联发科发布全球首款4nm芯片天玑9000，狂揽10项全球第一

昨日，联发科发布旗下新一代旗舰处理器——天玑9000，基于台积电4nm工艺制程打造，是全球首款基于该工艺的手机芯片，安兔兔跑分突破了100万分，是目前安卓阵营中已知跑分最高的手机芯片，远超骁龙888 Plus等旗舰处理器。此外据博主数码闲聊站爆料，台积电明年还有一款n5次旗舰芯，可能会被命名为天玑7000，目前已经在测试中了。

不止天玑9000！曝联发科还有颗次旗舰Soc未发：小米会用

今天，博主数码闲聊站爆料，联发科有两颗新处理器，一颗是已经对外发布的旗舰天玑9000，一颗是次旗舰处理器，尚未对外发布，这两颗芯片Redmi都有开案测试，相关机型会在晚些时候上市。

今年联发科就量产商用了天玑1200和天玑1100两颗旗舰芯片，其中天玑1100是联发科打造的一款次旗舰芯片。

从爆料来看，这颗尚未发布的联发科Soc定位应该与天玑1100相似，面向的是中端市场，但其拥有旗舰级性能。

之前爆料信息显示，联发科这颗次旗舰Soc采用的是台积电5nm工艺，相比天玑9000使用的台积电4nm工艺略逊一筹，但是在当下仍然是高端旗舰处理器才会使用的工艺制程，比如iPhone 13芯片便是使用的台积电5nm工艺。

值得一提的是，Redmi今年上半年发布的Note 10 Pro使用了联发科次旗舰芯片天玑1100，那么Redmi Note 12 Pro是否会使用这颗未发布的次旗舰芯片？我们拭目以待。

新一代高通骁龙8 Gen 1旗舰芯片平台或支持150W快充

据博主数码闲聊站爆料称，部分搭载骁龙新款SoC的量产智能机，或达成惊人的150W峰值充电功率。据介绍，高通会在2021年底发货的第二批芯片中，提供对最高150W充电功率的支持。按照终端产品的制造周期，消费者最早也要等到2022年1季度，才会看到类似“10 分钟充满电”的机型。