美光科技盘前涨近18%，公司CEO Sanjay Mehrotra周三在财报电话会议上表示，AI服务器需求正推动HBM、DDR5和数据中心SSD快速成长。
【美光：HBM今年售罄、明年绝大多数产能已被预订】
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。
Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。
美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。
美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。
美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。
https://t.cn/A6Twsd0T
【SK 海力士涨幅扩大至7%】受美光科技强劲业绩指引推动，SK 海力士在韩国股市涨幅扩大至7%，此前美光科技第二财季经调整营收和第三财季营收指引均高于预期。
英伟达寻求从三星采购高带宽内存（HBM）芯片，HBM是人工智能处理器的关键组件。作为韩国电子巨头，三星试图追赶竞争对手SK海力士，后者最近开始大规模量产其下一代HBM芯片HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。
https://t.cn/A6YslI1c
英伟达需求旺盛！美光科技营收猛增58%，
HBM创收预期炸裂，华尔街集体上调目标价！ 花旗高喊150美元
2024年03月21日 智通财经
美国最大规模计算机存储芯片制造商美光科技（MU.US）3月21日晨间公布截至2月的2024财年Q2业绩，并且在人工智能（AI）存储硬件需求极度旺盛之势的推动下，公布了出人意料的第三财季强劲业绩展望，总营收与每股收益展望远超分析师预期，在Q2业绩与强劲展望的带动下该公司股价在美股盘后交易中一度大涨近17%。
在全球企业以及政府部门纷纷布局AI的这股热潮刺激下，美光存储芯片需求激增，业绩堪称“炸裂”，核心业绩指标大超预期。业绩数据显示，在截至2月29日的第二财季，美光营收同比猛增58%，至58.2亿美元，不计某些项目的NON-GAAP基准下的每股收益为42美分，由此前多个季度的亏损转为盈利。两项数据均远超华尔街分析师普遍预期，营收预期约为53.5亿美元，并且预期每股亏损24美分，相比之下美光的实际业绩可谓全面碾压分析师预期。
此外，美光在NON-GAAP准则下调整后的营业利润同样由亏转盈，数据显示美光Q2调整后营业利润达到2.04亿美元，相比之下上年同期亏损20.77亿美元，第一财季亏损9.55亿美元。华尔街分析师普遍预期则为调整后营业亏损约2.4亿美元。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra在与分析师的电话会议上表示：“美光已经恢复盈利，并比预期提前足足一个季度实现了正向的营业利润率。”预计在HBM强劲需求驱动之下，第三财季营收区间将达到64亿美元至68亿美元，意味着同比激增70%到81%，超越华尔街分析师平均预期的59.9亿美元。
由于个人电脑和智能手机需求疲软，存储芯片行业2022年下半年至2023年可谓遭遇行业史上最严重的衰退之一，但随着全球芯片需求2024年逐步迈入复苏周期，美光及其主要存储竞争对手——SK海力士以及三星，业绩均呈现积极复苏态势。
SIA公布的最新数据显示，1月全球半导体行业销售额总额高达476亿美元，与2023年1月相比增长15.2%。事实上，半导体行业销售额自2023 年末开始因AI芯片强劲需求而明显回升。SIA统计的2023年第四季度销售额约为 1460 亿美元，比 2022 年第四季度销售额增长 11.6%，相比于2023 年第三季度销售额环比增长 8.4%。关于2024年半导体行业销售额预期，SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 在数据报告预计2024 年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。
因此，随着芯片行业踏入复苏周期，存储需求有望大增。更重要的是，随着蓬勃发展的人工智能技术刺激HBM存储需求激增，高管们对未来持极度乐观态度。全球企业对于英伟达AI GPU需求激增，势必也将带来无比强劲的与英伟达AI GPU全面绑定的HBM存储需求。
