税收下降 日本国税厅鼓励年轻人多喝酒以缓解颓势
日本国税厅目前正在主办“清酒万岁”大赛，鼓励年轻人多喝酒，以提振正在衰颓的饮酒行业。
据英媒报道，该比赛要求20至39岁的年轻人分享他们的商业理念，“重振日本饮酒风气”，以激发同龄人的（饮酒）需求——无论是日本清酒、烧酒、威士忌、啤酒还是葡萄酒。比赛报名截止日期为9月9日，决赛定于11月10日在东京举行。
报道指出，由于人口年龄结构变化、新冠疫情影响、新时代生活方式改变，日本酒类销售每况愈下。据日本国税厅数据，1995年成人平均每年饮酒量为100升，2020年已降至75升。从税收额来看，1980年酒精税占日本税收5%， 2020年只剩1.7%。
这一举措在社交媒体上遭到了强烈反对，日本经济学家田中秀臣也批评称，比起年轻人的健康，日本国税厅更想要酒税。
另据日媒报道，对于国税厅推动的“清酒万岁”活动，注重维护国民健康的厚生劳动省有些尴尬，仅表示该单位没有与国税厅合作推动该比赛，希望在推广的同时也要注意“适量饮酒”的原则。
日本国税厅目前正在主办“清酒万岁”大赛，鼓励年轻人多喝酒，以提振正在衰颓的饮酒行业。
据英媒报道，该比赛要求20至39岁的年轻人分享他们的商业理念，“重振日本饮酒风气”，以激发同龄人的（饮酒）需求——无论是日本清酒、烧酒、威士忌、啤酒还是葡萄酒。比赛报名截止日期为9月9日，决赛定于11月10日在东京举行。
报道指出，由于人口年龄结构变化、新冠疫情影响、新时代生活方式改变，日本酒类销售每况愈下。据日本国税厅数据，1995年成人平均每年饮酒量为100升，2020年已降至75升。从税收额来看，1980年酒精税占日本税收5%， 2020年只剩1.7%。
这一举措在社交媒体上遭到了强烈反对，日本经济学家田中秀臣也批评称，比起年轻人的健康，日本国税厅更想要酒税。
另据日媒报道，对于国税厅推动的“清酒万岁”活动，注重维护国民健康的厚生劳动省有些尴尬，仅表示该单位没有与国税厅合作推动该比赛，希望在推广的同时也要注意“适量饮酒”的原则。
【经文连载】杂宝藏经卷第二 · 昔仇迦离谤舍利弗缘 第二十五
白话
过去有尊者舍利弗和目连，游历各个村落，到了瓦师（做陶瓦器）的地方，正值天上下起了大雨，于是就在其中过夜。恰巧碰上瓦窑里面，先前有一个牧牛的女人，在后边很深的地方；（可是）声闻圣人在没有入定的时候和凡夫没有什么不同，所以不知道也没有看见那个女人。那个牧牛的女人，看见舍利弗和目连尊者容貌端正，心中贪爱、迷惑于（端正的容貌）执著不离，（身体）就流出不净之物。
尊者舍利弗、目连从瓦窑里面走出来。（有一个叫）仇迦离的人，擅长观察人的外形相貌，观察别人的脸色，就知道做了淫欲之事还是没做淫欲之事。他看见牧牛的女人在（两位尊者的）后面走出，这个女人脸色有做了淫欲事情的相。（但）他不知道那个女人（是）自己心中生起贪爱、迷惑执著不舍，而流出不净之物的。于是就诽谤说：“尊者舍利弗、目连与牧牛女行淫。”他向很多比丘广泛地诉说这件事。当时那些比丘就三次直言劝告他说：“不要诽谤尊者舍利弗、目连。”当时仇迦离心中生起的嗔恨和嫉妒，倍加地炽盛。
有一个长者，名字叫娑伽，尊者舍利弗、目连（曾）为他说佛法的要义，（长者）得到了阿那含①的果位，命终之后转生到了梵天上，名叫婆迦梵。婆迦梵直接在天上（就）知道了仇迦离诽谤尊者舍利弗和目连，立即来到下界，到了仇迦离的房子里面。仇迦离问他：“你是谁啊？”回答说：“我是婆迦梵。”“你为什么事而来呀？”婆迦梵说：“我用天耳听到你诽谤尊者舍利弗、目连，你不要说尊者有这样的事。”这样三次规劝，（仇伽离不仅）没有停止（诽谤），反而这样说：“你这个婆迦梵！说你得了阿那含果，阿那含，名字意思叫不还，为什么还来到我这里？如果是这样，佛所说的话也是虚假的。”婆迦梵说：“不还，就是不回欲界受生的意思。”
