转
不再需要EUV光刻机! 国内首条光子芯片产线将落地!
中国半导体论坛 振兴国产半导体产业!
光刻机一直限制着国产芯片的发展,为了突破限制,国家正在大力推进光子芯片,其原理跟硅芯片不同,运算速度可提升1000倍以上,而且不依赖先进的光刻机,比如EUV光刻机,因此是各国争相发展的新一代信息科技。
近日有消息称,国内首条"多材料、跨尺寸"的光子芯片生产线已在筹备,预计将于2023年在京建成,可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求,有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
我们在芯片领域有两条线可以打破芯片对高端光刻机的依赖,其一是碳基芯片,其二便是光子芯片。光子芯片产线将是有效打破芯片对高端光刻机依赖局面的具体实现。
据悉,光子芯片是光电子器件的核心组成部分,与集成电路芯片相比存在多处不同。例如:从性能而言,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。
从材料而言,InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料,而集成电路一般采用硅片。从制备而言,光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。
在性能方面,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。民生证券指出,这也决定了光子芯片行业中,IDM模式是主流,有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。
相较于电子芯片,光子芯片对结构的要求较低,一般是百纳米级,因此降低了对先进工艺的依赖。这就意味着,我国目前14纳米级的生产技术完全可以满足光子芯片的生产需求。
中国是全球最大的芯片消费市场,而且中国拥有最完善的产业链。一旦在光子芯片领域的商用市场被打开,中国企业势必会成为该领域的主要力量。
光子芯片发展的决定力量是市场,只有旺盛的市场需求,才能为光子芯片带来巨大技术研发资金。而海量的投资,则是光子芯片技术发展的保障。
不再需要EUV光刻机! 国内首条光子芯片产线将落地!
中国半导体论坛 振兴国产半导体产业!
光刻机一直限制着国产芯片的发展,为了突破限制,国家正在大力推进光子芯片,其原理跟硅芯片不同,运算速度可提升1000倍以上,而且不依赖先进的光刻机,比如EUV光刻机,因此是各国争相发展的新一代信息科技。
近日有消息称,国内首条"多材料、跨尺寸"的光子芯片生产线已在筹备,预计将于2023年在京建成,可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求,有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
我们在芯片领域有两条线可以打破芯片对高端光刻机的依赖,其一是碳基芯片,其二便是光子芯片。光子芯片产线将是有效打破芯片对高端光刻机依赖局面的具体实现。
据悉,光子芯片是光电子器件的核心组成部分,与集成电路芯片相比存在多处不同。例如:从性能而言,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。
从材料而言,InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料,而集成电路一般采用硅片。从制备而言,光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。
在性能方面,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。民生证券指出,这也决定了光子芯片行业中,IDM模式是主流,有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。
相较于电子芯片,光子芯片对结构的要求较低,一般是百纳米级,因此降低了对先进工艺的依赖。这就意味着,我国目前14纳米级的生产技术完全可以满足光子芯片的生产需求。
中国是全球最大的芯片消费市场,而且中国拥有最完善的产业链。一旦在光子芯片领域的商用市场被打开,中国企业势必会成为该领域的主要力量。