美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，人工智能（AI）热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力(4.100, 0.17, 4.33%)。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在声明中表示：“我们相信，美光是人工智能带来的多年来重大机遇的半导体行业最大受益者之一。”
美光管理层表示，2024财年新工厂和设备的预算将维持在75亿美元至80亿美元，并且该公司将继续在中国、日本和印度开展项目。
财报公布后，该公司股价盘后一度暴涨近16%。2023年迄今，该股已上涨13%，至96.25美元，涨幅超过标普500指数。
Mehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达（NVDA.US）等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。
HBM——有望成为美光的“创收新引擎”
HBM是一种高带宽、低能耗的存储技术，专门用于高性能计算和图形处理领域。HBM堆叠的多个DRAM芯片连接在一起，通过微细的Through-Silicon Vias（TSVs）进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输。HBM主要用于高性能图形卡、AI加速、高性能计算和数据中心服务器等领域，其高带宽特性，以及极低延迟和高能效比使得处理器能够更快地访问存储空间，大幅提高计算性能和效率。在AI基础设施领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI服务器系统，以及即将问世的B100和H200等AI 服务器系统使用。
在最近一个季度，美光首次从其推出的名为“HBM3E”最新型HBM存储系统中获得营收，HBM存储系统与英伟达新款AI GPU全面绑定。美光管理层预计，到2024财年，HBM产品将带来“数亿美元”级别的营收，甚至有望比肩第二大业务——NAND业务，并且美光管理层强调，美光已经彻底售罄预计在2024年产能能够生产的所有HBM，预计生产的大部分此类存储在2025年也将迅速售罄。
人工智能软件是基于“数据轰炸”类型的AI训练/推理过程而产生，该过程可能涉及数万亿个参数，并且高度依赖专注于高性能领域的HBM存储系统。为了避免供应瓶颈并保持昂贵的处理器全速工作，美光及其竞争对手开发了比传统存储芯片更快地与AI GPU等基础硬件组件通信的HBM存储。
存储芯片制造商一直在努力进军新的市场，比如数据中心、汽车和越来越多的消费电子产品，从而减少对智能手机和个人电脑存储的依赖。
美光与来自韩国的存储巨头三星电子（Samsung Electronics Co．）和SK海力士在销售为电脑和智能手机提供短期记忆的存储芯片方面展开竞争，如今竞争已蔓延至数据中心HBM存储领域。美光还生产NAND flash闪存系列产品，为这些设备提供更长的存储时间。
美光于 2024 年初（大概2月份）开始大批量生产HBM3E 新型存储产品，并开始陆续交付，同时还透露英伟达是其新型 HBM存储产品的主要客户之一。此外，该公司强调其全新HBM产品受到了整个行业的极大兴趣，这暗示英伟达可能不是唯一最终使用美光 HBM3E 的大型客户。美光显然对 HBM3E 寄予厚望，因为这可能使其能够领从SK海力士以及三星电子手中不断赢得市场份额，以全面提高公司营收和利润。
随着美光陆续向英伟达交付HBM3E存储系统，高盛的分析师们表示，该公司可能将扩展到包括AMD在内的其他客户。高盛的分析师们写道：“相信美光在深化与英伟达的合作——即在未来的GPU平台上获得更高的市场份额，以及扩大英伟达以外的客户群方面还有非常大的空间。”
从市场策略的角度来看，SK海力士凭借作为目前绑定英伟达AI GPU的HBM3存储的唯一供应商，已经在HBM存储市场上确立了领导地位，并且其HBM产能已经预订满2024年。美光则通过其HBM3E产品的能效和领先全球同行的性能优势，尝试在高端内存市场中取得竞争优势，并且已经在行业内受到了极大的关注和兴趣。
