身处黑暗洞穴的孩子们还不知道
4公里之外，这只由英国洞穴救援专家Rick Stanton领衔的，来自不同国家，说着不同语言的几百人的救援队伍，正在为他们策划一场生命接力。
在这场救援行动中，最重要的角色就是那群给孩子们运送氧气和物资的潜水专家。50名顶尖的洞穴潜水专家冒着生命危险，在暗藏危机的通道和冰冷的地下水中来回穿梭，组成了一道生命线。
一周过去了
洞穴情况依然未见好转
可孩子们的情况恐怕容不得再等待
与此同时，澳洲的一帮人正在飞往泰国的航班上
他们的到来
直接改变了整个救援工作的进程
从上周而开始，澳洲就陆续派出了19名救援人员，有医生、警察，还有民间公益组织的潜水爱好者。他们放下工作，主动申请去泰国救人。
其中有8个人
承担了本次救援中最危险的工作
因为他们
救人行动提前10个小时开始！
麻醉师Harry：没有他，就无法救人
来自阿德莱德的麻醉科医生Richard Harris向医院请了几天假，他知道，跟医院的等待手术的病人比起来，6000多公里外的泰国，有一群孩子更急需他去救命。
很少有人知道
这个平日里沉默寡言的57岁麻醉师
实际上还是一个洞穴潜水高级玩家
尽管泰国那个洞穴外聚集了来自全世界的潜水专家，但是唯独却一个关键性的人物：一个懂得洞穴潜水的专业医生。如果没有一个专业医生亲自给这些孩子检查和评估身体状况，谁都不敢把这些孩子带进冰冷的地下水里。https://t.cn/RdO0KQ5
4公里之外，这只由英国洞穴救援专家Rick Stanton领衔的，来自不同国家，说着不同语言的几百人的救援队伍，正在为他们策划一场生命接力。
在这场救援行动中，最重要的角色就是那群给孩子们运送氧气和物资的潜水专家。50名顶尖的洞穴潜水专家冒着生命危险，在暗藏危机的通道和冰冷的地下水中来回穿梭，组成了一道生命线。
一周过去了
洞穴情况依然未见好转
可孩子们的情况恐怕容不得再等待
与此同时，澳洲的一帮人正在飞往泰国的航班上
他们的到来
直接改变了整个救援工作的进程
从上周而开始，澳洲就陆续派出了19名救援人员，有医生、警察，还有民间公益组织的潜水爱好者。他们放下工作，主动申请去泰国救人。
其中有8个人
承担了本次救援中最危险的工作
因为他们
救人行动提前10个小时开始！
麻醉师Harry：没有他，就无法救人
来自阿德莱德的麻醉科医生Richard Harris向医院请了几天假，他知道，跟医院的等待手术的病人比起来，6000多公里外的泰国，有一群孩子更急需他去救命。
很少有人知道
这个平日里沉默寡言的57岁麻醉师
实际上还是一个洞穴潜水高级玩家
尽管泰国那个洞穴外聚集了来自全世界的潜水专家，但是唯独却一个关键性的人物：一个懂得洞穴潜水的专业医生。如果没有一个专业医生亲自给这些孩子检查和评估身体状况，谁都不敢把这些孩子带进冰冷的地下水里。https://t.cn/RdO0KQ5
【腾讯中国电竞市场玩法：一年投资 10 亿元，《王者荣耀》要拍电视剧】彭博社消息，为了可主导规模达 130 亿美元的中国电竞市场，腾讯计划一年投资 10 亿元人民币，希望《王者荣耀》等热门游戏能够确保公司在电竞市场的领先地位。此外，腾讯还与运动品牌安德玛在游戏服装上达成合作，与 NBA 举办由顶尖玩家参加的竞技节目。腾讯的《王者荣耀》将被改编成一部奇幻小说，并拍摄电视剧，和以玩家为主角的电影。
国产刻蚀机达到世界顶尖水平 美国被迫放弃对中国禁运刻蚀机https://t.cn/Rg8WeNG 在介绍蚀刻机之前，我们先来了解下芯片制造的设计制造大概流程。
除了要达到IC设计的要求外，芯片的制造还要尽量追求更小的制程（所谓芯片制程，就是晶体管中栅极的最小宽度，即栅长的数值，也就是我们经常看到的XX nm），以达到降低能耗、提高性能的目的。而芯片的性能与电路中晶体管数量息息相关，单位面积上晶体管的数量又与芯片的制程紧密联系。
随着技术的不断升级（更小的制程），栅极宽度越来越窄，当制程逼近20纳米时，栅极对电流的控制能力会急剧下降，出现“电流泄露”问题；当制程逼近10纳米后，漏电问题就会变得十分严重。而漏电率如果不能降低，CPU 整体性能和功耗控制就会变得十分不理想。
为了解决这一问题，新的芯片制造工艺设计应运而生，典型的代表就是鳍式场效应晶体管 (FinFET：Fin Field-Effect Transistor)。这种新的晶体管设计使得芯片内部平面的结构变成了3D。
栅极形状的改制使得接触面积增大了，这在减少栅极宽度的同时能够降低漏电率，并且让晶体管的空间利用率大大增加。
