地藏月做这九件事，诸佛欢喜，福慧双增！
华严家风
知一切法，皆是自心，而无所著；知一切法，即心自性，成就慧身，不由他悟。
佛教一直提倡农历七月为僧信孝亲报恩、祈福修善的“吉祥月”“功德月”“报恩月”“孝道月”“福田月”“僧伽月”。而每年的农历七月十五，更是孝亲报恩、供养僧众的“盂兰盆节、佛欢喜日”。所谓“佛欢喜日”，源自于佛陀时代的古印度。比丘们经过长达三个月的“结夏安居”，到了七月十五日这天，也就是安居结束之日，所有比丘一一把自己的修行体悟向佛陀报告，等待佛陀的认可，所有这一天也叫“僧自恣日”，又名“佛欢喜日”。在2000多年后的今日，在这一殊胜之日即将到来之际，我们居家善信们可以做以下这九件事培植福德、智慧两种资粮，使佛欢喜，共度“盂兰盆节”！
盂兰盆节，佛欢喜日，做这九件事 福慧双增！
第1件 - 供佛 -
《长阿含经》云：天及世间人，唯佛为最上，
欲求大福者，当供养三宝。
“供养诸佛菩萨”有两种深意：
一为报恩：从无始劫以来一切众生都曾有恩于我们，而恩德最大的莫过于诸佛菩萨了。
佛陀是我们的老师，我们接受佛的教诲，才能得到真正觉悟，从而成就法身慧命。
所以供佛是为了报恩，感念诸佛菩萨从久远劫来就于五浊恶世救拔我们，以大慈大悲大愿之力，令我们出离苦海，走上解脱成佛之菩提大道。
二为见贤思齐：成佛不是一句虚言。十方三世一切诸佛都是从凡夫而得成就的。
所以供养佛的形象，意在提醒我们要见贤思齐，我们也要像他一样解脱成佛！
第2件- 斋僧 -
《盂兰盆经》云：
若能以饭食、卧具、医药供养十方僧众，藉此十方僧众清净共修，功德回向之力，能使供养者，往昔七世父母、六亲眷属得远离三恶道，现世父母及其本人，长寿无病无恼，衣食自然具足，身心安乐。僧宝是一切世间人供养、布施、修福的无上福田。如有人发心供养十方僧众，以此供养之功德，回向给供养者的七世父母及六亲眷属，被回向者便可远离三恶道。如回向给现世父母及本人，也能使现世者长寿无病无恼，衣食具足，身心安乐。供养僧众不仅能超拔七世父母，使现世人得到利益，还能与梵行者结下善缘，长养供养布施的喜舍之心，深植出世的菩提善因。
第3件- 诵经 -
《法华经》云：
如果有人受持、读诵、正忆念如是经典，解其义趣，如说修行，当知是人行普贤行，
于无量无边诸佛所深种善根。
佛陀所说之经典，是开示后人悟入圣道、解脱成佛的法要。若有人能虔诚诵持佛经，不仅可得诸天护法和诸天善神的护佑，更能增长世出世间之智慧。
第4件- 放生 -
《梵网经》云：
一切男子是我父，一切女人是我母，我生生无不从之受生，故六道众生皆是我父母；而杀而食，即杀我父母，亦杀我故身。故常行放生，生生受生，常住之法，教人放生。
古人云：“救人一命胜造七层浮屠。”救护、爱护每一个众生，也是我们佛弟子们应该做的。
每一个生命无论贫富贵贱、庄严丑陋、聪明愚痴，无论于六道中以何种形态存在，都值得被尊重！
何况生生世世以来，六道众生可能都做过我们过去世的父母双亲，我们又何忍杀害、圈捕它们呢？对于一切众生，我们都应平等待之、爱护之！
第5件- 抄经 -
《金刚经》云：
闻此经典，信心不逆，其福胜彼。
何况书写、受持读诵，为人解说。
抄写佛经是修行中的方便易行门。抄经之人不仅赞法、亲近诸佛菩萨、更趋向解脱之道，更能摄取福德，开增智慧。此外抄经者还会受天神护法的庇佑，消灾免难。
第6件- 来寺礼佛 -
《业报差别经》云：
礼佛一拜，从其膝下至金刚际，
一尘一转轮王位。
寺院是佛弟子们培福修慧的场所，也是天下之人与诸佛菩萨结下善缘的场所。
在盂兰盆节、佛欢喜日来寺院礼佛，不仅能够感受到一份喜悦的清净法喜，更能于未来解脱成佛之路上种下善因。
第7件- 做场佛事 -
《地藏菩萨本愿经》云：
过去父母、男女弟妹、夫妻眷属，在于恶趣，未得出离，无处希望福力救拔，当告宿世骨肉，使作方便，愿离恶道。孝亲报恩月，很多善信选择在此农历七月超拔过去世父母师长、历代六亲眷属、冤情债主。超拔过去世父母师长的同时，也千万别忘了为现世父母师长、六亲眷属消灾延寿，为现世人做功德，祈愿他们吉祥安康、福慧增长！