截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年份额分布将与2022年大致相同。美光在HBM领域的发展相对较晚，但是近期HBM行业的动态消息显示，占据HBM仅10%份额的美光欲“后发制人。据业内人士透露，英伟达基于Blackwell架构的新款AI GPU以及H200 GPU超级算力体系可能将搭载美光HBM3E。
美光HBM3E 模块基于八个堆叠 24Gbit 存储芯片，采用该公司的 1β （1-beta） 制造工艺制造。这些模块的数据速率高达 9.2 GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/s，比目前最快的 HBM3 模块提高了 44%。与此同时，该公司不会停止其基于 8-Hi 24 Gbit 的 HBM3E 组件。该公司宣布，继开始量产 8-Hi 24GB 堆栈后，计划于 2024 年推出超大容量 36 GB 12-Hi HBM3E 堆栈。
知名研究机构Mordor Intelligence预测数据显示，HBM存储产品的市场规模预计将从 2024年的约 25.2 亿美元激增至 2029年的 79.5 亿美元，预测期内（2024-2029年）复合年增长率高达 25.86%。
由于投资者们乐观地认为存储芯片库存过剩大幅缓解且迈向供不应求，以及全球企业布局生成式人工智能（生成式AI）的热潮驱动存储芯片，尤其是HBM需求激增，该公司股价近一年涨幅高达75%。
随着分析师们强调该存储巨头在人工智能热潮中的重要地位，美光股价在2024年达到创纪录的历史高点。华尔街大行花旗表示，美光位列该机构美股半导体板块的“首选投资标的”，主要因该公司股价势必将受益于AI芯片需求激增带来的无比强劲的HBM存储需求。在美光公布业绩前夕，华尔街大行花旗重申对美光“买入”的评级，并将基于12个月的目标价从95美元大幅调高至150美元。
【美光：HBM今年售罄、明年绝大多数产能已被预订】
美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，人工智能(AI)服务器需求正推动高带宽内存(HBM)、DDR5(D5)和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对所有内存和储存终端市场报价带来正面连锁效应。
Mehrotra指出，就数据中心领域而言，在AI服务器强劲成长以及传统服务器恢复温和成长的带动下，2024年(1-12月)产业服务器出货量成长率预估将落在个位数的中后段。
美光HBM产品有望在2024会计年度创造数亿美元营业额，HBM营收预料自2024会计年度第3季起为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。
Mehrotra表示，美光今年HBM产能已销售一空、2025年绝大多数产能已被预订。
美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求。美光2024会计年度的DRAM、NAND位供给成长预估仍低于需求成长，2024年度库存天数将会缩减。
美光预期AI手机的DRAM容量将比目前没有AI功能的旗舰手机高出50-100%。
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【SK 海力士涨幅扩大至7%】受美光科技强劲业绩指引推动，SK 海力士在韩国股市涨幅扩大至7%，此前美光科技第二财季经调整营收和第三财季营收指引均高于预期。
英伟达寻求从三星采购高带宽内存（HBM）芯片，HBM是人工智能处理器的关键组件。作为韩国电子巨头，三星试图追赶竞争对手SK海力士，后者最近开始大规模量产其下一代HBM芯片HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。
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英伟达需求旺盛！美光科技营收猛增58%，
HBM创收预期炸裂，华尔街集体上调目标价！ 花旗高喊150美元
2024年03月21日 智通财经
美国最大规模计算机存储芯片制造商美光科技（MU.US）3月21日晨间公布截至2月的2024财年Q2业绩，并且在人工智能（AI）存储硬件需求极度旺盛之势的推动下，公布了出人意料的第三财季强劲业绩展望，总营收与每股收益展望远超分析师预期，在Q2业绩与强劲展望的带动下该公司股价在美股盘后交易中一度大涨近17%。