这时仇迦离，在他的身上，就生（满）了恶疮，从头到脚，大小像豆子一样。他前往佛陀住的地方，对佛说：“为什么舍利弗、目连与牧牛女行淫呢？”佛又劝告他说：“你不要说是舍利弗、目连（做了）这样的事。”听到佛这话，仇迦离倍加嗔怒，此时身上的恶疱疮变大得像沙果②一样。第二次又拿这件事，来禀白于佛，佛再次劝告他说：“不要说这件事了。”这时疱疮变大得像拳头一样了。第三次他还是没有停止（说这件事），他的疱疮变大得像瓠③一样，身体强烈的发热，跳入冰冷的池塘里面，能让冰冷的池水剧烈地沸腾。仇伽离身上的疱疮全部溃烂了，立刻就命终，堕到了摩诃忧波地狱里面。
这时有比丘对佛说：“世尊！是什么因缘，让尊者舍利弗、目连，被他重重地诽谤呢？”
佛说：“在过去劫的时候，舍利弗、目（犍）连曾经是凡夫，看见辟支佛从瓦师（做陶瓦器）的窑里面走出，也有一个放牛的女人跟在辟支佛的后面出来。于是就诽谤说：‘那个比丘肯定和这个女人一起私通。’因为这个恶业的因缘，堕落到三恶道中，承受无量的痛苦；现在虽然修得了圣果，（成就了阿罗汉，）由于先前的（恶业因）缘没有完结，还是被人诽谤。要知道声闻人是不能够为众生做大善知识的。为什么呢？如果舍利弗、目连为仇伽离显现一点点神通，仇伽离一定能够免于堕地狱之苦；因为没有为他显现的缘故，让仇伽离堕在地狱里面，（发生）这样的事情。”
佛这样说道：“如果是菩萨人，比如鸠留孙佛住世的时侯，有一个仙人，名字叫做定光，和五百个仙人一起在山林中的草窟里面住。那时有一个妇人偶尔经过此地，正值天降大雨，风寒到了极点，这个妇人没有避雨的地方，就到定光仙人的住处寄宿了一夜。第二天出去的时候，被这些仙人看到了，于是就诽谤说：‘这个定光仙人一定和那个女人一起做了淫欲的事。’那时定光仙人，知道他们心中的念头，害怕他们因为诽谤而堕于地狱，就飞升到空中，有七个多罗树那么高，并作了十八种神通变化。这些仙人见到以后，就说：‘身体能够离地四指（高）就没有淫欲了；何况定光，飞升到空中，有大神变，（这样的人）会有淫欲之事？我们这些人为什么对清净的人生起诽谤呢？’于是五百仙人就五体投地，（对定光仙人）恭敬忏悔。因为这样的缘故，得以免于重罪。你们应当知道，菩萨有大的善巧方便，真正是众生的善知识啊。”
佛说：“那时的定光仙人，就是现在的弥勒菩萨。那时的五百仙人，就是现在的长老等五百比丘。”
①阿那含：佛教声闻乘中的第三果名，译为“不还”，或是“不来”，是断尽欲界的烦恼的圣人的通称。
②沙果：凡是修到此果位的圣人，未来当生于色界无色界，不再来欲界受生死，所以叫做“不还”。
③瓠：果实长圆形，类似于葫芦。
经典原文
昔有尊者舍利弗、目连，游诸聚落，到瓦师①所，值天大雨，即于中宿。会值陶[通‘窑’]中先时有一牧牛之女，在后深处。而声闻人，不入定时，无异凡夫，故不知见。彼牧牛女，见舍利弗、目连其容端正，心中惑著，便失不净。
尊者舍利弗、目连，从瓦陶[通‘窑’]出。仇迦离善于形相，观人颜色②，知作欲相不作欲相，见牧牛女在后而出，其女颜色，有成欲相，不知彼女自生惑著而失不净，即便谤言：“尊者舍利弗、目连，淫[原文为“媱”]牧牛女。”向诸比丘，广说是事。时诸比丘，即便三谏：“莫谤尊者舍利弗、目连。”时仇伽离心生瞋嫉，倍更忿盛。
