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【GUC 推出“世界首个”7.2 Gbps的 HBM3解决方案】据eetimes 7月7日报道，创意电子Global Unichip Corp. (GUC)宣布，他们已经推出了硅片，使用 SK hynix的第一个可用 HBM3 样品证明了他们的 7.2 Gbps HBM3 解决方案。该平台在台积电2022北美技术研讨会合作伙伴馆进行了展示；它包含一个 HBM3 控制器、一个 PHY、GLink-2.5D die-to-die 接口和一个 112G SerDes。该平台支持 TSMC CoWoS-S（硅中介层）和CoWoS-R（有机中介层）先进封装技术。

该平台通过在高功率（高达 400 W）SoC中集成多个 HBM3 存储器、GLink-2.5D 芯片到芯片接口和 112G-LR 通道来代表现实世界的 CPU/GPU/AI/网络芯片。GUC设计了SoC芯片、中介层、基板和DFT，以满足系统级的高功率和高速要求；具有丰富的操作经验，管理委托的材料和最终测试；并与台积电合作进行CoWoS封装组装。

HBM3 PHY 和控制器 IP 已准备好以 7.2 Gbps的速度进行高产量生产。GUC 正在申请专利的内插器设计允许在 PHY 和内存之间以任何角度进行 HBM3 总线路由，同时保持与常规直接 HBM 总线路由相同的信号质量。它还为SoC和中介层布局规划提供了高度的灵活性。GUC 的专利解决方案能够将一个 HBM3 芯片的内存总线拆分为两个独立的SoC芯片中的两个控制器/PHY 对。这一独特功能支持配置 2:6 或 2:10 SoC与 HBM3 用例。

SK hynix的 HBM3——用于 GUC 的控制器、PHY 和平台——提供高达 819 GB/s 的带宽。“最近我们开始批量生产 HBM3，并证明了其最佳性能。”SK hynix DRAM 产品规划负责人SungsooRyu表示：“通过这次合作，SK hynix和 GUC 能够确认他们在 HBM 生态系统中的合作伙伴关系。我们感谢这次合作，这是一个证明世界上最好的 HBM3 解决方案，并巩固我们在高端 DRAM 市场的领导地位的机会。”

（编译：毛月）

2022.07.06 Up
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