【#群联推出全系列UFS芯片 涵盖入门、中阶到旗舰款手机#】
1月31日消息,群联推出史上最高性价比之UFS 2.2控制芯片PS8327来满足日益上升的高速行动储存需求。采用22奈米制程工艺,PS8327是一款尺寸最小的UFS 2.2控制芯片,能在单信道且搭配低容量64GB储存容量的条件下达到UFS 2.2极速1000MB/s,为行动装置同时带来成本、性能、低功耗等多重优势。
包含PS8327,群联今年一口气推出共四款UFS控制芯片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361),全面升级了UFS产品线的竞争力;涵盖入门、中阶到旗舰款手机,都有对应的最佳UFS储存方案,将消费者所有的需求一网打尽。#群联芯片#
1月31日消息,群联推出史上最高性价比之UFS 2.2控制芯片PS8327来满足日益上升的高速行动储存需求。采用22奈米制程工艺,PS8327是一款尺寸最小的UFS 2.2控制芯片,能在单信道且搭配低容量64GB储存容量的条件下达到UFS 2.2极速1000MB/s,为行动装置同时带来成本、性能、低功耗等多重优势。
包含PS8327,群联今年一口气推出共四款UFS控制芯片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361),全面升级了UFS产品线的竞争力;涵盖入门、中阶到旗舰款手机,都有对应的最佳UFS储存方案,将消费者所有的需求一网打尽。#群联芯片#
群联发布四款UFS存储新品,全方位覆盖手机市场需求
群联电子近日发布了四款全新的UFS存储解决方案,旨在满足不同手机市场的需求。
这四款新品各具特色,其中PS8327是一款22nm工艺的UFS 2.2主控芯片,主要面向入门级5G手机市场。其最大闪存容量可达256GB,并配备了第六代4KB LDPC ECC纠错技术,即使在单通道64GB的情况下,也能实现UFS 2.2规格的满速1000MB/s传输。
而针对追求高性价比的中端手机市场,群联推出了PS8329主控芯片。这款22nm UFS 3.1主控支持4KB LDPC纠错,单通道下顺序读写速度可达2000MB/s,计划于今年6月开始提供样品给合作伙伴。
对于高端手机市场,群联则推出了PS8325主控芯片。这款12nm UFS 3.1主控采用双通道设计,支持1Tb NAND颗粒,最大闪存容量高达1TB。同时,它还搭载了第六代4KB LDPC ECC纠错技术,预计将在本季度开始量产,为高端手机提供更强大的存储性能。
针对旗舰手机市场,群联推出了业界领先的PS8361主控芯片。这款12nm UFS 4.0主控采用四通道设计,最大闪存容量同样为1TB。它搭载了第六代LDPC+RAID ECC纠错技术,顺序读写速度可超过4000MB/s,预计将在今年下半年开始出货,为旗舰手机带来极致的存储体验。
群联电子近日发布了四款全新的UFS存储解决方案,旨在满足不同手机市场的需求。
这四款新品各具特色,其中PS8327是一款22nm工艺的UFS 2.2主控芯片,主要面向入门级5G手机市场。其最大闪存容量可达256GB,并配备了第六代4KB LDPC ECC纠错技术,即使在单通道64GB的情况下,也能实现UFS 2.2规格的满速1000MB/s传输。
而针对追求高性价比的中端手机市场,群联推出了PS8329主控芯片。这款22nm UFS 3.1主控支持4KB LDPC纠错,单通道下顺序读写速度可达2000MB/s,计划于今年6月开始提供样品给合作伙伴。
对于高端手机市场,群联则推出了PS8325主控芯片。这款12nm UFS 3.1主控采用双通道设计,支持1Tb NAND颗粒,最大闪存容量高达1TB。同时,它还搭载了第六代4KB LDPC ECC纠错技术,预计将在本季度开始量产,为高端手机提供更强大的存储性能。
针对旗舰手机市场,群联推出了业界领先的PS8361主控芯片。这款12nm UFS 4.0主控采用四通道设计,最大闪存容量同样为1TB。它搭载了第六代LDPC+RAID ECC纠错技术,顺序读写速度可超过4000MB/s,预计将在今年下半年开始出货,为旗舰手机带来极致的存储体验。
群联宣布推出 4 款 UFS 主控方案,涵盖从入门至旗舰手机产品线 PS8327:22nm UFS 2.2 主控,定位入门 5G 手机市场,最大闪存容量 256GB,搭载第六代 4KB LDPC ECC 纠错,单通道 64GB 下就可达到 UFS 2.2 满速 1000MB/s;
PS8329:22nm UFS 3.1 主控,定位高性价比的中阶手机市场,搭载 4KB LDPC 纠错,单通道下可达 2000MB/s顺序读写,计划于今年 6 月开始提供样品;
PS8325:12nm UFS 3.1 主控,定位高阶手机市场,2 通道设计,支持 1Tb NAND 颗粒,最大闪存容量 1TB,搭载第六代 4KB LDPC ECC 纠错,预计将于本季度开始量产;
PS8361:12nm UFS 4.0 主控,定位旗舰手机市场,4 通道设计,最大闪存容量 1TB,搭载第六代 LDPC + RAID ECC 纠错,顺序读写可超 4000MB/s,预计今年下半年开始出货。
根据群联官网,其早前推出过一款 UFS 3.0 主控 PS8317,该主控采用 2 通道设计,支持最高 1200MT/s闪存接口速度,顺序读写最高 1750/810 MB/s。
PS8329:22nm UFS 3.1 主控,定位高性价比的中阶手机市场,搭载 4KB LDPC 纠错,单通道下可达 2000MB/s顺序读写,计划于今年 6 月开始提供样品;
PS8325:12nm UFS 3.1 主控,定位高阶手机市场,2 通道设计,支持 1Tb NAND 颗粒,最大闪存容量 1TB,搭载第六代 4KB LDPC ECC 纠错,预计将于本季度开始量产;
PS8361:12nm UFS 4.0 主控,定位旗舰手机市场,4 通道设计,最大闪存容量 1TB,搭载第六代 LDPC + RAID ECC 纠错,顺序读写可超 4000MB/s,预计今年下半年开始出货。
根据群联官网,其早前推出过一款 UFS 3.0 主控 PS8317,该主控采用 2 通道设计,支持最高 1200MT/s闪存接口速度,顺序读写最高 1750/810 MB/s。
✋热门推荐