纯电的宝马1系未来将取代i3，宝马品牌官方规划表示，2023年底将拥有12款纯电车型，第一款车型为Mini Cooper SE。明年开始生产第5代纯电动力系统，将供应纯电SUV iX3、全新纯电轿车 i4、还有iNEXT量产版等，宝马将计划推出i1车型，该车将基于1系打造，后续i1车型的推出也有望取代i3车型为家族在该细分市场继续征战。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
任何高性能ADC，尤其是射频采样ADC，输入或前端的设计对于实现所需的系统级性能而言很关键。很多情况下，射频采样ADC可以对几百MHz的信号带宽进行数字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是无源（使用变压器或巴伦），具体取决于系统要求。无论哪种情况，都必须谨慎选择元器件，以便实现在目标频段的最优ADC性能。
简介
射频采样ADC采用深亚微米CMOS工艺技术制造，并且半导体器件的物理特性表明较小的晶体管尺寸支持的最大电压也较低。因此，在数据手册中规定的出于可靠性原因而不应超出的绝对最大电压，将当前主流的射频采样ADC与之前的老器件相比，可以发现这个电压值是变小的。
在使用ADC对输入信号进行数字量化的接收机应用中，系统设计人员必须密切关注绝对最大输入电压。该参数直接影响ADC的使用寿命和可靠性。不可靠的ADC可能导致整个无线电系统无法使用，且更换成本也许非常巨大。
为了抵消过压带来的风险，射频采样ADC集成了可以检测高电平阈值的电路，允许接收机通过自动增益控制（AGC）环路调节增益来进行补偿。但是，如果采用流水线型ADC，则与架构相关的固有延迟可能导致输入暴露于高电平之下，从而可能损害ADC输入。本文讨论了一种简单的方法来增强AGC环路，保护ADC。
输入架构
射频采样ADC可采用多种不同的设计，最常见的一种是流水线架构，该架构采用多级级联，将模拟信号转换为数字信号。第一级最重要，可以是缓冲或未缓冲级。选择哪种设计取决于设计要求和性能目标。例如，一个带缓冲器的ADC通常在频率范围内具有更好的SFDR性能，但功耗比不带缓冲器的ADC更高。
前端设计同样会根据ADC是否有缓冲级而改变。没有缓冲器的ADC需要使用额外的串联电阻来处理输入电荷反冲，它同样会改善SFDR性能。图1和图2显示了AD9625未缓冲和AD9680缓冲射频采样ADC的等效输入电路简化图。为简明起见，仅显示单端输入。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图1. 未缓冲射频采样ADC输入的等效电路
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图2. 缓冲射频采样ADC输入的等效电路
无论采用何种架构，ADC输入端可持续的绝对最大电压由MOSFET能够处理的电压决定。缓冲输入更复杂，且比未缓冲输入功耗更大。ADC具有多种不同类型的缓冲器，最常见的一种是源极跟随器。
故障机制
缓冲和未缓冲ADC的故障机制有所不同，但通常是在超出允许的最大栅极-源极电压（ （VGS））或漏极-源极电压（（VDS））时发生故障。这些电压如图3所示。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图3. MOS晶体管的关键电压
例如，假设VDS超过允许的最大电压，则发生VDS击穿故障，这通常在MOSFET处于关断状态且在漏极施加了相对于源极的过量电压时发生。如果VGS超过允许的最大电压，则它会导致VGS击穿（亦称为氧化层击穿）。这通常在MOSFET处于导通状态且在栅极施加了相对于源极的过量电压时发生。
未缓冲ADC的故障机制