现在，有了IC设计图，也有方法减小更小制程带来的漏电问题，接下来要做的，就是设计好加工的工艺流程，也就是在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来。
在芯片的实际制造过程中，步骤会因为不同的材料和工艺而有所差异，不过大体上皆采用这样的类似工艺过程，于是就需要用到光刻机和刻蚀机。
（晶圆上“雕刻”电路的流程）
首先，在晶圆表面沉积一层薄膜，紧接着再涂敷上光刻胶（光阻），这时候光刻机会按照设计好的IC电路对应制造的掩膜版（光罩）将光束打在不要的部分上，这一部分的光刻胶就会变质然后被化学药剂清洗除去。
这之后，刻蚀机要按照光刻机“描绘”出来的线路进行更深入的微观雕刻，刻出沟槽或接触孔，然后，光刻胶被除
为了保证每次往上“堆叠”新电路的过程都能顺利准确地进行，刻蚀机的加工精度必须非常高，要达到纳米级。以16纳米制程的CPU来说，刻蚀过程的加工尺度为普通人头发丝的五千分之一，而加工的精度和重复性的误差更需要控制在这一数值的十分之一以下。
作为芯片制造过程中的两种重要设备，刻蚀机和光刻机很容易被混淆。
光刻机的作用更像是雕刻之前在木板或者石板上描摹绘线，而刻蚀机则需要严格按照光刻机描绘好的线条“雕刻”出刻痕图案。所以，芯片的整个生产工艺过程是先用光刻机，然后再用刻蚀机，接下来重复地使用两种设备，直至完整地将设计好的电路图搬运到晶圆上。
目前，所有芯片巨头制定的工艺制程的可实现性都由光刻机与刻蚀机的性能来决定，也就是说如果芯片加工厂要达到7纳米这样的关键技术指标，其生产过程使用到的光刻机与刻蚀机就必须具有7纳米的工艺能力。
而高端光刻机相关技术的门槛极高，目前光刻机领域的龙头老大也只有荷兰的一家公司，它垄断了高端光刻机市场，而且对于中国来说，有钱也不一定能买到（中国在其限制购买的名单中）
但刻蚀机就不一样了。
刻蚀机的工作原理可以分为干刻、湿刻两大类。其中湿刻是将硅片浸泡在可以与被刻蚀膜层反应的化学液体中，除去不需要的部分，是早期工艺采用较多的方法。不过，湿刻不可避免的会在刻蚀的侧壁形成横向钻蚀，无法很好的控制线宽，所以，在工艺达到微米级以后，生产中更多的是采用没有液体参与的干刻技术。
（等离子体刻蚀的基本机制）
这其中，等离子体刻蚀是最常用的干法刻蚀技术。它主要利用了等离子体的两个特性：强化学活性及高选择性。通过选择合适的气体，它就能将被刻蚀材料快速反应，实现刻蚀的目的。
另外，等离子体的能量很高，当离子轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而依靠物理能量的转移来实现刻蚀。
等离子体刻蚀技术在上世纪80年代就广泛的应用到了集成电路领域中，但由于刻蚀时具有复杂的物理和化学过程，加上需要用到电感耦合等离子体源等核心部件以及高真空度来保证等离子体的质量，所以这种仪器仍然是有技术门槛的高科技仪器。
以往的国际市场上，刻蚀机主要都是国外企业制造，而且这些巨头为了谋求更大的利益已经开始走向合并，一旦格局成型，就可能演变为光刻机那样一家独大的局面。
所幸的是，现在来自国内的半导体设备企业已经迅速崛起，在刻蚀机这一块也有了可以参与国际竞争的玩家。
（中国自主研发的等离子体刻蚀机）
尹志尧团在回国之后，队从零开始，重新研发申请了专利，终于在2008年，中微半导体的刻蚀机开始打进国际市场。
国外公司无法接受中国人能在3年内做出高性能刻蚀机，应用材料和科林相继对中微半导体提起专利诉讼。在中微半导体拿出了关键技术的专利证据之后，两次扩日持久的诉讼都以中微半导体获胜告终。
随着中微半导体的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，由于认识到中国可以做出具有国际竞争力的，而且有大量生产的等离子刻蚀机，所以决定把等离子刻蚀机从美国对中国控制的单子上去掉了。
除了要达到IC设计的要求外，芯片的制造还要尽量追求更小的制程（所谓芯片制程，就是晶体管中栅极的最小宽度，即栅长的数值，也就是我们经常看到的XX nm），以达到降低能耗、提高性能的目的。而芯片的性能与电路中晶体管数量息息相关，单位面积上晶体管的数量又与芯片的制程紧密联系。
随着技术的不断升级（更小的制程），栅极宽度越来越窄，当制程逼近20纳米时，栅极对电流的控制能力会急剧下降，出现“电流泄露”问题；当制程逼近10纳米后，漏电问题就会变得十分严重。而漏电率如果不能降低，CPU 整体性能和功耗控制就会变得十分不理想。