在全球企业以及政府部门纷纷布局AI的这股热潮刺激下，美光存储芯片需求激增，业绩堪称“炸裂”，核心业绩指标大超预期。业绩数据显示，在截至2月29日的第二财季，美光营收同比猛增58%，至58.2亿美元，不计某些项目的NON-GAAP基准下的每股收益为42美分，由此前多个季度的亏损转为盈利。两项数据均远超华尔街分析师普遍预期，营收预期约为53.5亿美元，并且预期每股亏损24美分，相比之下美光的实际业绩可谓全面碾压分析师预期。
此外，美光在NON-GAAP准则下调整后的营业利润同样由亏转盈，数据显示美光Q2调整后营业利润达到2.04亿美元，相比之下上年同期亏损20.77亿美元，第一财季亏损9.55亿美元。华尔街分析师普遍预期则为调整后营业亏损约2.4亿美元。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra在与分析师的电话会议上表示：“美光已经恢复盈利，并比预期提前足足一个季度实现了正向的营业利润率。”预计在HBM强劲需求驱动之下，第三财季营收区间将达到64亿美元至68亿美元，意味着同比激增70%到81%，超越华尔街分析师平均预期的59.9亿美元。
由于个人电脑和智能手机需求疲软，存储芯片行业2022年下半年至2023年可谓遭遇行业史上最严重的衰退之一，但随着全球芯片需求2024年逐步迈入复苏周期，美光及其主要存储竞争对手——SK海力士以及三星，业绩均呈现积极复苏态势。
SIA公布的最新数据显示，1月全球半导体行业销售额总额高达476亿美元，与2023年1月相比增长15.2%。事实上，半导体行业销售额自2023 年末开始因AI芯片强劲需求而明显回升。SIA统计的2023年第四季度销售额约为 1460 亿美元，比 2022 年第四季度销售额增长 11.6%，相比于2023 年第三季度销售额环比增长 8.4%。关于2024年半导体行业销售额预期，SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 在数据报告预计2024 年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。
因此，随着芯片行业踏入复苏周期，存储需求有望大增。更重要的是，随着蓬勃发展的人工智能技术刺激HBM存储需求激增，高管们对未来持极度乐观态度。全球企业对于英伟达AI GPU需求激增，势必也将带来无比强劲的与英伟达AI GPU全面绑定的HBM存储需求。
美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，人工智能（AI）热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力(4.100, 0.17, 4.33%)。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在声明中表示：“我们相信，美光是人工智能带来的多年来重大机遇的半导体行业最大受益者之一。”
美光管理层表示，2024财年新工厂和设备的预算将维持在75亿美元至80亿美元，并且该公司将继续在中国、日本和印度开展项目。
财报公布后，该公司股价盘后一度暴涨近16%。2023年迄今，该股已上涨13%，至96.25美元，涨幅超过标普500指数。
Mehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达（NVDA.US）等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。
HBM——有望成为美光的“创收新引擎”
HBM是一种高带宽、低能耗的存储技术，专门用于高性能计算和图形处理领域。HBM堆叠的多个DRAM芯片连接在一起，通过微细的Through-Silicon Vias（TSVs）进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输。HBM主要用于高性能图形卡、AI加速、高性能计算和数据中心服务器等领域，其高带宽特性，以及极低延迟和高能效比使得处理器能够更快地访问存储空间，大幅提高计算性能和效率。在AI基础设施领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI服务器系统，以及即将问世的B100和H200等AI 服务器系统使用。
在最近一个季度，美光首次从其推出的名为“HBM3E”最新型HBM存储系统中获得营收，HBM存储系统与英伟达新款AI GPU全面绑定。美光管理层预计，到2024财年，HBM产品将带来“数亿美元”级别的营收，甚至有望比肩第二大业务——NAND业务，并且美光管理层强调，美光已经彻底售罄预计在2024年产能能够生产的所有HBM，预计生产的大部分此类存储在2025年也将迅速售罄。
