近期，#西安紫光国芯# 总裁任奇伟受邀参加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop（IMW 2021，国际存储器研讨会） ”的线上会议 ，并作题为《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的专题报告分享。

通过对存储系统的市场需求以及未来发展的深入剖析，任总阐释了当前热门的3D集成技术在嵌入式存储器领域的广泛应用，并向与会嘉宾重点介绍了公司最新研发世界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案——异质嵌入式DRAM（SeDRAM）#SeDRAM# 。

相比传统的嵌入式SRAM和DRAM存储器(eSRAM和eDRAM)，SeDRAM采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现对存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC能够方便简单地集成。 https://t.cn/RDUnNFD

IMW摄影师作品分享！坐标位于杭州的摄影师@镰鼬Kamaitachi ，作品—— <西湖之外>
“你未看此花时，此花与汝心同归于寂。你来看此花时，则此花颜色一时明白起来。——王阳明”
摄影师选择了这句话来注解他的照片，大概是他在边走边拍的心境。
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【IMW大会解读系列：内存计算---计算机未来的结构】https://t.cn/A6fPkRbo 一年一度的国际记忆体研讨会在上个月刚刚落下帷幕，有着一系列的有关于NAND（非易失性闪存）、DRAM（动态随机存储器）、ReRAM（可变电阻存储器）和FRAM（铁电存储器）的演示和论文，电子工程专辑编辑团队为您带来深入解读系列。