【消息称#三星电子将于6月30日开始量产3纳米芯片# 】据BusinessKorea报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

【消息称#三星抢先台积电生产3纳米芯片# 】
有消息称三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的 3 纳米半导体。

如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产 3 纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。

今年早些时候，一些行业观察家提出担心，由于产量低的问题，三星电子可能推迟 3 纳米半导体的大规模生产。然而，这些担忧被证明是毫无根据的。在竞争激烈的 3nm 制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。（IT之家）

在高通转投台积电并发布骁龙8 Plus Gen 1后，人们认为该芯片制造商和三星不会就未来的合作关系达成一致。不过，随着三星的3纳米GAA工艺在下周进入试生产阶段，两家公司之间的业务关系可能仍在计划之中。这意味着高通可能会给三星芯片订单，在其3纳米GAA工艺上进行大规模生产，前提是它能够实现不拖延地维持量产。

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