三星，这个全球知名的科技巨头，近日又有大动作。据IT之家报道，三星将在2024年的IEEE国际固态电路峰会上推出一款超高速DDR5内存芯片，这款芯片的出现无疑将引领内存技术的新一轮潮流。
DDR5内存芯片，这是一种新型的内存技术，其最大的特点是超高速。据悉，这款32Gb DDR5 DRAM采用12纳米级工艺技术开发，其容量是16Gb DDR5 DRAM的两倍。更令人瞩目的是，这款DDR5的I/O速度高达每个引脚8000Mbps，采用三星第五代10nm级晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构设计，专门针对DRAM产品量身定制。这样的技术规格，无疑让人对三星的技术实力感到惊叹。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang表示，这款新的32Gb DRAM将能够满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的日益增长的需求。这意味着，无论是在人工智能领域，还是在大数据处理领域，这款新的DDR5内存芯片都将发挥重要的作用。
此外，新的32Gb DRAM允许在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，这将使功耗降低约10%。对于正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。这也显示出三星在研发新技术时，不仅注重技术的性能提升，也充分考虑到产品的实用性和环保性。
总的来说，三星即将发布的这款超高速DDR5内存芯片，无论是从技术性能，还是从实际应用的角度来看，都具有很大的价值。我们有理由期待，这款新的内存芯片将为我们的数字生活带来更多的可能性。
（科财库网综合编辑）
kecai.co
DDR5内存芯片，这是一种新型的内存技术，其最大的特点是超高速。据悉，这款32Gb DDR5 DRAM采用12纳米级工艺技术开发，其容量是16Gb DDR5 DRAM的两倍。更令人瞩目的是，这款DDR5的I/O速度高达每个引脚8000Mbps，采用三星第五代10nm级晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构设计，专门针对DRAM产品量身定制。这样的技术规格，无疑让人对三星的技术实力感到惊叹。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang表示，这款新的32Gb DRAM将能够满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的日益增长的需求。这意味着，无论是在人工智能领域，还是在大数据处理领域，这款新的DDR5内存芯片都将发挥重要的作用。
此外，新的32Gb DRAM允许在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，这将使功耗降低约10%。对于正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。这也显示出三星在研发新技术时，不仅注重技术的性能提升，也充分考虑到产品的实用性和环保性。
总的来说，三星即将发布的这款超高速DDR5内存芯片，无论是从技术性能，还是从实际应用的角度来看，都具有很大的价值。我们有理由期待，这款新的内存芯片将为我们的数字生活带来更多的可能性。
（科财库网综合编辑）
kecai.co
#科技新一[超话]#IT之家 2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。
IT之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示：“凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破内存技术的极限。”
之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。然而，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，三星表示这将使功耗降低约 10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
三星最新的 DDR5 技术允许在单通道配置下以 DDR5-8000 速度创建 32 GB 和 48 GB DIMM，还支持双通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。
IT之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示：“凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破内存技术的极限。”
之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。然而，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，三星表示这将使功耗降低约 10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
三星最新的 DDR5 技术允许在单通道配置下以 DDR5-8000 速度创建 32 GB 和 48 GB DIMM，还支持双通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
#数码[超话]#IT之家 2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。
IT之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示：“凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破内存技术的极限。”
之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。然而，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，三星表示这将使功耗降低约 10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
三星最新的 DDR5 技术允许在单通道配置下以 DDR5-8000 速度创建 32 GB 和 48 GB DIMM，还支持双通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。
IT之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示：“凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破内存技术的极限。”
之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。然而，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，三星表示这将使功耗降低约 10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
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