至少需要20年的努力，但在这期间别的半导体也会创造奇迹
日本用钻石做晶圆，用于量子计算机，一块晶圆，相当10亿张DVD
众所周知，目前的半导体材料，还是以硅为主。虽然也有其它材料在开发，比如碳基材料、SiC、GaN等材料，但至少目前还不是主流。
不过大家也清楚，硅基芯片目前快接近摩尔定律极限了，TSMC、三星等已经将工艺推进至3nm了，接下来再推进，越来越难了，摩尔定律失效了。
所以各大半导体厂商们，都在不断的寻找新材料，以用来取代硅基材料，以让摩尔定律能够延续下来。
而钻石材料也是大家在研究的一种，甚至钻石已经被很多科学家证实是当前最理想的半导体材料，因为它在很多方面都是远超硅的。
一是它是更耐热，是硅的5倍，目前硅基材料的芯片，发热就已经非常难控制了，换上钻石后，就不怕了。
二是更容易冷却，按照数据，钻石的传热效率是硅的 22 倍，意思就是如果发热了，也很容易将热量传导出去。
第三是可以承受更高的电压，而不会被击突，这样在制造半导体时，这样能够承受更高的电压，更强的性能。
第四，电子（和电子空穴）可以更快地穿过它们，在测试中，使用钻石的半导体材料提供的电流，可以达到硅的100万倍。
所以如果基于钻石来制造半导体，能够制造出更快、更轻、更好的设备，比硅更低功耗，更高性能，更耐热，更环保。更重要的是，使用钻石来制造半导体，与硅制造半导体是类似的，现有的设备很多都能用。
只不过在早期，钻石太贵了，而硅成本非常低，且硅基芯片远没有达到摩尔极限，所以并没有受到重视。
随着人造钻石诞生，钻石价格大跌，再加上硅基芯片达到了摩尔定律临界点，钻石材料才再次被重视了起来。
而近日，日本Adamant并木精密宝石会社与滋贺大学联合宣布，已成功实现量产钻石晶圆，今后专用于量子计算机的存储介质，也就是存储芯片。
按照媒体的说法，用钻石来制造存储芯片，一个55mm的晶圆，其能存储的量相当于10亿张蓝光碟容量，远超硅基芯片。
不过，不过要拿钻石来制造晶圆，必须是高纯度，钻石主要是碳组成的，那么其中像氮等元素浓度必须控制在在3ppb（10亿分之3）以下，这个是个难点，比硅要求的9个9的纯度更高
另外不管是天然钻石，还是人造钻石，都还是很贵的。但如果用钻石制造芯片，想必会大规模的人造钻石，那么钻石还能够当做奢侈品，“一颗永流传么”？只怕不会了吧。
日本用钻石做晶圆，用于量子计算机，一块晶圆，相当10亿张DVD
众所周知，目前的半导体材料，还是以硅为主。虽然也有其它材料在开发，比如碳基材料、SiC、GaN等材料，但至少目前还不是主流。
不过大家也清楚，硅基芯片目前快接近摩尔定律极限了，TSMC、三星等已经将工艺推进至3nm了，接下来再推进，越来越难了，摩尔定律失效了。
所以各大半导体厂商们，都在不断的寻找新材料，以用来取代硅基材料，以让摩尔定律能够延续下来。
而钻石材料也是大家在研究的一种，甚至钻石已经被很多科学家证实是当前最理想的半导体材料，因为它在很多方面都是远超硅的。
一是它是更耐热，是硅的5倍，目前硅基材料的芯片，发热就已经非常难控制了，换上钻石后，就不怕了。
二是更容易冷却，按照数据，钻石的传热效率是硅的 22 倍，意思就是如果发热了，也很容易将热量传导出去。
第三是可以承受更高的电压，而不会被击突，这样在制造半导体时，这样能够承受更高的电压，更强的性能。
第四，电子（和电子空穴）可以更快地穿过它们，在测试中，使用钻石的半导体材料提供的电流，可以达到硅的100万倍。
所以如果基于钻石来制造半导体，能够制造出更快、更轻、更好的设备，比硅更低功耗，更高性能，更耐热，更环保。更重要的是，使用钻石来制造半导体，与硅制造半导体是类似的，现有的设备很多都能用。
只不过在早期，钻石太贵了，而硅成本非常低，且硅基芯片远没有达到摩尔极限，所以并没有受到重视。
随着人造钻石诞生，钻石价格大跌，再加上硅基芯片达到了摩尔定律临界点，钻石材料才再次被重视了起来。
