检测设备，如果作为原始电路板的光掩模中存在缺陷，则半导体的缺陷率将相应增加。最近几年需求增长尤其旺盛的是EUV光罩（半导体线路的光掩模版、掩膜版）检验设备，在这个领域，日本的Lasertec Corp.是全球唯一的测试机制造商，Lasertec公司持有全球市场100%的份额。
日本另一个占据100%市场份额的是东京电子的EUV涂覆显影设备，该设备用于将特殊的化学液体涂在硅片上作为半导体材料进行显影。
1993年东电开始销售FPD生产设备涂布机/显影机，2000年交付了1000台涂布机/显影机“ CLEAN TRACK ACT 8”。在EUV光刻胶方面，日本的市场份额更是遥遥领先。
据南大光电在今年三月发布的相关报告中披露，如下图所示，全球仅有日本厂商研发出了EUV光刻胶，由此可以看到他们在这方面的实力。而欲了解更多日本在EUV方面的实力，可以参考半导体行业观察之前的文章《不容忽视的日本EUV实力》。
国际主要厂商在半导体光刻胶产品的产业化进度（source：南大光电）在先进工艺研发方面，还有一个重要环节，那就是本节开头谈到的EUV光刻机，这也是日本在先进工艺研发上将佳能纳入其中的原因。虽然这家曾经的光刻机巨头在这个领域已经被ASML抛离，但他们在光刻方面的积累，能某种程度上给日本的先进制造提供指引。
除了上述谈到的一些技术和企业外，如上图所示，日经在昨天的报道中，也披露了日本在半导体制造的多个环节参与其中。
由此可见，对于日本来说，要想在芯片制造上搞出一些浪花，是有其深厚的底气。与此同时，日本富岳“超算”上的富士通的48核Arm芯片A64FX的超强性能表现加上索喜5nm芯片的新闻表示，日本在先进芯片上也有其实力所在。
在这些企业的配合下，相信日本复兴半导体先进芯片技术乃至建造先进工艺晶圆厂，都有潜在的可能。当然，是否真会这样做晶圆厂，又是另一个层面的讨论。
日重振半导体，政府顾问：须880亿美金
台积电赴日建厂并获得日本政府的补助，被视为日本提高自身芯片制造能力的关键，据外媒报导，日本政府半导体小组的高级顾问认为，日本做得还不够多，如果想重振半导体产业，明年就应该提供减税优惠，并订下未来十年鼓励企业投资多达10兆日圆（约880亿美元）。
东哲郎认为，日本的半导体产业已低迷数十年，如今有增加补助经费的动作，应是扭转颓势的开端，“没有政府的初期投资，私营企业不会愿意投资。”
东哲郎建议，在未来的10年内，日本政府及私营部门应投资半导体产业10兆日圆。目前，增加对半导体产业的补助，在日本政界内已形成共识，据报导，日本首相岸田文雄也曾称，将为国内半导体生产提供逾1.4兆日圆的投资。
报导提到，因为芯片短缺，各国都在扩大自身的芯片制造能力，并增加补助经费，美国已投入520亿美元（约新台币1.44兆元），并成功吸引到台积电与三星赴美设厂，而中国也有相关的动作。
报导提到，日本过去为人诟病的一点是，对半导体产业的投资不足，并使得市场份额被抢走，如今日本政府也重新重视半导体产业，并承诺将重振半导体产业列为国家项目，目标是到2030年将国内半导体公司的年收入提高约3倍至13兆日圆（约1100字美元）。
东哲郎认为，在下一步，日本政府应在常规预算中，为芯片制造编列额外资金，而非使用一次性的预算进行帮忙。他认为，人们需要看到对这个项目的长期承诺，否则不会把政府当一回事，“若没有政府的初期投资，私营企业不会愿意投资。”
至于日本政府对半导体产业的减税优惠，应涵盖哪些项目，据东哲郎认为，包括：对芯片制造业免征企业所得税的研发、削减用水及公用事业成本，这都是值得讨论的方向。#半导体#
昨天看夕阳落下的时候
离愁别绪一下就涌上来了
兰州好美 从不了解到熟悉到想逃离再到喜欢 我把八年的青春留在了这座能吹着黄河晚风的城市
崽崽说 每座城市都有不同的眷恋和境遇 这里我遇到了很多人 举足轻重的 无关痛痒的 无论哪种 充斥着我生活的满满的全是感恩
记忆永远美好 就让这天的夕阳 留在我美丽的青春中
