天津铟回收 回收铟锭 收购粗铟金利达厂家电话13087593558ITO导电玻璃按平整度分，分为抛光玻璃和普通玻璃。
主要参数编辑 播报
长度、宽度、厚度及允差（±0.20）
垂直度（≤0.10%）
翘曲度（厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%）
微观波纹度
倒边C倒边（0.05mm≤宽度≤0.40mm）R倒边（0.20mm≤宽度≤1.00mm，曲率半径≤50mm）倒角（浮法方向2.0mmX5.0mm；其余1.5mmx1.5mm）SiO2阻挡层厚度（350埃±50埃，550nm透过率≥90%）ITO层光学、电学、蚀刻性能（蚀刻液：600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3）
稳定性编辑 播报
耐碱为浸入60℃、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、丙酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力：在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下，膜层无损伤；或连撕三次后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性：在300°C的空气中，加热30分钟后，ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%。
主要参数编辑 播报
长度、宽度、厚度及允差（±0.20）
垂直度（≤0.10%）
翘曲度（厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%）
微观波纹度
倒边C倒边（0.05mm≤宽度≤0.40mm）R倒边（0.20mm≤宽度≤1.00mm，曲率半径≤50mm）倒角（浮法方向2.0mmX5.0mm；其余1.5mmx1.5mm）SiO2阻挡层厚度（350埃±50埃，550nm透过率≥90%）ITO层光学、电学、蚀刻性能（蚀刻液：600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3）
稳定性编辑 播报
耐碱为浸入60℃、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、丙酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力：在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下，膜层无损伤；或连撕三次后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性：在300°C的空气中，加热30分钟后，ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%。
#翡翠##翡翠珠宝#
翡翠是什么？
到底什么是翡翠呢？有人说我要买玉，有人说我要买翡翠，到底翡翠和玉能否划上等于好呢？ 我们今天来简单的讲一下这个问题：
玉按照其硬度分为软玉和硬玉，两者是不同的矿物质，通俗一点表述打个比方说，我们的书法里面，中国毛笔通常分类根据笔锋的软硬程度分为软笔和硬笔，那软玉和硬玉也是按照其硬度来区分，其中软玉的硬度为4-6，硬玉的硬度为6.5-7。所以在这个层面上讲，玉分软玉和硬玉。那么翡翠到底又与这两者有何关系呢？
首先，我们看一下硬玉是什么？硬玉就是一种矿物的名称，泛指一切带颜色的不同质量的辉石族中纤维状纳铝硅酸盐的矿物集合体。构成硬玉的三种主要物质组分为:SiO2、Al2O3、Na2O，其理论含量值:SiO2为59.44%;AI2O3为 25. 22 % ;Na20为15.34%。硬玉的硬度:6.5~7;相对密度:3.33左右;折射率:1.66,韧性很强，破碎表面能为1.21x10-2J/cm2，破碎韧度为7.1x 10°N/cm2。
其次，我们看看翡翠是什么。从广义上讲，翡翠是具有商业价值、达到宝石级硬玉岩的商业名称，是各种颜色的宝石级硬玉岩的总称。狭义的翡翠是单指绿色的宝石级硬玉岩。地质学称翡翠为以硬玉矿物为主要矿物组成并含有其他辉石类矿物的集合体，以铬元素为致色离子的硬玉岩。达到宝石级的翡翠，在化学成分上，非常接近硬玉矿物的理论值。
现在您明白翡翠和玉的关系与概念了吗？如果您还有其他问题，欢迎大家在评论区留言。 https://t.cn/RuQ52aU
翡翠是什么？
到底什么是翡翠呢？有人说我要买玉，有人说我要买翡翠，到底翡翠和玉能否划上等于好呢？ 我们今天来简单的讲一下这个问题：
玉按照其硬度分为软玉和硬玉，两者是不同的矿物质，通俗一点表述打个比方说，我们的书法里面，中国毛笔通常分类根据笔锋的软硬程度分为软笔和硬笔，那软玉和硬玉也是按照其硬度来区分，其中软玉的硬度为4-6，硬玉的硬度为6.5-7。所以在这个层面上讲，玉分软玉和硬玉。那么翡翠到底又与这两者有何关系呢？
首先，我们看一下硬玉是什么？硬玉就是一种矿物的名称，泛指一切带颜色的不同质量的辉石族中纤维状纳铝硅酸盐的矿物集合体。构成硬玉的三种主要物质组分为:SiO2、Al2O3、Na2O，其理论含量值:SiO2为59.44%;AI2O3为 25. 22 % ;Na20为15.34%。硬玉的硬度:6.5~7;相对密度:3.33左右;折射率:1.66,韧性很强，破碎表面能为1.21x10-2J/cm2，破碎韧度为7.1x 10°N/cm2。