而近日，日本Adamant并木精密宝石会社与滋贺大学联合宣布，已成功实现量产钻石晶圆，今后专用于量子计算机的存储介质，也就是存储芯片。
按照媒体的说法，用钻石来制造存储芯片，一个55mm的晶圆，其能存储的量相当于10亿张蓝光碟容量，远超硅基芯片。
不过，不过要拿钻石来制造晶圆，必须是高纯度，钻石主要是碳组成的，那么其中像氮等元素浓度必须控制在在3ppb（10亿分之3）以下，这个是个难点，比硅要求的9个9的纯度更高
另外不管是天然钻石，还是人造钻石，都还是很贵的。但如果用钻石制造芯片，想必会大规模的人造钻石，那么钻石还能够当做奢侈品，“一颗永流传么”？只怕不会了吧。
犯桃花的风水
藤类植物过多:现如今，植物出现在越来越人的家里，被用来装饰住宅。各类植物不仅能美化家庭环境，同时也能够净化室内空气，改善居住环境。大家在选择的时候就需要注意了，一定要尽量避免藤类植物。藤类植物生长过程中会攀附物体，主缠绕，对应住宅主人的感情则是出现纠缠的情况，进而影响感情发展。此外藤类植物具有非常旺盛的生命力，这也象征着它为主人带来的烂桃花将会极为难缠。因此家中最好不要养殖藤类植物。#好运# #分析感情问题# #八字命理分析# #好好许个愿#
藤类植物过多:现如今，植物出现在越来越人的家里，被用来装饰住宅。各类植物不仅能美化家庭环境，同时也能够净化室内空气，改善居住环境。大家在选择的时候就需要注意了，一定要尽量避免藤类植物。藤类植物生长过程中会攀附物体，主缠绕，对应住宅主人的感情则是出现纠缠的情况，进而影响感情发展。此外藤类植物具有非常旺盛的生命力，这也象征着它为主人带来的烂桃花将会极为难缠。因此家中最好不要养殖藤类植物。#好运# #分析感情问题# #八字命理分析# #好好许个愿#
台积电最新路线图：2纳米2026到来，战略发生重要改变
台积电对未来几年有坚实的计划，但代工厂的制造技术设计周期越来越长。因此，为了满足其所有客户的需求，该公司将不得不继续提供其制造工艺的半节点、增强和专业版本。
台积电在过去 20 年左右的成功很大程度上取决于该公司能够提供一种新的制造技术，每年都会改进 PPA（功率、性能、面积），并每 18 至 24 个月推出一个全新的节点，同时保持可预测的高水平产量。但随着现代制造工艺的复杂性达到前所未有的水平，在保持可预测的产量和简单的设计原则的同时保持创新步伐变得越来越困难。
有了台积电的N3 节点，N5（5 纳米级）爬坡和 N3（3 纳米级）爬坡之间的差距将增加到 2.5 年左右，这可能会给代工厂的主要客户苹果带来一些挑战。好消息是，N3 的后续产品 N3E 似乎提前到来了。同时，N2的节奏将延长至三年左右，这在很大程度上意味着台积电节点发展战略的战略转变。
N3E：引入改进的 3nm 节点
台积电的 N3 将在 N5 的基础上实现全节点改进，包括提高 10% ~ 15% 的性能、降低 25% ~ 30% 的功率以及高达 1.7 倍的逻辑晶体管密度。为此，它将使用超过 14 个极紫外 (EUV) 光刻层（N5 使用多达 14 个，预计 N3 将使用更多），并将为深紫外光刻 (DUV) 层引入某些新的设计规则。
图片
台积电将在下半年开始使用其 N3 节点增加芯片的生产，并将在 2023 年初向一个（或多个）客户交付第一批商用芯片，届时它将获得第一笔 N3 收入。
虽然台积电的 N3 工艺技术专为高性能计算（台积电用来描述 CPU、GPU、FPGA、ASIC 等应用的术语）和智能手机而设计，但有证据表明该节点具有相当狭窄的工艺窗口，这将使芯片开发人员难以达到所需的规格。这是一个问题，因为它增加了收益时间并最终降低了利润率。为了解决这个问题，台积电开发了 N3E 版本的技术，该技术 扩大了工艺窗口并提供了对 N5 的改进。
“N3E 将进一步扩展我们的 N3 系列，提高性能、功率和良率，” 台积电首席执行官 CC Wei表示。