第8件- 做次布施 -
《杂宝藏经》云：
如果有人以清净心，向佛陀、僧众、父母、病人布施一掬水，以此功德，在数千万劫中都会感受无穷的福报。贫穷从悭贪而来，富贵从布施中来。我们现在所拥有的一切，都从过去世的修善积德中来。常言道“越布施，越有福”，无论是从精神方面，还是物质方面，皆是如此。
第9件- 吃顿素食 -
《梵网经》云：
若佛子一切肉不得食，食肉断大慈悲佛种子，一切众生见而舍去，是故一切菩萨不得食一切众生肉，食肉得无量罪。佛陀慈悲，常劝世人戒杀护生，而戒杀护生中最简单易行的，便是食素了。在此佛欢喜日，盂兰盆节期间，大家可以吃素为现世父母及家人，累生累世父母及家人祈福，食用蔬菜、谷类等食物。食素一天，用一种朴素而虔诚的行动，来表达内心深处的那份铭记与感恩！在盂兰盆节、佛欢喜日无论你做了如上哪件善事或哪几件善事所做善行的最后一定不要忘记将此日所做善事的功德回向给自己或家人或累世家人或冤亲债主
有缘众生、乃至法界一切众生
愿以此功德生生值遇诸佛教诲愿正法久住愿众生一切罪障、病障悉消除愿众生离苦得乐、证得真实法性
愿众生自利利他、速成佛道！
华严家风
知一切法，皆是自心，而无所著；知一切法，即心自性，成就慧身，不由他悟。
佛教一直提倡农历七月为僧信孝亲报恩、祈福修善的“吉祥月”“功德月”“报恩月”“孝道月”“福田月”“僧伽月”。而每年的农历七月十五，更是孝亲报恩、供养僧众的“盂兰盆节、佛欢喜日”。所谓“佛欢喜日”，源自于佛陀时代的古印度。比丘们经过长达三个月的“结夏安居”，到了七月十五日这天，也就是安居结束之日，所有比丘一一把自己的修行体悟向佛陀报告，等待佛陀的认可，所有这一天也叫“僧自恣日”，又名“佛欢喜日”。在2000多年后的今日，在这一殊胜之日即将到来之际，我们居家善信们可以做以下这九件事培植福德、智慧两种资粮，使佛欢喜，共度“盂兰盆节”！
盂兰盆节，佛欢喜日，做这九件事 福慧双增！
第1件 - 供佛 -
《长阿含经》云：天及世间人，唯佛为最上，
欲求大福者，当供养三宝。
“供养诸佛菩萨”有两种深意：
一为报恩：从无始劫以来一切众生都曾有恩于我们，而恩德最大的莫过于诸佛菩萨了。
佛陀是我们的老师，我们接受佛的教诲，才能得到真正觉悟，从而成就法身慧命。
所以供佛是为了报恩，感念诸佛菩萨从久远劫来就于五浊恶世救拔我们，以大慈大悲大愿之力，令我们出离苦海，走上解脱成佛之菩提大道。
二为见贤思齐：成佛不是一句虚言。十方三世一切诸佛都是从凡夫而得成就的。
所以供养佛的形象，意在提醒我们要见贤思齐，我们也要像他一样解脱成佛！
第2件- 斋僧 -
《盂兰盆经》云：
若能以饭食、卧具、医药供养十方僧众，藉此十方僧众清净共修，功德回向之力，能使供养者，往昔七世父母、六亲眷属得远离三恶道，现世父母及其本人，长寿无病无恼，衣食自然具足，身心安乐。僧宝是一切世间人供养、布施、修福的无上福田。如有人发心供养十方僧众，以此供养之功德，回向给供养者的七世父母及六亲眷属，被回向者便可远离三恶道。如回向给现世父母及本人，也能使现世者长寿无病无恼，衣食具足，身心安乐。供养僧众不仅能超拔七世父母，使现世人得到利益，还能与梵行者结下善缘，长养供养布施的喜舍之心，深植出世的菩提善因。
第3件- 诵经 -
《法华经》云：
如果有人受持、读诵、正忆念如是经典，解其义趣，如说修行，当知是人行普贤行，
于无量无边诸佛所深种善根。
佛陀所说之经典，是开示后人悟入圣道、解脱成佛的法要。若有人能虔诚诵持佛经，不仅可得诸天护法和诸天善神的护佑，更能增长世出世间之智慧。
第4件- 放生 -
《梵网经》云：
一切男子是我父，一切女人是我母，我生生无不从之受生，故六道众生皆是我父母；而杀而食，即杀我父母，亦杀我故身。故常行放生，生生受生，常住之法，教人放生。