向前走 我知道 一定还有一个人在下一程等我 用余生陪我一起 柴米油盐 三餐一宿 仰望星空 仗剑天涯 https://t.cn/ESPvm13
离愁别绪一下就涌上来了
兰州好美 从不了解到熟悉到想逃离再到喜欢 我把八年的青春留在了这座能吹着黄河晚风的城市
崽崽说 每座城市都有不同的眷恋和境遇 这里我遇到了很多人 举足轻重的 无关痛痒的 无论哪种 充斥着我生活的满满的全是感恩
记忆永远美好 就让这天的夕阳 留在我美丽的青春中
向前走 我知道 一定还有一个人在下一程等我 用余生陪我一起 柴米油盐 三餐一宿 仰望星空 仗剑天涯 https://t.cn/ESPvm13
《甲乙经》卷六
【阴阳大论第七】
阴静阳躁，阳生阴长，阳杀阴藏。阳化气，阴成形。寒极生热，热极生寒。寒气生浊，热气生清。清气在下，则生飧泄；浊气在上，则生䐜胀。此阴阳反作，病之逆顺也。故清阳在天，浊阴为地；地气上为云，天气下为雨，雨出地气，云出天气。故清阳出上窍，浊阴出下窍；清阳发腠理，浊阴走五脏；清阳实四肢，浊阴归六腑。
水为阴，火为阳。阳为气，阴为味，味归形，形归气，气归精，精归化。精食气，形食味，化生精，气生形。味伤形，气伤精，精化为气，气伤于味，阴味出下窍，阳气出上窍。味厚者为阴，薄者为阴之阳；气厚者为阳，薄者为阳之阴。味厚则泄，薄则通；气薄则发泄，厚则发热。壮火之气衰，少火之气壮。壮火食气，气食少火。壮火散气，少火生气。气味辛甘发散为阳，酸苦涌泄为阴。
阴胜则阳病，阳胜则阴病。阴病则热，阳病则寒（《素问》作阳胜则热，阴胜则寒）。重寒则热，重热则寒。寒伤形，热伤气。气伤痛，形伤肿。故先痛而后肿者，气伤形也；先肿而后痛者，形伤风也。风胜则动，热胜则肿，燥胜则干，寒胜则浮，湿胜则濡泄。
天有四时五行，以生长收藏，以生寒暑燥湿风。人有五脏，化为五气，以生喜怒悲忧恐。故喜怒生气，寒暑伤形，暴怒伤阴，暴喜伤阳，厥气上行，满脉去形。故曰喜怒不节，寒暑过度，生乃不固。重阴必阳，重阳必阴，此阴阳之变也。
夫阴在内，阳之守也；阳在外，阴之使也。阳胜则身热，腠理闭，喘息粗，为之后闷（《素问》作俯仰）汗不出而热，齿干以烦闷，腹胀死，耐冬不耐夏。阴盛则身寒，汗出，身常清，数栗而寒，寒则厥，厥则腹满死，耐夏不耐冬。此阴阳更胜之变，病之形能也。
曰：调此二者奈何？曰：能知七损八益，则二者可调也；不知用此，则早衰矣。
清阳上天，浊阴归地。天气通于肺，地气通手咽，风气通于肝，雷气通于心，谷气通于脾，雨气通于肾。六经为川，肠胃为海，九窍为水注之气，暴风象雷，逆气象阳。故治不法天之纪，不用地之理，则灾害至矣。邪风之至，疾如风雨。故善治者治皮毛，其次治肌肤，其次治筋脉，其次治六府，其次治五脏。治五脏者，半生半死矣。故天之邪气，感则害五脏；水谷之寒热，感则害六府；地之湿气，感则害皮肉筋脉。故善针者，从阴引阳，从阳引阴，以右治左，以左治右，以我知彼，以表知里，以观过与不及之理，见微则过，用之不殆。
善诊者，察色按脉，光别阴阳，审清浊，而知部分，。视喘息，听声音，而知病所苦。观权衡视规矩，而知病所生。按尺寸，观浮沉滑涩，而知病所生。以治则无过，以诊则无失矣。
故曰：病之始起，可刺而己，其盛也，可待衰而已。故因其轻而扬之，因其重而减之，因其衰而彰之。形不足者，温之以气；精不足者，补之以味。其高者，因而越之。其下者，引而竭之。中满者，泻之于内。其有形者，渍形以为汗。其在皮君者，汗而发之。其慓悍者，按而收之。其实者，散而泻之。审其阴阳，以别柔刚。阳病治阴，阴病治阳。定其血气，各守其乡。血实宜决之，气实宜掣之引之。阴从右，阴从左（《素问》作阳从左，阴从右）。老从上，少从下。是以春夏归阳为生，归秋冬为死，反之则归秋冬为生。以气之多少逆顺，皆为厥。有余者，厥也。一上不下，寒厥到膝，少者秋冬死，老者秋冬生。气上不下，头痛癫疾，求阳不得，求之于阴（《素问》作求阴不审），五部隔无征，若居旷野，若伏空室，绵绵乎属不满目。
