#西巡西语新闻# Las comunidades autónomas comienzan a blindarse de nuevo ante el coronavirus de cara al puente de San José del próximo fin de semana y, sobre todo, de la Semana Santa, con planes que impidan el avance del Covid-19 que proponen cierres perimetrales en todas las autonomías, salvo Baleares y Canarias, y reafirman toques de queda y limitaciones en las reuniones sociales. https://t.cn/R2WJvzp

三星全球首秀3nm，又跑到了台积电的前面了；IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。
在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

台积电方面，3nm继续使用FinFET技术，号称相比于5nm晶体管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，预计今年晚些时候投入试产，明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据说Intel也会用。

三星全球首秀3nm！电压只需0.23V[并不简单]

这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

台积电方面，3nm继续使用FinFET技术，号称相比于5nm晶体管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，预计今年晚些时候投入试产，明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据说Intel也会用。#三星#