三星在3D闪存上又一次超越

作为全球NAND闪存市场的一哥，三星在3D闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。
三星的V-NAND闪存现在演员发展到了第七代V-NAND V7，堆栈层数176层，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8层数将超过200——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是228层，提升30%左右，存储密度提升了40%左右。

QLC也要追上TLC了？QLC闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s，连机械硬盘也不如，但是挡不住QLC便宜，虽然消费者不买账，但是现在市场上QLC的SSD越来越多了。现在三星似乎有了解决办法，QLC也要追上TLC了，目前，三星的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC，明年会跳过V6 QLC，直接进入176层的V6 QLC闪存时代，到时将比V4 QLC闪存提升2.5-3倍，相比现在的V5 QLC大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320MB/s，这还是无缓存加速的前提下，足以超越HD，似乎要追上TLC了。

【三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘】三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注QLC闪存的性能，目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC，明年会跳过V6 QLC，直接进入176层的V6 QLC闪存时代。新一代QLC闪存性能好得多，写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍，不过这是针对V4 QLC闪存的，相比现在的V5 QLC大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320MB/s。