最初，台积电计划在 N3 面世大约一年后（即 2023 年第三季度）开始使用 N3E 进行大批量制造（HVM），但最近几个月有 传言 称，台积电将 N3E 的 HVM 时间提前了约四分之一，原因是好于预期的试生产运行。在最近的电话会议中，台积电确认 N3E 的进展提前，并正在考虑使用该技术进行量产，但没有详细说明具体计划。
“我们的 N3E 成绩相当不错，”台积电负责人表示。“进展比我们的计划提前了。是的，我们正在考虑这一点。到目前为止，我仍然没有非常可靠的数据可以与您分享我们可以拉动多少个月。但是，是的，它在我们的计划中。”
请记住，芯片开发人员有自己的设计时间表，他们不可能都能够利用早期的 N3E 爬坡，因为他们的芯片也必须通过所有的预生产迭代。尽管如此，N3E 的进展好于预期总体上是一个好兆头，特别是考虑到台积电的 N3 系列将不得不为该行业服务相当长一段时间。
N2：预计 2026 年出现第一批芯片
事实上，到 2025 年底，N3 及其进化迭代仍将是台积电的领先产品，因为该公司的 N2（2 纳米级）时间表看起来相当保守。
台积电在 2020 年 8 月首次谈及 N2 时，并未透露有关技术（目前我们知道它采用栅极环绕 [GAA] 晶体管结构）或其时间表的许多细节，但表示将建立一个位于台湾新竹县宝山附近的全新工厂，用于该节点（一些消息来源称此新工厂为 Fab 20）。台湾当局在 2021 年年中批准了建设计划，该计划包括在 2022 年初破土动工（今年早些时候台积电董事会确实 接受 了新工厂建设的资金拨款），所以我们认为在我们说话的时候正在建造工厂.
土方建设通常需要一年或更多时间，然后设备安装也需要一年多，因此我们预计 Fab 20 的第一阶段最迟在 2024 年年中准备就绪。台积电预计在 2024 年底开始使用其 N2 技术进行风险生产，然后在 2025 年底启动 HVM，这意味着 2022 年第三季度的初始 N3 量产与 2025 年第四季度的初始 N2 量产之间的差距约为三年。
“到目前为止，我们在 N2 方面的进展正在走上正轨，”魏哲家说。“我只想说，是的，2024年底，[N2]将进入风险生产。2025年，它将投产，可能接近下半年或-或2025年底。那是我们的日程安排。”
考虑到现代芯片的生产周期，我们可以肯定地说，台积电制造的第一批 N2 芯片将在 2026 年初到达消费设备。
但也许台积电关于 N2 和 Fab 20 的公开披露过于保守。华兴证券的分析师 似乎对 Fab 20 的准备情况比台积电更乐观，这可能表明如果制造工艺满足其性能、功率和良率，代工厂 可以 将 N2 HVM 时间缩短四分之一。
“我们还看到台积电在 Fab 20（新竹）的 N2 扩建计划更加清晰，”华兴证券分析师 Sze Ho Ng 在给客户的报告中写道。“根据公司计划，预计工具搬入将于 2022 年底开始，然后在 2024 年末与英特尔合作进行风险生产（客户端 PC Lunar Lake 的图形‘块’，而 CPU‘块’使用英特尔的 18A 制造） ，而Apple则是该工艺的主要客户。”
同时，当 alpha 客户已经制定了 2025 年的计划时，将节点从 2025 年第四季度拉到 2025 年第三季度可能没有多大意义，但我们肯定会看到 N2 的情况如何。
更多 N3 次迭代
今年，台积电需要领先制造工艺的客户将使用该公司的 N4 技术，该技术属于 N5 系列（与 N5、N5P、N4P 和 N4X 一起）。从本质上讲，这意味着 N5 节点将连续三年成为台积电最先进的产品。
N3 节点还必须为台积电的客户再服务三年（2023 年、2024 年、2025 年），因此我们将看到这个过程的多次迭代。到目前为止，台积电已经正式确认了 N3E 和 N3X（这是另一种类似于 N4X的以性能为导向的制造技术 ，主要针对 CPU 和数据中心 ASIC），但我预计更多 N3 衍生节点将在 2024 年至 2025 年解决主流 SoC的制造问题 .