为了解决这一问题，新的芯片制造工艺设计应运而生，典型的代表就是鳍式场效应晶体管 (FinFET：Fin Field-Effect Transistor)。这种新的晶体管设计使得芯片内部平面的结构变成了3D。
栅极形状的改制使得接触面积增大了，这在减少栅极宽度的同时能够降低漏电率，并且让晶体管的空间利用率大大增加。
现在，有了IC设计图，也有方法减小更小制程带来的漏电问题，接下来要做的，就是设计好加工的工艺流程，也就是在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来。
在芯片的实际制造过程中，步骤会因为不同的材料和工艺而有所差异，不过大体上皆采用这样的类似工艺过程，于是就需要用到光刻机和刻蚀机。
（晶圆上“雕刻”电路的流程）
首先，在晶圆表面沉积一层薄膜，紧接着再涂敷上光刻胶（光阻），这时候光刻机会按照设计好的IC电路对应制造的掩膜版（光罩）将光束打在不要的部分上，这一部分的光刻胶就会变质然后被化学药剂清洗除去。
这之后，刻蚀机要按照光刻机“描绘”出来的线路进行更深入的微观雕刻，刻出沟槽或接触孔，然后，光刻胶被除
为了保证每次往上“堆叠”新电路的过程都能顺利准确地进行，刻蚀机的加工精度必须非常高，要达到纳米级。以16纳米制程的CPU来说，刻蚀过程的加工尺度为普通人头发丝的五千分之一，而加工的精度和重复性的误差更需要控制在这一数值的十分之一以下。
作为芯片制造过程中的两种重要设备，刻蚀机和光刻机很容易被混淆。
光刻机的作用更像是雕刻之前在木板或者石板上描摹绘线，而刻蚀机则需要严格按照光刻机描绘好的线条“雕刻”出刻痕图案。所以，芯片的整个生产工艺过程是先用光刻机，然后再用刻蚀机，接下来重复地使用两种设备，直至完整地将设计好的电路图搬运到晶圆上。
目前，所有芯片巨头制定的工艺制程的可实现性都由光刻机与刻蚀机的性能来决定，也就是说如果芯片加工厂要达到7纳米这样的关键技术指标，其生产过程使用到的光刻机与刻蚀机就必须具有7纳米的工艺能力。
而高端光刻机相关技术的门槛极高，目前光刻机领域的龙头老大也只有荷兰的一家公司，它垄断了高端光刻机市场，而且对于中国来说，有钱也不一定能买到（中国在其限制购买的名单中）
但刻蚀机就不一样了。
刻蚀机的工作原理可以分为干刻、湿刻两大类。其中湿刻是将硅片浸泡在可以与被刻蚀膜层反应的化学液体中，除去不需要的部分，是早期工艺采用较多的方法。不过，湿刻不可避免的会在刻蚀的侧壁形成横向钻蚀，无法很好的控制线宽，所以，在工艺达到微米级以后，生产中更多的是采用没有液体参与的干刻技术。
（等离子体刻蚀的基本机制）
这其中，等离子体刻蚀是最常用的干法刻蚀技术。它主要利用了等离子体的两个特性：强化学活性及高选择性。通过选择合适的气体，它就能将被刻蚀材料快速反应，实现刻蚀的目的。
另外，等离子体的能量很高，当离子轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而依靠物理能量的转移来实现刻蚀。
等离子体刻蚀技术在上世纪80年代就广泛的应用到了集成电路领域中，但由于刻蚀时具有复杂的物理和化学过程，加上需要用到电感耦合等离子体源等核心部件以及高真空度来保证等离子体的质量，所以这种仪器仍然是有技术门槛的高科技仪器。
以往的国际市场上，刻蚀机主要都是国外企业制造，而且这些巨头为了谋求更大的利益已经开始走向合并，一旦格局成型，就可能演变为光刻机那样一家独大的局面。
所幸的是，现在来自国内的半导体设备企业已经迅速崛起，在刻蚀机这一块也有了可以参与国际竞争的玩家。
（中国自主研发的等离子体刻蚀机）
尹志尧团在回国之后，队从零开始，重新研发申请了专利，终于在2008年，中微半导体的刻蚀机开始打进国际市场。
国外公司无法接受中国人能在3年内做出高性能刻蚀机，应用材料和科林相继对中微半导体提起专利诉讼。在中微半导体拿出了关键技术的专利证据之后，两次扩日持久的诉讼都以中微半导体获胜告终。
随着中微半导体的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，由于认识到中国可以做出具有国际竞争力的，而且有大量生产的等离子刻蚀机，所以决定把等离子刻蚀机从美国对中国控制的单子上去掉了。
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