其次，我们看看翡翠是什么。从广义上讲，翡翠是具有商业价值、达到宝石级硬玉岩的商业名称，是各种颜色的宝石级硬玉岩的总称。狭义的翡翠是单指绿色的宝石级硬玉岩。地质学称翡翠为以硬玉矿物为主要矿物组成并含有其他辉石类矿物的集合体，以铬元素为致色离子的硬玉岩。达到宝石级的翡翠，在化学成分上，非常接近硬玉矿物的理论值。
现在您明白翡翠和玉的关系与概念了吗？如果您还有其他问题，欢迎大家在评论区留言。 https://t.cn/RuQ52aU
硅片蚀刻及单片湿式蚀刻槽的设计
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
KOH硅湿法蚀刻工艺
为了使用KOH对硅进行湿法蚀刻，需要硬掩模，一般情况下，硬面罩采用热处理氧化膜（Thermal oxide）、PECVD SiO2、Si3N4等绝缘膜或aluminum（Al）等金属膜，缺点是Al在去除过程中会产生污染热点，Si3N4作为硬掩膜与KOH反应较少，但后续湿法难以去除，对于氧化膜而言，PECVD沉积的氧化膜比热处理氧化膜在膜质内存在的氢组分多，因此蚀刻率约高2倍。 因此，本研究采用与硅的选择比良好且易于去除的热处理氧化膜作为硬掩膜。
进行实验时，在显微镜下观察了硅与KOH的正常反应，如图6，实验在没有单独装置的情况下，对硅进行了蚀刻，确认了晶片背面蚀刻的现象，这使得晶片整体厚度变薄，硅的硬度降低，为了防止此类现象，进行稳定的湿法蚀刻工艺，设计并制作了硅胶后方防蚀刻装置。
常规的薄膜湿法蚀刻装置有梅叶式、布置形式，但布置形式难以保证工艺均匀度，梅叶式不利于长时间蚀刻，因此，为了长时间均匀蚀刻硅，本研究将150 mm晶片用装置以如下条件，图8所示进行了设计和制作，材质采用了耐受KOH的polyether ether ketone(PEEK)。 为了防止溶液泄漏，在晶片外围布置了O-ring，并增加了单独的O-ring，以减少晶片所承受的压力，在此基础上，还设计了防微泄漏溶液的沟槽。
将所开发的装置应用于湿法蚀刻工艺，得到了相同的结果，将150 mm晶片的总厚度610μm稳定地蚀刻出了从最小1 mm 0.5 mm到最大9 mm 9 mm的各种图案，表现出了与前面提到的（1）、（2）中的修饰类似的倾向性。 但选择比存在差异，可能是因为氧化膜生长过程中氢含量的差异。上述结果，通过使用所开发装置的KOH湿法蚀刻工艺，证实了在一个晶片上可以形成多种MEMS用结构。
本研究利用所开发的装置在150 mm硅晶片上进行了湿法蚀刻工艺，开发的装置考虑到MEMS传感器生产率的提高和在实际量产中的可操作性，设计并制造了适用于300毫米晶片的产品，另外，如果将本装置实现层叠式，在今后的MEMS工艺中，在收率及稳定性方面会带来优秀的工艺结果。MEMS装置的制造要求整个晶片必须具有确保图案均匀性和硅硬度的各向异性蚀刻。本研究为此开发了150 mm晶片后防蚀刻装置，实验结果证实了硅能稳定地蚀刻到最大深度610μm。 此外，如果能够设计和制作适合不同晶片尺寸的装置，并采用本研究相同的工艺方法，将会对稳定性及收率的提高做出很大的贡献。#如何看待家长派孩子核酸现场跳舞#
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
KOH硅湿法蚀刻工艺
为了使用KOH对硅进行湿法蚀刻，需要硬掩模，一般情况下，硬面罩采用热处理氧化膜（Thermal oxide）、PECVD SiO2、Si3N4等绝缘膜或aluminum（Al）等金属膜，缺点是Al在去除过程中会产生污染热点，Si3N4作为硬掩膜与KOH反应较少，但后续湿法难以去除，对于氧化膜而言，PECVD沉积的氧化膜比热处理氧化膜在膜质内存在的氢组分多，因此蚀刻率约高2倍。 因此，本研究采用与硅的选择比良好且易于去除的热处理氧化膜作为硬掩膜。
进行实验时，在显微镜下观察了硅与KOH的正常反应，如图6，实验在没有单独装置的情况下，对硅进行了蚀刻，确认了晶片背面蚀刻的现象，这使得晶片整体厚度变薄，硅的硬度降低，为了防止此类现象，进行稳定的湿法蚀刻工艺，设计并制作了硅胶后方防蚀刻装置。
常规的薄膜湿法蚀刻装置有梅叶式、布置形式，但布置形式难以保证工艺均匀度，梅叶式不利于长时间蚀刻，因此，为了长时间均匀蚀刻硅，本研究将150 mm晶片用装置以如下条件，图8所示进行了设计和制作，材质采用了耐受KOH的polyether ether ketone(PEEK)。 为了防止溶液泄漏，在晶片外围布置了O-ring，并增加了单独的O-ring，以减少晶片所承受的压力，在此基础上，还设计了防微泄漏溶液的沟槽。
将所开发的装置应用于湿法蚀刻工艺，得到了相同的结果，将150 mm晶片的总厚度610μm稳定地蚀刻出了从最小1 mm 0.5 mm到最大9 mm 9 mm的各种图案，表现出了与前面提到的（1）、（2）中的修饰类似的倾向性。 但选择比存在差异，可能是因为氧化膜生长过程中氢含量的差异。上述结果，通过使用所开发装置的KOH湿法蚀刻工艺，证实了在一个晶片上可以形成多种MEMS用结构。
本研究利用所开发的装置在150 mm硅晶片上进行了湿法蚀刻工艺，开发的装置考虑到MEMS传感器生产率的提高和在实际量产中的可操作性，设计并制造了适用于300毫米晶片的产品，另外，如果将本装置实现层叠式，在今后的MEMS工艺中，在收率及稳定性方面会带来优秀的工艺结果。MEMS装置的制造要求整个晶片必须具有确保图案均匀性和硅硬度的各向异性蚀刻。本研究为此开发了150 mm晶片后防蚀刻装置，实验结果证实了硅能稳定地蚀刻到最大深度610μm。 此外，如果能够设计和制作适合不同晶片尺寸的装置，并采用本研究相同的工艺方法，将会对稳定性及收率的提高做出很大的贡献。#如何看待家长派孩子核酸现场跳舞#
✋热门推荐