有一长者，名曰娑伽，尊者舍利弗、目连，为说法要，得阿那含，命终生梵天上，即称名为婆迦梵。时婆迦梵，迳[同“径”]于天上，知仇伽离谤尊者舍利弗、目连，即便来下，至仇伽离房中。仇伽离问言：“汝是阿谁？”答言：“我是婆迦梵。”“为何事来？”梵言：“我以天耳，闻汝谤尊者舍利弗、目连，汝莫说尊者等有如此事。”如是三谏。谏之不止，反作是言：“汝婆迦梵！言得阿那含，阿那含者，名为不还，何以来至我边？若如是者，佛语亦虚。”梵言：“不还者，谓不还欲界受生。”
时仇伽离，于其身上，即生恶疮，从头至足，大小如豆。往至佛所，而白佛言：“云何舍利弗、目连，淫牧牛女？”佛复谏言：“汝莫说是舍利弗、目连是事。”闻佛此语，倍生瞋恚，时恶疱疮转大如柰③。第二又以此事，而白于佛，佛复谏言：“莫说此事。”疱疮转大如拳。第三不止，其疱转大如瓠，身体壮热，入冷池中，能令冰池甚大沸热，疱疮尽溃，即时命终，堕摩诃忧波地狱。
尔时比丘白佛言：“世尊，以何因缘？尊者舍利弗、目连等，为他重谤？”
佛言：“过去劫时，舍利弗、目连等，曾为凡夫。见辟支佛出瓦师陶中，亦有放牛女，从后而出，即便谤言：‘彼比丘者，必与此女，共为交通。’由是业缘，堕三恶道中，受无量苦；今虽得圣，先缘不尽，犹被诽谤。当知声闻人，不能为众生作大善知识。所以者何？若舍利弗、目连，为仇伽离，现少神足，仇伽离必免地狱；不为现故，使仇伽离堕于地狱，如此之事。”
佛作是说：“若是菩萨人，如鸠留孙佛时，有一仙人，名曰定光，共五百仙人，在于山林中草窟里住。时有妇人，偶行在此，值天降雨风寒理极，无避雨处，即向定光仙人所，寄宿一夜。明日出去，诸仙人见之，即便谤言：‘此定光仙，必共彼女，行不净行。’尔时定光，知彼心念，恐其诽谤，堕于地狱，即升虚空，高七多罗树，作十八变。诸仙人见已，而作是言：‘身能离地四指，无有淫欲；何况定光，升虚空中，有大神变，而有欲事？我等云何，于清净人，而起诽谤？’时五百仙，即五体投地，曲躬④忏悔。缘是之故，得免重罪。当知菩萨有大方便，真是众生善知识也。”
佛言：“尔时定光仙人者，今弥勒是也。尔时五百仙人者，今长老等五百比丘是也。”
①瓦师：制造陶瓦器的工匠。
②颜色：面容，面色。
③柰：似苹果而小，通称柰子，也称“花红”、“沙果”。
④曲躬：折腰，形容恭顺。
《杂宝藏经》·卷一卷二回顾：
白话
过去有尊者舍利弗和目连，游历各个村落，到了瓦师（做陶瓦器）的地方，正值天上下起了大雨，于是就在其中过夜。恰巧碰上瓦窑里面，先前有一个牧牛的女人，在后边很深的地方；（可是）声闻圣人在没有入定的时候和凡夫没有什么不同，所以不知道也没有看见那个女人。那个牧牛的女人，看见舍利弗和目连尊者容貌端正，心中贪爱、迷惑于（端正的容貌）执著不离，（身体）就流出不净之物。
尊者舍利弗、目连从瓦窑里面走出来。（有一个叫）仇迦离的人，擅长观察人的外形相貌，观察别人的脸色，就知道做了淫欲之事还是没做淫欲之事。他看见牧牛的女人在（两位尊者的）后面走出，这个女人脸色有做了淫欲事情的相。（但）他不知道那个女人（是）自己心中生起贪爱、迷惑执著不舍，而流出不净之物的。于是就诽谤说：“尊者舍利弗、目连与牧牛女行淫。”他向很多比丘广泛地诉说这件事。当时那些比丘就三次直言劝告他说：“不要诽谤尊者舍利弗、目连。”当时仇迦离心中生起的嗔恨和嫉妒，倍加地炽盛。