请记住，台积电基于 FinFET 的 N3 必须在与 2023 年至 2025 年与基于 GAA 的星3GAP 和 2GAE/2GAP 以及 2024 年的英特尔 20A (RibbonFET + PowerVia) 和 2025 年的 18A (High-NA EUV)竞争中保持竞争力，台积电的工程师们必须对他们的 N3 增强功能非常有创意。
在代工方面，台积电将在相当长一段时间内保持领先于竞争对手，因为预计英特尔在 2025 年之前不会对其 IFS 专用产能进行大量投资（因此其为 IFS 客户提供的 20A 和 18A 产能可能会受到限制），而三星代工在领先产能方面传统上落后于台积电，并且更倾向于优先考虑其母公司和战略客户（例如高通）。但正式的制程技术领先地位是台积电工程师必须通过 N3 保持的，考虑到英特尔和三星的激进程度，这将是一件不容易的事情。
变化即将来临
显然，台积电的全新工艺开发和加速节奏已经增加到 N3 的两年半，N2 将增加到三年，这可能被其主要客户认为是一个重大放缓。同时，N3E 的潜在拉入是一个好兆头，表明该公司可以相当快地实现其节点内的发展。因此，主要问题是台积电的节点内进步将有多大意义。这是一个只有时间才能回答的问题。
与此同时，随着台积电三年的新节点开发周期，未来的节点内进步对公司及其客户来说将比现在重要得多。
台积电对未来几年有坚实的计划，但代工厂的制造技术设计周期越来越长。因此，为了满足其所有客户的需求，该公司将不得不继续提供其制造工艺的半节点、增强和专业版本。
台积电在过去 20 年左右的成功很大程度上取决于该公司能够提供一种新的制造技术，每年都会改进 PPA（功率、性能、面积），并每 18 至 24 个月推出一个全新的节点，同时保持可预测的高水平产量。但随着现代制造工艺的复杂性达到前所未有的水平，在保持可预测的产量和简单的设计原则的同时保持创新步伐变得越来越困难。
有了台积电的N3 节点，N5（5 纳米级）爬坡和 N3（3 纳米级）爬坡之间的差距将增加到 2.5 年左右，这可能会给代工厂的主要客户苹果带来一些挑战。好消息是，N3 的后续产品 N3E 似乎提前到来了。同时，N2的节奏将延长至三年左右，这在很大程度上意味着台积电节点发展战略的战略转变。
N3E：引入改进的 3nm 节点
台积电的 N3 将在 N5 的基础上实现全节点改进，包括提高 10% ~ 15% 的性能、降低 25% ~ 30% 的功率以及高达 1.7 倍的逻辑晶体管密度。为此，它将使用超过 14 个极紫外 (EUV) 光刻层（N5 使用多达 14 个，预计 N3 将使用更多），并将为深紫外光刻 (DUV) 层引入某些新的设计规则。
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台积电将在下半年开始使用其 N3 节点增加芯片的生产，并将在 2023 年初向一个（或多个）客户交付第一批商用芯片，届时它将获得第一笔 N3 收入。
虽然台积电的 N3 工艺技术专为高性能计算（台积电用来描述 CPU、GPU、FPGA、ASIC 等应用的术语）和智能手机而设计，但有证据表明该节点具有相当狭窄的工艺窗口，这将使芯片开发人员难以达到所需的规格。这是一个问题，因为它增加了收益时间并最终降低了利润率。为了解决这个问题，台积电开发了 N3E 版本的技术，该技术 扩大了工艺窗口并提供了对 N5 的改进。
“N3E 将进一步扩展我们的 N3 系列，提高性能、功率和良率，” 台积电首席执行官 CC Wei表示。
最初，台积电计划在 N3 面世大约一年后（即 2023 年第三季度）开始使用 N3E 进行大批量制造（HVM），但最近几个月有 传言 称，台积电将 N3E 的 HVM 时间提前了约四分之一，原因是好于预期的试生产运行。在最近的电话会议中，台积电确认 N3E 的进展提前，并正在考虑使用该技术进行量产，但没有详细说明具体计划。
“我们的 N3E 成绩相当不错，”台积电负责人表示。“进展比我们的计划提前了。是的，我们正在考虑这一点。到目前为止，我仍然没有非常可靠的数据可以与您分享我们可以拉动多少个月。但是，是的，它在我们的计划中。”
请记住，芯片开发人员有自己的设计时间表，他们不可能都能够利用早期的 N3E 爬坡，因为他们的芯片也必须通过所有的预生产迭代。尽管如此，N3E 的进展好于预期总体上是一个好兆头，特别是考虑到台积电的 N3 系列将不得不为该行业服务相当长一段时间。
N2：预计 2026 年出现第一批芯片
事实上，到 2025 年底，N3 及其进化迭代仍将是台积电的领先产品，因为该公司的 N2（2 纳米级）时间表看起来相当保守。
台积电在 2020 年 8 月首次谈及 N2 时，并未透露有关技术（目前我们知道它采用栅极环绕 [GAA] 晶体管结构）或其时间表的许多细节，但表示将建立一个位于台湾新竹县宝山附近的全新工厂，用于该节点（一些消息来源称此新工厂为 Fab 20）。台湾当局在 2021 年年中批准了建设计划，该计划包括在 2022 年初破土动工（今年早些时候台积电董事会确实 接受 了新工厂建设的资金拨款），所以我们认为在我们说话的时候正在建造工厂.