光子芯片发展的决定力量是市场,只有旺盛的市场需求,才能为光子芯片带来巨大技术研发资金。而海量的投资,则是光子芯片技术发展的保障。
【NML文章集锦 | 超级电容器(10篇综述论文)】目前商用超级电容器主要基于碳材料,通过电极表面对电荷或电解质离子的物理吸附/解吸来存储/释放电荷。与商业电池(>100 Wh kg-1)相比,电化学双层电容器(EDLCs)的能量密度(低于10 Wh kg-1)仍然很低,这成为超级电容器大规模应用的巨大挑战。为了解决这个问题,开发具有更高比电容的电极材料和提高材料的电压窗口是极为迫切的。此外,对于结构设计策略、高功率/能量密度和快速赝电容反应动力学之间的关系的系统讨论也十分重要。小编精选10篇2020-2022年发表在Nano-Micro Letters《纳微快报(英文)》上的与超级电容器相关的综述论文。
1. MOF材料用于电化学超级电容器研究https://t.cn/A6orPfTi
2. 电化学质子存储:从基本原理的理解到材料器件设计https://t.cn/A6orPfTJ
3. 锌离子混合超级电容器近期研究展望https://t.cn/A66C8IvN
4. 非对称碳基和硅基纳米材料的合成策略及其多功能应用https://t.cn/A66Xq2O6
5. 用于高能量/高功率密度超级电容器的过渡金属化合物-碳杂化电极研究进展https://t.cn/A6IOw8tW
6. 用于能量收集的2D纳米材料https://t.cn/A6VZGTTr
7. 激光微加工制备用于能量转换和存储的微/纳结构材料https://t.cn/A6cKhGVI
8. 电化学技术构筑微纳结构超电电极材料https://t.cn/A6UpyLzq
9. 水系超电的结构、原理、及电压窗口拓展https://t.cn/A6Gb6CPh
10. 超级电池的机理,材料选择和性能评估https://t.cn/A64Hih7K
1. MOF材料用于电化学超级电容器研究https://t.cn/A6orPfTi
2. 电化学质子存储:从基本原理的理解到材料器件设计https://t.cn/A6orPfTJ
3. 锌离子混合超级电容器近期研究展望https://t.cn/A66C8IvN
4. 非对称碳基和硅基纳米材料的合成策略及其多功能应用https://t.cn/A66Xq2O6
5. 用于高能量/高功率密度超级电容器的过渡金属化合物-碳杂化电极研究进展https://t.cn/A6IOw8tW
6. 用于能量收集的2D纳米材料https://t.cn/A6VZGTTr
7. 激光微加工制备用于能量转换和存储的微/纳结构材料https://t.cn/A6cKhGVI
8. 电化学技术构筑微纳结构超电电极材料https://t.cn/A6UpyLzq
9. 水系超电的结构、原理、及电压窗口拓展https://t.cn/A6Gb6CPh
10. 超级电池的机理,材料选择和性能评估https://t.cn/A64Hih7K
【钠离子电池负极材料的主要厂商】
1)目前钠离子电池负极材料可选用的材料主要有四类:碳基材料、过度金属化合物、合金类负极和有机化合物,其中金属化合物主要通过转化反应和合金化反应实现储钠,但在循环过程中会伴随着较大的体积膨胀,造成电极材料的粉碎和坍塌,存在一定安全隐患;过度金属化合物比容量偏低,而有机材料也存在库伦效率低等问题
2)负极材料布局方面,中科海钠以无烟煤作为前驱体制备软碳材料,宁德时代开发出了具有独特孔隙结构的硬碳材料,贝特瑞目前能量产硬碳、软碳材料;璞泰来、翔丰华目前正在推进中试工作。日本方面,吴羽已经能够量产硬碳材料,日本三菱及日本松下同样从事钠电池负极材料的研发和生产工作。
1)目前钠离子电池负极材料可选用的材料主要有四类:碳基材料、过度金属化合物、合金类负极和有机化合物,其中金属化合物主要通过转化反应和合金化反应实现储钠,但在循环过程中会伴随着较大的体积膨胀,造成电极材料的粉碎和坍塌,存在一定安全隐患;过度金属化合物比容量偏低,而有机材料也存在库伦效率低等问题
2)负极材料布局方面,中科海钠以无烟煤作为前驱体制备软碳材料,宁德时代开发出了具有独特孔隙结构的硬碳材料,贝特瑞目前能量产硬碳、软碳材料;璞泰来、翔丰华目前正在推进中试工作。日本方面,吴羽已经能够量产硬碳材料,日本三菱及日本松下同样从事钠电池负极材料的研发和生产工作。
✋热门推荐