不该来的还是要来了 台积电要去美国建3纳米芯片厂。1、根据媒体报道,台积电创始人张忠谋近日称,台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂,投资规模约120亿美元。这意味着什么呢?
2、首先,这意味着台积电完全向美国靠拢了。此次张忠谋所说的芯片工厂不是之前台积电确定的在美国要建的芯片工厂,而是台积电在美国的第二个工厂。
2020年,台积电确定在美国建设5纳米工厂。新厂将采用最先进的3纳米制程,可用于制造目前最小、速度最快的芯片。该工厂于 2021 年 4 月动工兴建,预计 2024 年营运量产,月产能 2 万片。
谁也没想到,台积电对美国这么感兴趣,还要建第二个芯片厂。
3、其次,说明美国的芯片补贴政策见效了,此前近年当地时间8月25日,美国签署一项旨在实施《2022年芯片和科学法案》的行政命令。其中提出,将为在美国投资的芯片企业提供500亿美元的制造和研发资金。
这无疑很诱人。不过,台积电在美国的第二个工厂是长远规划,初步估计时间有可能会落在2026年。
4、另外,这说明台积电将日益被美国牵着鼻子走了。
美国曾这么谈及提供芯片补贴的作用,即“美国要迅速增加半导体产量,加强研究和设计领导地位,培养多样化的半导体劳动力,使美国在世界舞台上具有竞争优势”。
一旦台积电在美国建厂,要想离开就不太可能了,美国肯定不会放台积电走。
而台积电在美国建厂,将大大增强美国在芯片业的话语权,对包括中国在内的其他国家非常不利。
台积电创始人张忠谋1948年进入美国哈佛大学,当时全校1000多位新生,他是唯一的中国人。他在美国生活了37年,本科上的哈佛大学,硕士上的是MIT麻省理工学院,博士读的是斯坦福大学,全美国最好的三所大学都给他上过了。所以,他还是有美国情结的。
同时,不得不说,拜登在芯片业的这一招确实挺高明。#科技##芯片#
2、首先,这意味着台积电完全向美国靠拢了。此次张忠谋所说的芯片工厂不是之前台积电确定的在美国要建的芯片工厂,而是台积电在美国的第二个工厂。
2020年,台积电确定在美国建设5纳米工厂。新厂将采用最先进的3纳米制程,可用于制造目前最小、速度最快的芯片。该工厂于 2021 年 4 月动工兴建,预计 2024 年营运量产,月产能 2 万片。
谁也没想到,台积电对美国这么感兴趣,还要建第二个芯片厂。
3、其次,说明美国的芯片补贴政策见效了,此前近年当地时间8月25日,美国签署一项旨在实施《2022年芯片和科学法案》的行政命令。其中提出,将为在美国投资的芯片企业提供500亿美元的制造和研发资金。
这无疑很诱人。不过,台积电在美国的第二个工厂是长远规划,初步估计时间有可能会落在2026年。
4、另外,这说明台积电将日益被美国牵着鼻子走了。
美国曾这么谈及提供芯片补贴的作用,即“美国要迅速增加半导体产量,加强研究和设计领导地位,培养多样化的半导体劳动力,使美国在世界舞台上具有竞争优势”。
一旦台积电在美国建厂,要想离开就不太可能了,美国肯定不会放台积电走。
而台积电在美国建厂,将大大增强美国在芯片业的话语权,对包括中国在内的其他国家非常不利。
台积电创始人张忠谋1948年进入美国哈佛大学,当时全校1000多位新生,他是唯一的中国人。他在美国生活了37年,本科上的哈佛大学,硕士上的是MIT麻省理工学院,博士读的是斯坦福大学,全美国最好的三所大学都给他上过了。所以,他还是有美国情结的。
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官宣[给你小心心]DAISCH戴世智能正式入驻微博[收到]
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[中国赞]⌈戴⌋之伊始 定位⌈世⌋界
[中国赞]微博你好 DAISCH来啦
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[小黄人高兴]DAISCH戴世智能,聚焦于自动驾驶领域,为行业提供性能领先和质量过硬的量产级高精度定位解决方案。
[小黄人微笑]戴世布局多重市场赛道,在乘用车、ROBOTAXI、工程车辆、末端配送、无人集卡、飞行汽车、智慧矿场、无人环卫车、智慧农业、ADAS测试系统、机器人等有高精度定位需求的智能载具领域都能看到戴世在技术、精度、服务上的定位发力,持续为人与车创造新体验与新共鸣。
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现已设计开发[举杠铃]
[航天员]IFS3000 ADAS测试套件
[航天员]IFS2100超高性能组合惯导系统
[航天员]MS1运动传感器系列
[航天员]IM系列 高精度IMU模组
[航天员]DS系列 P-BOX
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我们有很多关于高精度定位导航的故事要和你们分享[偷笑]也想和你们一同探索更多时代趣事[钢铁侠]你会发现原来自动驾驶和定位导航可以很潮流很好玩[杰瑞]
#无人驾驶 #自动驾驶 #智能科技 #未来科技 #戴世智能 #DAISCH #新品牌入驻 #入驻微博 #惯性导航 #汽车
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美光宣布 LPDDR5X 量产,导入高通骁龙 8 Gen 2 芯片主架构设计
据台媒联合报报道,美光宣布,LPDDR5X 內存在被高通骁龙 8 Gen 2 芯片纳入主架构设计后,目前已量产出货。
了解到,美光在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用新一代制程技术,最高速率可达每秒 8.5Gb。除了移动应用,基于 1β 节点的 DRAM 产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点。
与上一代 1α 节点相比,1β 技术可将能效提高约 15%,内存密度提升 35% 以上,单颗裸片容量达 16Gb。此前,美光于 2021 年批量出货基于 1α(1-alpha)节点的产品。
据介绍,最新推出的 LPDDR5X 专为高端及旗舰智能手机打造。台媒指出,美光资深副总裁、行动事业部总经理 Raj Talluri 称,目前美光最高速的 LPPDR5X 已量产并在全球铺货。
此外,高通产品管理副总裁 Ziad Asghar 指出,要想达到骁龙 8 Gen 2 宣称的光速上网、动态体验以及划时代性能,高速內存不可或缺。美光 LPDDR5X 內存可达 8.5Gbps,前所未有的超高速率及能耗表现,正能满足高通芯片组所需。
据台媒联合报报道,美光宣布,LPDDR5X 內存在被高通骁龙 8 Gen 2 芯片纳入主架构设计后,目前已量产出货。
了解到,美光在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用新一代制程技术,最高速率可达每秒 8.5Gb。除了移动应用,基于 1β 节点的 DRAM 产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点。
与上一代 1α 节点相比,1β 技术可将能效提高约 15%,内存密度提升 35% 以上,单颗裸片容量达 16Gb。此前,美光于 2021 年批量出货基于 1α(1-alpha)节点的产品。
据介绍,最新推出的 LPDDR5X 专为高端及旗舰智能手机打造。台媒指出,美光资深副总裁、行动事业部总经理 Raj Talluri 称,目前美光最高速的 LPPDR5X 已量产并在全球铺货。
此外,高通产品管理副总裁 Ziad Asghar 指出,要想达到骁龙 8 Gen 2 宣称的光速上网、动态体验以及划时代性能,高速內存不可或缺。美光 LPDDR5X 內存可达 8.5Gbps,前所未有的超高速率及能耗表现,正能满足高通芯片组所需。
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