图4显示的是一个未缓冲ADC输入。采样过程由反相时钟信号Φ和Φ控制，它们是MOSFET M1的采样/保持信号以及MOSFET M2的复位信号。M1导通时，M2关断，且电容CSW跟踪信号（采样或跟踪模式）。当M1关断时，MDAC中的比较器作出判断后M2导通，电容CSW复位。这样可在采样阶段使采样电容为下一次采样做好准备。该电路通常工作状态优良。
但是，高压输入使M2暴露在超出其漏源电压的应力之下。当对输入高压进行采样（M1导通、M2关断）时，M2会暴露于较大的VDS之下，其在不足采样时钟半周期的时间内处于关断状态，但哪怕只是瞬时的暴露也会降低电路的可靠性，导致ADC随时间失效。在复位模式下（M1关断、M2导通），因M1的漏极上有输入信号，从而也会暴露于大的VDS电压。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图4. 未缓冲ADC输入的故障模式
缓冲ADC的故障机制
图5显示的是一个缓冲ADC输入。采样和复位信号适用相同的时钟方案。无论相位如何，当缓冲器M3栅极暴露于高压输入时，产生电流I1以及I2。电流源I1采用PMOS晶体管实现，而I2采用NMOS晶体管实现。M3栅极上的高电压导致I1和I2 MOSFET产生过大的VDS。此外，M3栅极上的高电压还可导致氧化层击穿。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图5. 缓冲ADC输入的故障模式
缓冲和未缓冲ADC的击穿机制有所不同，因此绝对最大输入电压同样有所不同，如表1所以。
更多请关注CAT24C256WI-GT3：https://t.cn/AiRVijy5
任何高性能ADC，尤其是射频采样ADC，输入或前端的设计对于实现所需的系统级性能而言很关键。很多情况下，射频采样ADC可以对几百MHz的信号带宽进行数字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是无源（使用变压器或巴伦），具体取决于系统要求。无论哪种情况，都必须谨慎选择元器件，以便实现在目标频段的最优ADC性能。
简介
射频采样ADC采用深亚微米CMOS工艺技术制造，并且半导体器件的物理特性表明较小的晶体管尺寸支持的最大电压也较低。因此，在数据手册中规定的出于可靠性原因而不应超出的绝对最大电压，将当前主流的射频采样ADC与之前的老器件相比，可以发现这个电压值是变小的。
在使用ADC对输入信号进行数字量化的接收机应用中，系统设计人员必须密切关注绝对最大输入电压。该参数直接影响ADC的使用寿命和可靠性。不可靠的ADC可能导致整个无线电系统无法使用，且更换成本也许非常巨大。
为了抵消过压带来的风险，射频采样ADC集成了可以检测高电平阈值的电路，允许接收机通过自动增益控制（AGC）环路调节增益来进行补偿。但是，如果采用流水线型ADC，则与架构相关的固有延迟可能导致输入暴露于高电平之下，从而可能损害ADC输入。本文讨论了一种简单的方法来增强AGC环路，保护ADC。
输入架构
射频采样ADC可采用多种不同的设计，最常见的一种是流水线架构，该架构采用多级级联，将模拟信号转换为数字信号。第一级最重要，可以是缓冲或未缓冲级。选择哪种设计取决于设计要求和性能目标。例如，一个带缓冲器的ADC通常在频率范围内具有更好的SFDR性能，但功耗比不带缓冲器的ADC更高。
前端设计同样会根据ADC是否有缓冲级而改变。没有缓冲器的ADC需要使用额外的串联电阻来处理输入电荷反冲，它同样会改善SFDR性能。图1和图2显示了AD9625未缓冲和AD9680缓冲射频采样ADC的等效输入电路简化图。为简明起见，仅显示单端输入。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图1. 未缓冲射频采样ADC输入的等效电路
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图2. 缓冲射频采样ADC输入的等效电路
