东北师范大学李阳光、谭华桥教授和郎中玲副教授领导的科研团队通过理论模拟预测并成功制备了水裂解能垒极低（ΔGb = 0.61 eV）、氢吸附自由能接近于零（ΔGH* = -0.03 eV），水吸附步骤放热微弱（ΔHH2O = -0.12 eV）的Ru/Ni/WC@NPC多界面三元复合催化剂，并系统地研究了该催化剂在碱性电解液以及模拟氯碱电解条件下的析氢性能。该工作对于探索温度及强碱性环境对析氢性能的影响具有指导和借鉴意义，且在一定程度上推动了电解水制氢和氯碱工业的耦合发展。https://t.cn/A6XvCeRd

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氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

中文同义词：三氧化二镓；氧化镓(Ⅲ)；氧化镓, 99.999% (METALS BASIS)；氧化镓, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS)；氧化镓, 99.995% (METALS BASIS)；氧化镓, 99.99% (METALS BASIS)；氧化镓 (METALS BASIS)；
英文同义词：GALLIUM SESQUIOXIDE；GALLIUM OXIDE；GALLIUM(III) OXIDE；GALLIUM(+3)OXIDE；Digallium trioxide；digalliumtrioxide；Ga2-O3；Gallia；
CAS号：12024-21-4；
EINECS号：234-691-7；
相关类别：镓金属和陶瓷科学；氧化物；催化和无机化学；化学合成；镓；金属氧化物；

氧化镓(III)，即三氧化二镓，是镓的氧化物中最稳定的。在空气中加热金属镓使之氧化，或在200-250℃时焙烧硝酸镓、氢氧化镓以及某些镓的化合物都可形成Ga2O3。
Ga2O3 有五种同分异构体：α，β，γ，δ，ε，其中最稳定的是β-异构体，当加热至1000℃以上或水热条件（即湿法）加热至300℃以上时，所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。