【INS：ev.alet】240509更新一则：
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​【VASP计算解读】ACS Nano： CrI3/WSe2异质双层的激光诱导超快自旋注入

✅研究背景

自旋注入是一种用于初始化、操纵和测量电子自旋态的关键方法，这是量子计算中量子位创建的基础。然而，确保有效的自旋注入并保持与标准半导体处理技术的兼容性是一个重大挑战。在此，东南大学王金兰、袁士俊、德累斯顿工业大学Thomas Heine等人报道了在飞秒时间尺度上从磁性CrI3层向WSe2层诱导超快自旋注入的能力。

✅VASP解读

基于维也纳从头算模拟包（VASP），本文中的所有DFT计算都是使用投影增广波方法实现的，并使用了Perdew、Burke和Ernzerhof开发的广义梯度近似方法来描述交换关联作用。

⚡️作者将截断能设置为400 eV，并将力的收敛标准设置为0.01eV/Å，以及采用7×7×1的k点网格进行布里渊区采样。此外，作者采用Grimme开发的DFT-D3方法来处理vdW弱相互作用，并且设置了3 eV的有效Hubbard U值。
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