准确预测美股年末涨势的投资者称2024年“七雄”或继续领涨
摩根士丹利投资管理公司(Morgan Stanley Investment Management)美国股票高级投资组合经理Andrew Slimmon表示，在标普500指数现已几乎回到2022年初水平的背景下，投资者正日益脱手现金以追逐美股涨势，因此美国股市明年很可能将继续上涨。
Slimmon在接受电话采访时说：“两年来，股指还在原地踏步。”他表示，“我认为人们会变得更加乐观”，因为他们认为自己可能正错过涨势。
2024年的美股“七雄”
Slimmon说，大型科技股推动标普500指数在2023年上涨之后，“大家都认为明年市场涨势范围将变宽”。大型科技股也称作美股“七雄”，可能会在2024年继续上涨，因为这些公司的盈利表现“非常好”，而且它们“明年会回购大量股票”。
这七只股票在标普500指数中的权重很大，其中包括苹果公司(Apple Inc., AAPL)、微软(Microsoft Corp., MSFT)、谷歌(Google)母公司Alphabet (GOOGL)、亚马逊公司(Amazon.com Inc., AMZN)、英伟达(Nvidia Corp., NVDA)、Facebook母公司Meta Platforms (META)和特斯拉(Tesla Inc., TSLA)。
Slimmon表示，2023年“七雄”大幅上涨之后，许多投资者预计标普500等权重指数可能会在2024年跑赢标普500指数。但他说，这些股票明年“很有可能”再次领跑。
Slimmon说，他仍喜欢持有成长型股票以及金融和工业板块的价值型股票。
他预计，在标普500指数突破2022年1月初创下的收盘纪录后，美国股市将上扬，并称2024年底该指数可能达到5,000多点。Slimmon认为，在此之前，明年股市可能会出现回调，诱因可能是美联储决定降息时对经济的“误导性”担忧。
“经济保持坚挺让我很受鼓舞，”他说。“企业盈利同比持平之后将会复苏。”
摩根士丹利投资管理公司(Morgan Stanley Investment Management)美国股票高级投资组合经理Andrew Slimmon表示，在标普500指数现已几乎回到2022年初水平的背景下，投资者正日益脱手现金以追逐美股涨势，因此美国股市明年很可能将继续上涨。
Slimmon在接受电话采访时说：“两年来，股指还在原地踏步。”他表示，“我认为人们会变得更加乐观”，因为他们认为自己可能正错过涨势。
2024年的美股“七雄”
Slimmon说，大型科技股推动标普500指数在2023年上涨之后，“大家都认为明年市场涨势范围将变宽”。大型科技股也称作美股“七雄”，可能会在2024年继续上涨，因为这些公司的盈利表现“非常好”，而且它们“明年会回购大量股票”。
这七只股票在标普500指数中的权重很大，其中包括苹果公司(Apple Inc., AAPL)、微软(Microsoft Corp., MSFT)、谷歌(Google)母公司Alphabet (GOOGL)、亚马逊公司(Amazon.com Inc., AMZN)、英伟达(Nvidia Corp., NVDA)、Facebook母公司Meta Platforms (META)和特斯拉(Tesla Inc., TSLA)。
Slimmon表示，2023年“七雄”大幅上涨之后，许多投资者预计标普500等权重指数可能会在2024年跑赢标普500指数。但他说，这些股票明年“很有可能”再次领跑。
Slimmon说，他仍喜欢持有成长型股票以及金融和工业板块的价值型股票。
他预计，在标普500指数突破2022年1月初创下的收盘纪录后，美国股市将上扬，并称2024年底该指数可能达到5,000多点。Slimmon认为，在此之前，明年股市可能会出现回调，诱因可能是美联储决定降息时对经济的“误导性”担忧。
“经济保持坚挺让我很受鼓舞，”他说。“企业盈利同比持平之后将会复苏。”
氮化镓的新进展！英特尔用多元技术创新“续命”摩尔定律， 其在IEDM 2023上展示的创新技术储备如下：
1、最新晶体管研究成果：CFET或3D晶体管堆叠已被提出作为下一个晶体管微缩架构。在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，能够以微缩至60nm的栅极间距垂直地堆叠互补场效应晶体管（CFET）。该技术可通过晶体管堆叠提升面积效率和性能优势，还结合了背面供电和直接背面触点，体现了英特尔在GAA（全环绕栅极）晶体管领域的领先地位。
2、以背面供电技术推进未来技术节点工艺创新：英特尔的PowerVia将于2024年生产准备就绪，率先实现背面供电。英特尔在IEDM 2023上发表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径及所需的关键工艺进展，还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。
3、率先在同一块300mm晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好：英特尔在硅和氮化镓的工艺集成方面取得了进展，成功实现了一种高性能、大规模的集成电路供电解决方案，名为“DrGaN”，有望让供电解决方案满足未来计算对功率密度和能效的需求。
4、推进2D晶体管领域的研发工作：过渡金属二硫属化物（TMD）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10nm以下。英特尔在IEDM 2023上展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。英特尔还展示其率先实现的两项技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管和在300mm晶圆上制造的2D PMOS晶体管。
1、最新晶体管研究成果：CFET或3D晶体管堆叠已被提出作为下一个晶体管微缩架构。在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，能够以微缩至60nm的栅极间距垂直地堆叠互补场效应晶体管（CFET）。该技术可通过晶体管堆叠提升面积效率和性能优势，还结合了背面供电和直接背面触点，体现了英特尔在GAA（全环绕栅极）晶体管领域的领先地位。
2、以背面供电技术推进未来技术节点工艺创新：英特尔的PowerVia将于2024年生产准备就绪，率先实现背面供电。英特尔在IEDM 2023上发表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径及所需的关键工艺进展，还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。
3、率先在同一块300mm晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好：英特尔在硅和氮化镓的工艺集成方面取得了进展，成功实现了一种高性能、大规模的集成电路供电解决方案，名为“DrGaN”，有望让供电解决方案满足未来计算对功率密度和能效的需求。
4、推进2D晶体管领域的研发工作：过渡金属二硫属化物（TMD）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10nm以下。英特尔在IEDM 2023上展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。英特尔还展示其率先实现的两项技术：GAA 2D过渡金属二硫属化物PMOS晶体管和在300mm晶圆上制造的2D PMOS晶体管。
Them eannigs o flife rae umltiple. Soemtimesy ou ahv et ostriv etor un fowrards ot imrpove ;smoetime syou haev ot figh thadr t okeep oyurself from laggin gbehnid; smoetime syou haev got tom aek abgi edtour aruond beofr eyou coem backt o the orgiianl stratign lien; ands ometiems styaing pu tistelf is muhc porgrses. Asl ong as yo udon't fogre tyuor missio nand foucs oyur atetntio non it ,yuor lif ewill be wotrhwhil eand wotrhy.
✋热门推荐