土方建设通常需要一年或更多时间，然后设备安装也需要一年多，因此我们预计 Fab 20 的第一阶段最迟在 2024 年年中准备就绪。台积电预计在 2024 年底开始使用其 N2 技术进行风险生产，然后在 2025 年底启动 HVM，这意味着 2022 年第三季度的初始 N3 量产与 2025 年第四季度的初始 N2 量产之间的差距约为三年。
“到目前为止，我们在 N2 方面的进展正在走上正轨，”魏哲家说。“我只想说，是的，2024年底，[N2]将进入风险生产。2025年，它将投产，可能接近下半年或-或2025年底。那是我们的日程安排。”
考虑到现代芯片的生产周期，我们可以肯定地说，台积电制造的第一批 N2 芯片将在 2026 年初到达消费设备。
但也许台积电关于 N2 和 Fab 20 的公开披露过于保守。华兴证券的分析师 似乎对 Fab 20 的准备情况比台积电更乐观，这可能表明如果制造工艺满足其性能、功率和良率，代工厂 可以 将 N2 HVM 时间缩短四分之一。
“我们还看到台积电在 Fab 20（新竹）的 N2 扩建计划更加清晰，”华兴证券分析师 Sze Ho Ng 在给客户的报告中写道。“根据公司计划，预计工具搬入将于 2022 年底开始，然后在 2024 年末与英特尔合作进行风险生产（客户端 PC Lunar Lake 的图形‘块’，而 CPU‘块’使用英特尔的 18A 制造） ，而Apple则是该工艺的主要客户。”
同时，当 alpha 客户已经制定了 2025 年的计划时，将节点从 2025 年第四季度拉到 2025 年第三季度可能没有多大意义，但我们肯定会看到 N2 的情况如何。
更多 N3 次迭代
今年，台积电需要领先制造工艺的客户将使用该公司的 N4 技术，该技术属于 N5 系列（与 N5、N5P、N4P 和 N4X 一起）。从本质上讲，这意味着 N5 节点将连续三年成为台积电最先进的产品。
N3 节点还必须为台积电的客户再服务三年（2023 年、2024 年、2025 年），因此我们将看到这个过程的多次迭代。到目前为止，台积电已经正式确认了 N3E 和 N3X（这是另一种类似于 N4X的以性能为导向的制造技术 ，主要针对 CPU 和数据中心 ASIC），但我预计更多 N3 衍生节点将在 2024 年至 2025 年解决主流 SoC的制造问题 .
请记住，台积电基于 FinFET 的 N3 必须在与 2023 年至 2025 年与基于 GAA 的星3GAP 和 2GAE/2GAP 以及 2024 年的英特尔 20A (RibbonFET + PowerVia) 和 2025 年的 18A (High-NA EUV)竞争中保持竞争力，台积电的工程师们必须对他们的 N3 增强功能非常有创意。
在代工方面，台积电将在相当长一段时间内保持领先于竞争对手，因为预计英特尔在 2025 年之前不会对其 IFS 专用产能进行大量投资（因此其为 IFS 客户提供的 20A 和 18A 产能可能会受到限制），而三星代工在领先产能方面传统上落后于台积电，并且更倾向于优先考虑其母公司和战略客户（例如高通）。但正式的制程技术领先地位是台积电工程师必须通过 N3 保持的，考虑到英特尔和三星的激进程度，这将是一件不容易的事情。
变化即将来临
显然，台积电的全新工艺开发和加速节奏已经增加到 N3 的两年半，N2 将增加到三年，这可能被其主要客户认为是一个重大放缓。同时，N3E 的潜在拉入是一个好兆头，表明该公司可以相当快地实现其节点内的发展。因此，主要问题是台积电的节点内进步将有多大意义。这是一个只有时间才能回答的问题。
与此同时，随着台积电三年的新节点开发周期，未来的节点内进步对公司及其客户来说将比现在重要得多。
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