有一个长者，名字叫娑伽，尊者舍利弗、目连（曾）为他说佛法的要义，（长者）得到了阿那含①的果位，命终之后转生到了梵天上，名叫婆迦梵。婆迦梵直接在天上（就）知道了仇迦离诽谤尊者舍利弗和目连，立即来到下界，到了仇迦离的房子里面。仇迦离问他：“你是谁啊？”回答说：“我是婆迦梵。”“你为什么事而来呀？”婆迦梵说：“我用天耳听到你诽谤尊者舍利弗、目连，你不要说尊者有这样的事。”这样三次规劝，（仇伽离不仅）没有停止（诽谤），反而这样说：“你这个婆迦梵！说你得了阿那含果，阿那含，名字意思叫不还，为什么还来到我这里？如果是这样，佛所说的话也是虚假的。”婆迦梵说：“不还，就是不回欲界受生的意思。”
这时仇迦离，在他的身上，就生（满）了恶疮，从头到脚，大小像豆子一样。他前往佛陀住的地方，对佛说：“为什么舍利弗、目连与牧牛女行淫呢？”佛又劝告他说：“你不要说是舍利弗、目连（做了）这样的事。”听到佛这话，仇迦离倍加嗔怒，此时身上的恶疱疮变大得像沙果②一样。第二次又拿这件事，来禀白于佛，佛再次劝告他说：“不要说这件事了。”这时疱疮变大得像拳头一样了。第三次他还是没有停止（说这件事），他的疱疮变大得像瓠③一样，身体强烈的发热，跳入冰冷的池塘里面，能让冰冷的池水剧烈地沸腾。仇伽离身上的疱疮全部溃烂了，立刻就命终，堕到了摩诃忧波地狱里面。
这时有比丘对佛说：“世尊！是什么因缘，让尊者舍利弗、目连，被他重重地诽谤呢？”
佛说：“在过去劫的时候，舍利弗、目（犍）连曾经是凡夫，看见辟支佛从瓦师（做陶瓦器）的窑里面走出，也有一个放牛的女人跟在辟支佛的后面出来。于是就诽谤说：‘那个比丘肯定和这个女人一起私通。’因为这个恶业的因缘，堕落到三恶道中，承受无量的痛苦；现在虽然修得了圣果，（成就了阿罗汉，）由于先前的（恶业因）缘没有完结，还是被人诽谤。要知道声闻人是不能够为众生做大善知识的。为什么呢？如果舍利弗、目连为仇伽离显现一点点神通，仇伽离一定能够免于堕地狱之苦；因为没有为他显现的缘故，让仇伽离堕在地狱里面，（发生）这样的事情。”
佛这样说道：“如果是菩萨人，比如鸠留孙佛住世的时侯，有一个仙人，名字叫做定光，和五百个仙人一起在山林中的草窟里面住。那时有一个妇人偶尔经过此地，正值天降大雨，风寒到了极点，这个妇人没有避雨的地方，就到定光仙人的住处寄宿了一夜。第二天出去的时候，被这些仙人看到了，于是就诽谤说：‘这个定光仙人一定和那个女人一起做了淫欲的事。’那时定光仙人，知道他们心中的念头，害怕他们因为诽谤而堕于地狱，就飞升到空中，有七个多罗树那么高，并作了十八种神通变化。这些仙人见到以后，就说：‘身体能够离地四指（高）就没有淫欲了；何况定光，飞升到空中，有大神变，（这样的人）会有淫欲之事？我们这些人为什么对清净的人生起诽谤呢？’于是五百仙人就五体投地，（对定光仙人）恭敬忏悔。因为这样的缘故，得以免于重罪。你们应当知道，菩萨有大的善巧方便，真正是众生的善知识啊。”
佛说：“那时的定光仙人，就是现在的弥勒菩萨。那时的五百仙人，就是现在的长老等五百比丘。”
①阿那含：佛教声闻乘中的第三果名，译为“不还”，或是“不来”，是断尽欲界的烦恼的圣人的通称。
②沙果：凡是修到此果位的圣人，未来当生于色界无色界，不再来欲界受生死，所以叫做“不还”。
③瓠：果实长圆形，类似于葫芦。
经典原文
昔有尊者舍利弗、目连，游诸聚落，到瓦师①所，值天大雨，即于中宿。会值陶[通‘窑’]中先时有一牧牛之女，在后深处。而声闻人，不入定时，无异凡夫，故不知见。彼牧牛女，见舍利弗、目连其容端正，心中惑著，便失不净。