人工智能软件是基于“数据轰炸”类型的AI训练/推理过程而产生，该过程可能涉及数万亿个参数，并且高度依赖专注于高性能领域的HBM存储系统。为了避免供应瓶颈并保持昂贵的处理器全速工作，美光及其竞争对手开发了比传统存储芯片更快地与AI GPU等基础硬件组件通信的HBM存储。
存储芯片制造商一直在努力进军新的市场，比如数据中心、汽车和越来越多的消费电子产品，从而减少对智能手机和个人电脑存储的依赖。
美光与来自韩国的存储巨头三星电子（Samsung Electronics Co．）和SK海力士在销售为电脑和智能手机提供短期记忆的存储芯片方面展开竞争，如今竞争已蔓延至数据中心HBM存储领域。美光还生产NAND flash闪存系列产品，为这些设备提供更长的存储时间。
美光于 2024 年初（大概2月份）开始大批量生产HBM3E 新型存储产品，并开始陆续交付，同时还透露英伟达是其新型 HBM存储产品的主要客户之一。此外，该公司强调其全新HBM产品受到了整个行业的极大兴趣，这暗示英伟达可能不是唯一最终使用美光 HBM3E 的大型客户。美光显然对 HBM3E 寄予厚望，因为这可能使其能够领从SK海力士以及三星电子手中不断赢得市场份额，以全面提高公司营收和利润。
随着美光陆续向英伟达交付HBM3E存储系统，高盛的分析师们表示，该公司可能将扩展到包括AMD在内的其他客户。高盛的分析师们写道：“相信美光在深化与英伟达的合作——即在未来的GPU平台上获得更高的市场份额，以及扩大英伟达以外的客户群方面还有非常大的空间。”
从市场策略的角度来看，SK海力士凭借作为目前绑定英伟达AI GPU的HBM3存储的唯一供应商，已经在HBM存储市场上确立了领导地位，并且其HBM产能已经预订满2024年。美光则通过其HBM3E产品的能效和领先全球同行的性能优势，尝试在高端内存市场中取得竞争优势，并且已经在行业内受到了极大的关注和兴趣。
截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年份额分布将与2022年大致相同。美光在HBM领域的发展相对较晚，但是近期HBM行业的动态消息显示，占据HBM仅10%份额的美光欲“后发制人。据业内人士透露，英伟达基于Blackwell架构的新款AI GPU以及H200 GPU超级算力体系可能将搭载美光HBM3E。
美光HBM3E 模块基于八个堆叠 24Gbit 存储芯片，采用该公司的 1β （1-beta） 制造工艺制造。这些模块的数据速率高达 9.2 GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/s，比目前最快的 HBM3 模块提高了 44%。与此同时，该公司不会停止其基于 8-Hi 24 Gbit 的 HBM3E 组件。该公司宣布，继开始量产 8-Hi 24GB 堆栈后，计划于 2024 年推出超大容量 36 GB 12-Hi HBM3E 堆栈。
知名研究机构Mordor Intelligence预测数据显示，HBM存储产品的市场规模预计将从 2024年的约 25.2 亿美元激增至 2029年的 79.5 亿美元，预测期内（2024-2029年）复合年增长率高达 25.86%。
由于投资者们乐观地认为存储芯片库存过剩大幅缓解且迈向供不应求，以及全球企业布局生成式人工智能（生成式AI）的热潮驱动存储芯片，尤其是HBM需求激增，该公司股价近一年涨幅高达75%。
随着分析师们强调该存储巨头在人工智能热潮中的重要地位，美光股价在2024年达到创纪录的历史高点。华尔街大行花旗表示，美光位列该机构美股半导体板块的“首选投资标的”，主要因该公司股价势必将受益于AI芯片需求激增带来的无比强劲的HBM存储需求。在美光公布业绩前夕，华尔街大行花旗重申对美光“买入”的评级，并将基于12个月的目标价从95美元大幅调高至150美元。
美国当地时间3月18日下午，全球瞩目的英伟达2024GTC大会在加州圣何塞SAP球场开幕。
点评
Blackwell GPU发布
