Macom 收购 Wolfspeed 的射频业务
Macom 以 7500 万美元现金和 5000 万美元 Macom 股票收购了 Wolfspeed 的 RF 业务,Wolfspeed 将保留其SiC和GaN涉及的业务,并出售其射频、产品线,包括用于2.5GHz以下5G的LDMOS。
这些产品都是互补的,Wolfspeed 专注于 0.45 微米至 0.15 微米 50-55V 器件,而 Macom 专注于 0.14 微米 GaN-on-Si InP 激光器以及 GaN-on-Sic GaAs pHEMT 和 MHEMT。
交易完成后大约两年,Macom 将控制 Wolfspeed 位于北卡罗来纳州三角研究园的 100 毫米 GaN 晶圆厂。#macom##wolfspeed##收购##芯片[超话]##SiC##GaN##MHEMT##pHEMT##电子元器件[超话]#
Macom 以 7500 万美元现金和 5000 万美元 Macom 股票收购了 Wolfspeed 的 RF 业务,Wolfspeed 将保留其SiC和GaN涉及的业务,并出售其射频、产品线,包括用于2.5GHz以下5G的LDMOS。
这些产品都是互补的,Wolfspeed 专注于 0.45 微米至 0.15 微米 50-55V 器件,而 Macom 专注于 0.14 微米 GaN-on-Si InP 激光器以及 GaN-on-Sic GaAs pHEMT 和 MHEMT。
交易完成后大约两年,Macom 将控制 Wolfspeed 位于北卡罗来纳州三角研究园的 100 毫米 GaN 晶圆厂。#macom##wolfspeed##收购##芯片[超话]##SiC##GaN##MHEMT##pHEMT##电子元器件[超话]#
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。
东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。
Ø 应用:
工业设备
- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)
- 储能系统
- 工业设备用电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等设备
Ø 特性:
- 低漏极-源极导通电压(传感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低开通损耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低关断损耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生电感:
LsPN=12nH(典型值)
类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。
东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。
Ø 应用:
工业设备
- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)
- 储能系统
- 工业设备用电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等设备
Ø 特性:
- 低漏极-源极导通电压(传感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低开通损耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低关断损耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生电感:
LsPN=12nH(典型值)
NOVITEC Reveals Its Take on the Ferrari 812 Competizione
Further increasing the total power of its already monstrous 6.5-liter V12 engine
NOVITEC high-performance exhaust system that increases the peak power of the Competizione’s 6.5-liter V12 engine to 866 hp from the standard 818 hp.
Further increasing the total power of its already monstrous 6.5-liter V12 engine
NOVITEC high-performance exhaust system that increases the peak power of the Competizione’s 6.5-liter V12 engine to 866 hp from the standard 818 hp.
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