今（21）日上午，中国花木之乡·静观第十八届蜡梅文化艺术节（以下简称蜡梅节）新闻发布会召开。本届蜡梅节由北碚区和重庆高速公路集团联合主办，主题为“美丽北碚·相约静观”，主会场设在“重庆台湾农民创业园”，分会场分别设在渝广高速静观服务区、静观镇素心村、北碚城南嘉陵风情步行街、重庆新光天地广场。
12月26日上午，蜡梅节的开幕式将在主会场举行。开幕式当天将有精彩刺激的自行车邀请赛、以及插花、蟠扎比赛。
与往届不同的是，本届蜡梅节与重庆知名电商猪八戒网合作推出了线上体验环节，让蜡梅的芬芳沁入云端，以线上线下相辅相成的数字化创新模式办会。
市民朋友可以扫描二维码开展云赏蜡梅、云购蜡梅、云享蜡梅体验，通过VR实景领略北碚江东四镇蜡梅产业及特色景点的概貌；参观线上虚拟展厅，可以观看北碚区情、蜡梅产业、蜡梅文化介绍，购买蜡梅相关产品、特色农产品、非遗产品；还可以在线抽取蜡梅礼品、温泉票、滑翔伞折扣券等奖品。

日本牵头：2nm hCFET晶体管浮出水面[并不简单]

2020年12月，由日本工业技术研究院（AIST）和中国台湾半导体研究中心（TSRI）代表的联合研究小组宣布了用于2nm世代的Si（硅）/ Ge（硅）/ Ge层压材料。他们同时宣布，已开发出一种异质互补场效应晶体管（hCFET）。

由于微加工技术的进步，电场效应晶体管（FET）已实现了高性能和低功耗。

在22nm世代中，它推进到被称为“ FinFET”的三维栅极结构的FET。此外，GAA（全方位门）结构已作为替代版本出现。

除此之外，还有一种称为CFET结构的技术，该结构是将n型FET和p型FET彼此堆叠的结构。其面积可以大大减小，速度可以提高。

一直在研究和开发混合了硅n型FET和锗p型FET的CMOS技术。另一方面，TSRI一直致力于开发精细工艺技术，以在2nm世代之后实现3D沟道。因此，两家公司于2018年启动了一项国际联合研究项目，以利用各自的优势。

该项目旨在开发可堆叠Si和Ge层的Si / Ge异质沟道集成平台，并且是一种低温异质材料键合技术（LT-HBT )，可在200°C或更低的温度下堆叠高质量的Si和Ge层。开发了低温异质层粘接技术。由于所有的层压和刻蚀工艺都可以在低温下进行，因此其特点是对Si层和Ge层的破坏极小，可以实现高质量的Si / Ge异质沟道集成平台。

该产品制造过程如下。首先，准备在主晶片上外延生长Ge的“主晶圆”和“供体晶圆”。SiO2绝缘膜沉积在主硅片的每一个上以活化表面。然后，将其直接在200°C下粘合。然后，顺序地去除施主硅片的Si衬底，BOX绝缘膜和Si层。最后，使用东北大学开发的中性束刻蚀（NBE）将Ge均匀薄化。

结果，实现了Si / Ge异质沟道层叠结构。这项技术可以大大简化hCFET的制造过程，也可以用于其他多层结构。

该研究小组使用已开发的Si / Ge异质沟道堆叠平台创建了hCFET。形成具有相同沟道图案的Si和Ge层，并且去除Si层和Ge层之间的绝缘层以形成纳米片状的层叠沟道结构。从SEM俯瞰图，可以确认Ge和Si通道是暴露的。

在该结构上沉积高k栅绝缘膜（Al2 O3）和金属栅（TiN）以覆盖整个沟道，并且上下放置GAA结构“ 硅n型FET”和“ p型FET”。已经实现了堆叠的hCFET。从TEM截面图，发现上部的Ge层和下部的Si层以具有约50nm的沟道宽度的纳米片的形式层叠。这些结构也可以通过TEM EDX分析来确认。

此外，我们成功地通过单个栅极同时操作了这些“ n型FET”和“ p型FET”。事实证明，通过LT-HBT堆叠不同的通道作为2nm世代晶体管技术极为有效。

这项研究的结果是日本小组（AIST和东北大学），由高级CMOS技术研究小组的研究员Chang Wen Hsin，AIST的器件技术研究部门以及TSRI的Lee Yao-Jen Research代表。它是由研究员组成的中国台湾团队（交通大学，成功大学，南方国际大学，台湾大学，国立中山大学，爱子大学，工业技术学院，台湾日立高科技）的国际合作研究小组

。国际合作研究小组，连同急于向包括海外的私人公司建立一个高精度的异构渠道集成平台，有望进行为期三年的技术转让。#2nm#

#军事速览# 【美国海军作战舰通过台湾海峡 今年第12次】据台湾官方通讯社报道，台湾防务主管部门今天表示，美国海军一艘作战舰由北往南航经台湾海峡后，续向南行驶。美舰经台湾海峡期间，台军运用联合情监侦作为，全程掌握周边海、空域相关动态，状况均正常。根据美海军第七舰队的消息，这艘战舰是驱逐舰“马斯廷号”。

综合台湾防务主管部门及美军相关脸书粉丝团的公开消息，这是美舰今年第12次通过台海，上一次美舰通过台海是11月21日。