黄仁勋表示，Blackwell 的 AI 性能可达 20 petaflops，并配备192GB HBM3e显存，8TB/sec HBM带宽。采用台积电 4 纳米（4NP）工艺，整合两个独立裸晶（Die），裸晶之间通过10 TB / 秒的NVLink 5.0（NV-HBI）连接。Blackwell complex 的 NVLink 5.0 端口可提供 1.8 TB / 秒的带宽，是 Hopper GPU 上 NVLink 4.0 端口速度的两倍。此外，每个 Blackwell 裸晶(die)的浮点运算能力比 Hopper Die 高出 25%，且每个封装中包含两个 Blackwell 芯片，总性能提高 2.5 倍。
发布GB200，性能全面提升
架构上GB200 包含两个 B200 Blackwell GPU 和一个基于 Arm 的 Grace CPU ，IT之家援引英伟达官方报告，训练一个 1.8 万亿个参数的模型以前需要 8000 个 Hopper GPU 和 15 兆瓦的电力。如今，Nvidia 首席执行官表示，2000 个 Blackwell GPU 就能完成这项工作，耗电量仅为 4 兆瓦。GB200内部可容纳72个GPU，在性能方面，推理大语言模型性能比 H100 提升 30 倍，在参数为 1,750 亿的 GPT-3 LLM 基准测试中，GB200 的性能是 H100 的 7 倍，而训练速度是 H100 的 4 倍。同时，B200平台可以向下兼容，支持与上一代Hopper架构的H100/H200 HGX系统硬件适配。我们认为，GB200快速推广也有望带动高速光模块需求数量提升。
GB200使用液冷方案，液冷应用成为增量
GB200 NVL72 服务器提供 36 个 CPU 和 72 个 Blackwell GPU，并使用一体水冷散热方案。NVIDIA GB200 NVL72 是一种多节点、液冷、机架规模系统。我们认为，GB200推广也有望拉动AI服务器液冷需求以及数据中心侧液冷的应用。
发布智能汽车&具生智能相关合作与项目
在GTC大会上，黄仁勋宣布包括和比亚迪的合作，以及宣布一项名为GR00T的项目，旨在进一步推动英伟达在机器人和具身智能的突破性工作。公司在具身智能有较多布局，未来有望继续深化在该领域的布局与研究。
关注产业链核心受益标的
我们认为，本次GTC大会发布GB200有望带动高速光模块销量提升。GB200搭配液冷方案，带动整体液冷在AI服务器及数据中心侧的渗透率提升。产业链核心受益标的：
①光模块&光芯片：中际旭创、天孚通信、新易盛、源杰科技（与电子团队联合覆盖）、博创科技、仕佳光子，：罗博特科等
②服务器交换机：沪电股份（与电子团队联合覆盖）、紫光股份（与计算机团队联合覆盖）、中兴通讯，：菲菱科思、华丰科技、鼎通科技等
③智算中心：润泽科技（与机械团队联合覆盖）、润建股份、奥飞数据（与计算机团队联合覆盖）、科华数据（与电新团队联合覆盖）等
④液冷：润泽科技（与机械团队联合覆盖），：英维克、高澜股份、科创新源等
⑤机器人：汉威科技（与机械团队联合覆盖）、拓邦股份（与电子团队联合覆盖）等#A股[超话]#
点评
Blackwell GPU发布
黄仁勋表示，Blackwell 的 AI 性能可达 20 petaflops，并配备192GB HBM3e显存，8TB/sec HBM带宽。采用台积电 4 纳米（4NP）工艺，整合两个独立裸晶（Die），裸晶之间通过10 TB / 秒的NVLink 5.0（NV-HBI）连接。Blackwell complex 的 NVLink 5.0 端口可提供 1.8 TB / 秒的带宽，是 Hopper GPU 上 NVLink 4.0 端口速度的两倍。此外，每个 Blackwell 裸晶(die)的浮点运算能力比 Hopper Die 高出 25%，且每个封装中包含两个 Blackwell 芯片，总性能提高 2.5 倍。
发布GB200，性能全面提升
架构上GB200 包含两个 B200 Blackwell GPU 和一个基于 Arm 的 Grace CPU ，IT之家援引英伟达官方报告，训练一个 1.8 万亿个参数的模型以前需要 8000 个 Hopper GPU 和 15 兆瓦的电力。如今，Nvidia 首席执行官表示，2000 个 Blackwell GPU 就能完成这项工作，耗电量仅为 4 兆瓦。GB200内部可容纳72个GPU，在性能方面，推理大语言模型性能比 H100 提升 30 倍，在参数为 1,750 亿的 GPT-3 LLM 基准测试中，GB200 的性能是 H100 的 7 倍，而训练速度是 H100 的 4 倍。同时，B200平台可以向下兼容，支持与上一代Hopper架构的H100/H200 HGX系统硬件适配。我们认为，GB200快速推广也有望带动高速光模块需求数量提升。
