【IWAPS】来自Fudan University的Yanli Li作出了题为《高数值孔径（HiNA）极紫外（EUV）曝光工具给光刻工艺带来的优势》的报告。自从0.33NA极紫外光(EUV)曝光工具引入7/5 nm工艺以来，摩尔定律继续拓展到了更小的尺寸。然而，由于光子吸收的随机性，线/间隔（line/space）的最佳间距为36~40 nm，接触孔和通孔的最佳间距为48~50 nm。在上述尺寸以下，若要保持相同的缺陷密度水平，就需要增加曝光能量或改善材料粗糙度。使用较高的数值孔径（NA）可以提高成像对比度，或者改善在较小间距处的曝光宽裕度(EL)，从而提高光刻分辨率。此外，高NA曝光工具的使用可以改善水平-垂直(H-V)线宽偏差，并通过间距变化改变焦距。然而，所能达到的最小间距在很大程度上取决于光子吸收的分布。我们将使用我们自主开发的EUV随机模型来探究HiNA曝光工具能否提高对随机结果的探测能力，并提出相同缺陷密度下最小间距的缩减量。

【IWAPS】来自Fudan University的Rongzheng Ding作出了题为《无 EUV 的 CFET 将 HD SRAM 尺寸缩小到 7nm 以下》的报告。随着器件关键尺寸的不断缩小，半导体行业在7nm节点之后进入EUV光刻时代。 然而，EUV光刻技术在设备和工艺上意味着高昂的经济成本。 因此，我们非常需要在5nm节点以后不使用EUV的情况下，在 SRAM 设计中7nm节点之后继续缩小面积。 在本文中，我们介绍了 CFET 设计的 5nm 节点的无 EUV 光刻的 HD SRAM 设计。 它基本上遵循7nm规则，面积缩小归因于CFET N / PFET堆叠流程。 同时根据CFET的特点提出了多种布局方案，并对其可行性和工艺挑战进行了评估。 这项工作为通过 CFET 实现缩小器件面积提供了另一种工艺选择。

【IWAPS】工艺模型指导下的光刻胶配方优化
来自Fudan University的Qiang Wu作了题为工艺模型指导下的光刻胶配方优化的报告。自化学扩增光刻胶(CAR)问世以来，分辨率一直在不断提高，从0.25微米一直提高到5 nm，包括248 nm、193 nm、193 nm浸没和EUV光刻。这一成果的关键是化学放大。化学放大是通过光产生的酸扩散放大去保护反应。此外，聚合物设计的去保护活化能也会影响暗场和亮场条件下的线宽偏差。该工作使用自行开发的物理空间像仿真模型，从曝光数据中提取物理参数，结果表明这是一种非常有效的配方优化方法。