冬三月之病，在理已尽，草与柳叶皆杀，阴阳皆绝，期在孟春。冬三月之病，病合阳者，至春正月，脉有死征，皆归于春（《素问》作始春）。；春之三月之病，曰阳杀，阴阳皆绝，期在草干；夏三月之病，至阴不过十曰，阴阳交，期在溓水；秋三月之病，三阳俱起，不治自已。阴阳交合者，立不能坐，坐不能起。三阳独至，期在石水，二阴独至，期在盛水。
【阴阳大论第七】
阴静阳躁，阳生阴长，阳杀阴藏。阳化气，阴成形。寒极生热，热极生寒。寒气生浊，热气生清。清气在下，则生飧泄；浊气在上，则生䐜胀。此阴阳反作，病之逆顺也。故清阳在天，浊阴为地；地气上为云，天气下为雨，雨出地气，云出天气。故清阳出上窍，浊阴出下窍；清阳发腠理，浊阴走五脏；清阳实四肢，浊阴归六腑。
水为阴，火为阳。阳为气，阴为味，味归形，形归气，气归精，精归化。精食气，形食味，化生精，气生形。味伤形，气伤精，精化为气，气伤于味，阴味出下窍，阳气出上窍。味厚者为阴，薄者为阴之阳；气厚者为阳，薄者为阳之阴。味厚则泄，薄则通；气薄则发泄，厚则发热。壮火之气衰，少火之气壮。壮火食气，气食少火。壮火散气，少火生气。气味辛甘发散为阳，酸苦涌泄为阴。
阴胜则阳病，阳胜则阴病。阴病则热，阳病则寒（《素问》作阳胜则热，阴胜则寒）。重寒则热，重热则寒。寒伤形，热伤气。气伤痛，形伤肿。故先痛而后肿者，气伤形也；先肿而后痛者，形伤风也。风胜则动，热胜则肿，燥胜则干，寒胜则浮，湿胜则濡泄。
天有四时五行，以生长收藏，以生寒暑燥湿风。人有五脏，化为五气，以生喜怒悲忧恐。故喜怒生气，寒暑伤形，暴怒伤阴，暴喜伤阳，厥气上行，满脉去形。故曰喜怒不节，寒暑过度，生乃不固。重阴必阳，重阳必阴，此阴阳之变也。
夫阴在内，阳之守也；阳在外，阴之使也。阳胜则身热，腠理闭，喘息粗，为之后闷（《素问》作俯仰）汗不出而热，齿干以烦闷，腹胀死，耐冬不耐夏。阴盛则身寒，汗出，身常清，数栗而寒，寒则厥，厥则腹满死，耐夏不耐冬。此阴阳更胜之变，病之形能也。
曰：调此二者奈何？曰：能知七损八益，则二者可调也；不知用此，则早衰矣。
清阳上天，浊阴归地。天气通于肺，地气通手咽，风气通于肝，雷气通于心，谷气通于脾，雨气通于肾。六经为川，肠胃为海，九窍为水注之气，暴风象雷，逆气象阳。故治不法天之纪，不用地之理，则灾害至矣。邪风之至，疾如风雨。故善治者治皮毛，其次治肌肤，其次治筋脉，其次治六府，其次治五脏。治五脏者，半生半死矣。故天之邪气，感则害五脏；水谷之寒热，感则害六府；地之湿气，感则害皮肉筋脉。故善针者，从阴引阳，从阳引阴，以右治左，以左治右，以我知彼，以表知里，以观过与不及之理，见微则过，用之不殆。
善诊者，察色按脉，光别阴阳，审清浊，而知部分，。视喘息，听声音，而知病所苦。观权衡视规矩，而知病所生。按尺寸，观浮沉滑涩，而知病所生。以治则无过，以诊则无失矣。
故曰：病之始起，可刺而己，其盛也，可待衰而已。故因其轻而扬之，因其重而减之，因其衰而彰之。形不足者，温之以气；精不足者，补之以味。其高者，因而越之。其下者，引而竭之。中满者，泻之于内。其有形者，渍形以为汗。其在皮君者，汗而发之。其慓悍者，按而收之。其实者，散而泻之。审其阴阳，以别柔刚。阳病治阴，阴病治阳。定其血气，各守其乡。血实宜决之，气实宜掣之引之。阴从右，阴从左（《素问》作阳从左，阴从右）。老从上，少从下。是以春夏归阳为生，归秋冬为死，反之则归秋冬为生。以气之多少逆顺，皆为厥。有余者，厥也。一上不下，寒厥到膝，少者秋冬死，老者秋冬生。气上不下，头痛癫疾，求阳不得，求之于阴（《素问》作求阴不审），五部隔无征，若居旷野，若伏空室，绵绵乎属不满目。
冬三月之病，在理已尽，草与柳叶皆杀，阴阳皆绝，期在孟春。冬三月之病，病合阳者，至春正月，脉有死征，皆归于春（《素问》作始春）。；春之三月之病，曰阳杀，阴阳皆绝，期在草干；夏三月之病，至阴不过十曰，阴阳交，期在溓水；秋三月之病，三阳俱起，不治自已。阴阳交合者，立不能坐，坐不能起。三阳独至，期在石水，二阴独至，期在盛水。
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