无论采用何种架构，ADC输入端可持续的绝对最大电压由MOSFET能够处理的电压决定。缓冲输入更复杂，且比未缓冲输入功耗更大。ADC具有多种不同类型的缓冲器，最常见的一种是源极跟随器。
故障机制
缓冲和未缓冲ADC的故障机制有所不同，但通常是在超出允许的最大栅极-源极电压（ （VGS））或漏极-源极电压（（VDS））时发生故障。这些电压如图3所示。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图3. MOS晶体管的关键电压
例如，假设VDS超过允许的最大电压，则发生VDS击穿故障，这通常在MOSFET处于关断状态且在漏极施加了相对于源极的过量电压时发生。如果VGS超过允许的最大电压，则它会导致VGS击穿（亦称为氧化层击穿）。这通常在MOSFET处于导通状态且在栅极施加了相对于源极的过量电压时发生。
未缓冲ADC的故障机制
图4显示的是一个未缓冲ADC输入。采样过程由反相时钟信号Φ和Φ控制，它们是MOSFET M1的采样/保持信号以及MOSFET M2的复位信号。M1导通时，M2关断，且电容CSW跟踪信号（采样或跟踪模式）。当M1关断时，MDAC中的比较器作出判断后M2导通，电容CSW复位。这样可在采样阶段使采样电容为下一次采样做好准备。该电路通常工作状态优良。
但是，高压输入使M2暴露在超出其漏源电压的应力之下。当对输入高压进行采样（M1导通、M2关断）时，M2会暴露于较大的VDS之下，其在不足采样时钟半周期的时间内处于关断状态，但哪怕只是瞬时的暴露也会降低电路的可靠性，导致ADC随时间失效。在复位模式下（M1关断、M2导通），因M1的漏极上有输入信号，从而也会暴露于大的VDS电压。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图4. 未缓冲ADC输入的故障模式
缓冲ADC的故障机制
图5显示的是一个缓冲ADC输入。采样和复位信号适用相同的时钟方案。无论相位如何，当缓冲器M3栅极暴露于高压输入时，产生电流I1以及I2。电流源I1采用PMOS晶体管实现，而I2采用NMOS晶体管实现。M3栅极上的高电压导致I1和I2 MOSFET产生过大的VDS。此外，M3栅极上的高电压还可导致氧化层击穿。
使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入
图5. 缓冲ADC输入的故障模式
缓冲和未缓冲ADC的击穿机制有所不同，因此绝对最大输入电压同样有所不同，如表1所以。
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钻石净度是指其无内含物和表面特征的程度
天然钻石是碳元素在高温高压的环境下形成的。 而这一过程，也导致了每颗钻石有内部的特征，称为 “内含物”，在钻石表面的特征则称为“表面特征”。
内含物可能为包覆在钻石内的其他矿物晶体，或者本生的晶体缺陷呈现雾状白色。而大部分的钻石都含有极细微的内含物，不影响钻石本身的美感，也无法由肉眼观察。但较大的内含物会阻碍光线在钻石内穿透，影响钻石的闪耀程度。靠近或延伸至表面的裂纹有可能受力而加长增深，甚至崩裂。
净度是影响钻石评级和品质的 4C 因素之一。在选购钻石时，钻石净度是重要性至低的一个因素，因为大多数钻石都有表瑕和微小内含物，未经过专业训练的眼睛或裸眼无法看到。当然净度等级越高，钻石的价格也就随之增高。此外，内含物可以记载钻石形成时的地质环境，并可作为分辨真伪、天然或合成钻石的依据。
对钻石净度的评定，包括了对上述特征的数量、大小、可见度、类型、位置和对钻石整体外观的影响程度的鉴定。钻石净度的评级必须在十倍放大镜检视下进行，尽管世上没有绝对完美无瑕的天然钻石，但净度越高的钻石，价值越高。
GIA 的钻石净度标准分为 6 个类别，11 个等级：