GB200使用液冷方案，液冷应用成为增量
GB200 NVL72 服务器提供 36 个 CPU 和 72 个 Blackwell GPU，并使用一体水冷散热方案。NVIDIA GB200 NVL72 是一种多节点、液冷、机架规模系统。我们认为，GB200推广也有望拉动AI服务器液冷需求以及数据中心侧液冷的应用。
发布智能汽车&具生智能相关合作与项目
在GTC大会上，黄仁勋宣布包括和比亚迪的合作，以及宣布一项名为GR00T的项目，旨在进一步推动英伟达在机器人和具身智能的突破性工作。公司在具身智能有较多布局，未来有望继续深化在该领域的布局与研究。
关注产业链核心受益标的
我们认为，本次GTC大会发布GB200有望带动高速光模块销量提升。GB200搭配液冷方案，带动整体液冷在AI服务器及数据中心侧的渗透率提升。产业链核心受益标的：
①光模块&光芯片：中际旭创、天孚通信、新易盛、源杰科技（与电子团队联合覆盖）、博创科技、仕佳光子，：罗博特科等
②服务器交换机：沪电股份（与电子团队联合覆盖）、紫光股份（与计算机团队联合覆盖）、中兴通讯，：菲菱科思、华丰科技、鼎通科技等
③智算中心：润泽科技（与机械团队联合覆盖）、润建股份、奥飞数据（与计算机团队联合覆盖）、科华数据（与电新团队联合覆盖）等
④液冷：润泽科技（与机械团队联合覆盖），：英维克、高澜股份、科创新源等
⑤机器人：汉威科技（与机械团队联合覆盖）、拓邦股份（与电子团队联合覆盖）等#A股[超话]#
#股票[超话]#英伟达B100的最新消息：
结合专家访谈和产业链调研，机构得到以下信息：
1）预计算力4倍，符合黄氏定律每年翻倍，H100与2022GTC首发。制程仍然是TSMC N4P，通过架构升级和chiplet升级算力
2）更大的HBM内存，据称是H200的140%，接近200GB，首发仍是HBM3e
3）NVLINK带宽翻倍是网络侧期望，但按照H100升级规律看，至少提升50%至1.5TB/s双向，确定采用224SERDES，同步配套推出ConnectX8的800G网卡，一个GPU配一个C8，单机4个1.6T或8个800G。C8网卡预计今年晚些时候ready，早期版本将是800G，1.6T会首发搭载于GB200NVLINK互联。
4）液冷渗透率提升，会发布700W和1000W版本，液冷会出现在首发上。
B100供应链：
HBM：镁光、海力士、三星
CCL：台光电、斗山、生益科技
PCB：欣兴、沪电、景旺、方正
液冷模组：英业达
液冷解决方案：维谛
电源：光宝、台达
PCIE：博通
载板：lbiden、欣兴电子
GPU模组代工：工业富联
HGX主板：纬创
DGX服务器：纬创
OEM服务器：超微、工业富联、广达、戴尔、惠普等
1.6T：旭创、mellanox （天孚独供光引擎）
LPO：旭创、新易盛、mellanox（天孚独供光引擎）
$英伟达(NVDA)$ $工业富联(SH601138)$ $上证指数(SH000001)$
结合专家访谈和产业链调研，机构得到以下信息：
1）预计算力4倍，符合黄氏定律每年翻倍，H100与2022GTC首发。制程仍然是TSMC N4P，通过架构升级和chiplet升级算力
2）更大的HBM内存，据称是H200的140%，接近200GB，首发仍是HBM3e
3）NVLINK带宽翻倍是网络侧期望，但按照H100升级规律看，至少提升50%至1.5TB/s双向，确定采用224SERDES，同步配套推出ConnectX8的800G网卡，一个GPU配一个C8，单机4个1.6T或8个800G。C8网卡预计今年晚些时候ready，早期版本将是800G，1.6T会首发搭载于GB200NVLINK互联。
4）液冷渗透率提升，会发布700W和1000W版本，液冷会出现在首发上。
B100供应链：
HBM：镁光、海力士、三星
CCL：台光电、斗山、生益科技
PCB：欣兴、沪电、景旺、方正
液冷模组：英业达
液冷解决方案：维谛
电源：光宝、台达
PCIE：博通
载板：lbiden、欣兴电子
GPU模组代工：工业富联
HGX主板：纬创
DGX服务器：纬创
OEM服务器：超微、工业富联、广达、戴尔、惠普等
1.6T：旭创、mellanox （天孚独供光引擎）
LPO：旭创、新易盛、mellanox（天孚独供光引擎）
$英伟达(NVDA)$ $工业富联(SH601138)$ $上证指数(SH000001)$
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