古人云：“救人一命胜造七层浮屠。”救护、爱护每一个众生，也是我们佛弟子们应该做的。
每一个生命无论贫富贵贱、庄严丑陋、聪明愚痴，无论于六道中以何种形态存在，都值得被尊重！
何况生生世世以来，六道众生可能都做过我们过去世的父母双亲，我们又何忍杀害、圈捕它们呢？对于一切众生，我们都应平等待之、爱护之！
第5件- 抄经 -
《金刚经》云：
闻此经典，信心不逆，其福胜彼。
何况书写、受持读诵，为人解说。
抄写佛经是修行中的方便易行门。抄经之人不仅赞法、亲近诸佛菩萨、更趋向解脱之道，更能摄取福德，开增智慧。此外抄经者还会受天神护法的庇佑，消灾免难。
第6件- 来寺礼佛 -
《业报差别经》云：
礼佛一拜，从其膝下至金刚际，
一尘一转轮王位。
寺院是佛弟子们培福修慧的场所，也是天下之人与诸佛菩萨结下善缘的场所。
在盂兰盆节、佛欢喜日来寺院礼佛，不仅能够感受到一份喜悦的清净法喜，更能于未来解脱成佛之路上种下善因。
第7件- 做场佛事 -
《地藏菩萨本愿经》云：
过去父母、男女弟妹、夫妻眷属，在于恶趣，未得出离，无处希望福力救拔，当告宿世骨肉，使作方便，愿离恶道。孝亲报恩月，很多善信选择在此农历七月超拔过去世父母师长、历代六亲眷属、冤情债主。超拔过去世父母师长的同时，也千万别忘了为现世父母师长、六亲眷属消灾延寿，为现世人做功德，祈愿他们吉祥安康、福慧增长！
第8件- 做次布施 -
《杂宝藏经》云：
如果有人以清净心，向佛陀、僧众、父母、病人布施一掬水，以此功德，在数千万劫中都会感受无穷的福报。贫穷从悭贪而来，富贵从布施中来。我们现在所拥有的一切，都从过去世的修善积德中来。常言道“越布施，越有福”，无论是从精神方面，还是物质方面，皆是如此。
第9件- 吃顿素食 -
《梵网经》云：
若佛子一切肉不得食，食肉断大慈悲佛种子，一切众生见而舍去，是故一切菩萨不得食一切众生肉，食肉得无量罪。佛陀慈悲，常劝世人戒杀护生，而戒杀护生中最简单易行的，便是食素了。在此佛欢喜日，盂兰盆节期间，大家可以吃素为现世父母及家人，累生累世父母及家人祈福，食用蔬菜、谷类等食物。食素一天，用一种朴素而虔诚的行动，来表达内心深处的那份铭记与感恩！在盂兰盆节、佛欢喜日无论你做了如上哪件善事或哪几件善事所做善行的最后一定不要忘记将此日所做善事的功德回向给自己或家人或累世家人或冤亲债主
有缘众生、乃至法界一切众生
愿以此功德生生值遇诸佛教诲愿正法久住愿众生一切罪障、病障悉消除愿众生离苦得乐、证得真实法性
愿众生自利利他、速成佛道！
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
超越地缘政治的真相——这是个令人难以置信的世界
各个情报机构与秘密团体都表示，某种负面外星人在干预人类政府的决定。而这些外星人不是我们传统印象中的模样与形态，他们有些存在于更高维度，高维度的外星人比物质世界的外星人拥有更高的地位。这也是主流科学和教育系统一直在让人们只关注现实层面的原因，这是它们的隐藏机制。
不同的人类团体在和不同形态的外星人打交道，包括与物质世界的外星人合作、交易，与更高维度的非实体外星人建立某种特殊连接，以获取类似于中国文化中的“气”或是西方文化中的“能量”，从而让自我“升级”。
某些与外星人合作的团体是我们从未听说过的，但却拥有地球社会中极高的权力，换句话说，这些人正在创造一个负面外星人希望看到的世界，这些外星人正在严重影响人类社会的发展。
至于那些团体，他们的身份很神秘，他们的起源可以追溯到亚特兰蒂斯时期建立的某些“神秘学校”。在亚特兰蒂斯沉没后，积累的大量财富和权力在继续传承，直到今天。
这一切的秘密正准备被揭开，人类需要也有权力知晓一切真相。我们也将自己决定我们的未来，而不是由这些外星人决定。
#蓝色黎明##外星人##不明飞行物##教皇##梵蒂冈##意大利##共济会#
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