尊者舍利弗、目连，从瓦陶[通‘窑’]出。仇迦离善于形相，观人颜色②，知作欲相不作欲相，见牧牛女在后而出，其女颜色，有成欲相，不知彼女自生惑著而失不净，即便谤言：“尊者舍利弗、目连，淫[原文为“媱”]牧牛女。”向诸比丘，广说是事。时诸比丘，即便三谏：“莫谤尊者舍利弗、目连。”时仇伽离心生瞋嫉，倍更忿盛。
有一长者，名曰娑伽，尊者舍利弗、目连，为说法要，得阿那含，命终生梵天上，即称名为婆迦梵。时婆迦梵，迳[同“径”]于天上，知仇伽离谤尊者舍利弗、目连，即便来下，至仇伽离房中。仇伽离问言：“汝是阿谁？”答言：“我是婆迦梵。”“为何事来？”梵言：“我以天耳，闻汝谤尊者舍利弗、目连，汝莫说尊者等有如此事。”如是三谏。谏之不止，反作是言：“汝婆迦梵！言得阿那含，阿那含者，名为不还，何以来至我边？若如是者，佛语亦虚。”梵言：“不还者，谓不还欲界受生。”
时仇伽离，于其身上，即生恶疮，从头至足，大小如豆。往至佛所，而白佛言：“云何舍利弗、目连，淫牧牛女？”佛复谏言：“汝莫说是舍利弗、目连是事。”闻佛此语，倍生瞋恚，时恶疱疮转大如柰③。第二又以此事，而白于佛，佛复谏言：“莫说此事。”疱疮转大如拳。第三不止，其疱转大如瓠，身体壮热，入冷池中，能令冰池甚大沸热，疱疮尽溃，即时命终，堕摩诃忧波地狱。
尔时比丘白佛言：“世尊，以何因缘？尊者舍利弗、目连等，为他重谤？”
佛言：“过去劫时，舍利弗、目连等，曾为凡夫。见辟支佛出瓦师陶中，亦有放牛女，从后而出，即便谤言：‘彼比丘者，必与此女，共为交通。’由是业缘，堕三恶道中，受无量苦；今虽得圣，先缘不尽，犹被诽谤。当知声闻人，不能为众生作大善知识。所以者何？若舍利弗、目连，为仇伽离，现少神足，仇伽离必免地狱；不为现故，使仇伽离堕于地狱，如此之事。”
佛作是说：“若是菩萨人，如鸠留孙佛时，有一仙人，名曰定光，共五百仙人，在于山林中草窟里住。时有妇人，偶行在此，值天降雨风寒理极，无避雨处，即向定光仙人所，寄宿一夜。明日出去，诸仙人见之，即便谤言：‘此定光仙，必共彼女，行不净行。’尔时定光，知彼心念，恐其诽谤，堕于地狱，即升虚空，高七多罗树，作十八变。诸仙人见已，而作是言：‘身能离地四指，无有淫欲；何况定光，升虚空中，有大神变，而有欲事？我等云何，于清净人，而起诽谤？’时五百仙，即五体投地，曲躬④忏悔。缘是之故，得免重罪。当知菩萨有大方便，真是众生善知识也。”
佛言：“尔时定光仙人者，今弥勒是也。尔时五百仙人者，今长老等五百比丘是也。”
①瓦师：制造陶瓦器的工匠。
②颜色：面容，面色。
③柰：似苹果而小，通称柰子，也称“花红”、“沙果”。
④曲躬：折腰，形容恭顺。
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【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
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氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
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氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
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