无瑕级 (FL) 在 10 倍放大镜下观察，钻石没有任何内含物或表面特征
内无瑕级 (IF) 在 10 倍放大镜下观察，无可见内含物
极轻微内含级（VVS1 和 VVS2）在 10 倍放大镜下观察，钻石内部有极微小的内含物，即使是专业鉴定师也很难看到
轻微内含级（VS1 和 VS 2）在 10 倍放大镜下观察，钻石的内部可以看到微小的内含物
微内含级（SI1 和 SI2）在 10 倍放大镜下观察，钻石有可见的内含物
内含级（I1、I2 和I3）钻石的内含物在 10 倍放大镜下明显可见，并且可能会影响钻石的透明度和亮泽度
钻石的内含物和表面特征通常都非常微小，只有专业的钻石鉴定师才能看到。 肉眼看上去，VS1 级钻石和 SI2 级钻石可能完全一样，但其整体品质却相差极大。 因此，专业精准的钻石净度鉴定非常重要。
GIA 的净度等级系统是如何产生的？
如同颜色等级系统，珠宝商们所使用的术语也在市场上造成一定的困扰，例如“镜下无瑕疵”、“不洁”等。为了规范市场，GIA 创立了清晰统一的净度分级系统，在全球广泛使用，非常利于珠宝的交易。即使您在世界的其他地方购买钻石时，珠宝商说日语或法语（而不是英语），您都能听到像 VVS1 或 SI2 这样规范的专业用语。 https://t.cn/AiYHPfP1
天然钻石是碳元素在高温高压的环境下形成的。 而这一过程，也导致了每颗钻石有内部的特征，称为 “内含物”，在钻石表面的特征则称为“表面特征”。
内含物可能为包覆在钻石内的其他矿物晶体，或者本生的晶体缺陷呈现雾状白色。而大部分的钻石都含有极细微的内含物，不影响钻石本身的美感，也无法由肉眼观察。但较大的内含物会阻碍光线在钻石内穿透，影响钻石的闪耀程度。靠近或延伸至表面的裂纹有可能受力而加长增深，甚至崩裂。
净度是影响钻石评级和品质的 4C 因素之一。在选购钻石时，钻石净度是重要性至低的一个因素，因为大多数钻石都有表瑕和微小内含物，未经过专业训练的眼睛或裸眼无法看到。当然净度等级越高，钻石的价格也就随之增高。此外，内含物可以记载钻石形成时的地质环境，并可作为分辨真伪、天然或合成钻石的依据。
对钻石净度的评定，包括了对上述特征的数量、大小、可见度、类型、位置和对钻石整体外观的影响程度的鉴定。钻石净度的评级必须在十倍放大镜检视下进行，尽管世上没有绝对完美无瑕的天然钻石，但净度越高的钻石，价值越高。
GIA 的钻石净度标准分为 6 个类别，11 个等级：
无瑕级 (FL) 在 10 倍放大镜下观察，钻石没有任何内含物或表面特征
内无瑕级 (IF) 在 10 倍放大镜下观察，无可见内含物
极轻微内含级（VVS1 和 VVS2）在 10 倍放大镜下观察，钻石内部有极微小的内含物，即使是专业鉴定师也很难看到
轻微内含级（VS1 和 VS 2）在 10 倍放大镜下观察，钻石的内部可以看到微小的内含物
微内含级（SI1 和 SI2）在 10 倍放大镜下观察，钻石有可见的内含物
内含级（I1、I2 和I3）钻石的内含物在 10 倍放大镜下明显可见，并且可能会影响钻石的透明度和亮泽度
钻石的内含物和表面特征通常都非常微小，只有专业的钻石鉴定师才能看到。 肉眼看上去，VS1 级钻石和 SI2 级钻石可能完全一样，但其整体品质却相差极大。 因此，专业精准的钻石净度鉴定非常重要。
GIA 的净度等级系统是如何产生的？
如同颜色等级系统，珠宝商们所使用的术语也在市场上造成一定的困扰，例如“镜下无瑕疵”、“不洁”等。为了规范市场，GIA 创立了清晰统一的净度分级系统，在全球广泛使用，非常利于珠宝的交易。即使您在世界的其他地方购买钻石时，珠宝商说日语或法语（而不是英语），您都能听到像 VVS1 或 SI2 这样规范的专业用语。 https://t.cn/AiYHPfP1
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