【“卷不过”就换领域！宽禁带半导体：后摩尔时代超车绝佳赛道】

摩尔定律已逼近物理极限。“卷不过”就换赛道，宽禁带半导体成为后摩尔时代半导体发展的“蹊径”之一，而在这一领域，国内企业有望实现弯道超车。宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，也称“第三代半导体”。采用SiC、GaN材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

“从整个产业链来看，目前国内在SiC衬底这一块比较成熟，虽然在良率、尺寸等方面跟国外还有一些差距，但可以保证整个供应链的完整性。”中电科55所化合物产品部副主任刘柱表示。从产业链角度看，目前国内布局SiC的上市公司可大致分为五类：1）专注衬底材料，如天科合达；2）器件端IDM，如华润微、斯达半导、闻泰科技等；3）材料到器件一体化布局，如三安光电；4）芯片设计厂商，如新洁能；5）上游设备厂商等，如露笑科技。GaN产业链玩家的分类与SiC类似，海外企业在GaN功率半导体技术及产能上较为领先，包括英飞凌、Qorvo等。（第一财经）

在4月底那一波行情里，半导体中涨幅最好的就是碳化硅，东尼电子属于领涨领头，主要是东尼电子的良率超过了40%，其他几家，露笑科技，天岳先进当时良率还达不到40%的盈亏门槛，三安光电属于垫底的，意思不大。这一波其实还是看东尼电子，
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