首页 > IT资讯>业界
英国研究者介绍 UltraRAM 技术新突破：可整合内存与闪存，耐久性极高
2022/1/12 9:05:59 来源：IT之家 作者：沐泉 责编：沐泉评论：34
IT之家 1 月 12 日消息，根据外媒 techspot 报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术近期取得的重要进展。
UltraRAM商标
这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时，三星也有 Z-NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。
具体来看，UltraRAM 芯片的制造工艺，与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构，中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。
芯片结构详解
科学家表示，UltraRAM 的制造成本比较低，其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型，可以保证数据能够保存 1000 年，擦写次数可以超过 1000 万，几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话，将会对行业产生重大影响。
制造过程图解：
从左至右 6 张图展现存储单元制造过程
IT之家了解到，UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力学效应，在施加电压后，允许势垒从不透明转为透明。与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比，UltraRAM 的写入过程非常节能，因此有助于提高移动设备的续航时间。
兰开斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度。这项技术有很大的潜力，可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程。
英国研究者介绍 UltraRAM 技术新突破：可整合内存与闪存，耐久性极高
2022/1/12 9:05:59 来源：IT之家 作者：沐泉 责编：沐泉评论：34
IT之家 1 月 12 日消息，根据外媒 techspot 报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术近期取得的重要进展。
UltraRAM商标
这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时，三星也有 Z-NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。
具体来看，UltraRAM 芯片的制造工艺，与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构，中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。
芯片结构详解
科学家表示，UltraRAM 的制造成本比较低，其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型，可以保证数据能够保存 1000 年，擦写次数可以超过 1000 万，几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话，将会对行业产生重大影响。
制造过程图解：
从左至右 6 张图展现存储单元制造过程
IT之家了解到，UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力学效应，在施加电压后，允许势垒从不透明转为透明。与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比，UltraRAM 的写入过程非常节能，因此有助于提高移动设备的续航时间。
兰开斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度。这项技术有很大的潜力，可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程。
高通 Q4 及全年财报解读：5G 加速普及、疫情恢复后市场需求的提振等共同助推高通的全年高成长表现
首页 > IT资讯>业界
高通 Q4 及全年财报解读：5G 加速普及、疫情恢复后市场需求的提振等共同助推高通的全年高成长表现
2021/11/13 10:45:29 来源：爱集微 作者：轶群 责编：江离
评论：9
日前，高通发布截至 9 月 26 日的 2021 财年 Q4 及全年财报，其中四季度营收 93.36 亿美元创历史新高，全年营收更是同比增长 43%，暴增 100 亿美元。
[高通 Q4 及全年财报解读：5G 加速普及、疫情恢复后市场需求的提振等共同助推高通的全年高成长表现]
多元化业务拓展带来的客户群体数量增加，疫情恢复后市场需求的提振，5G 加速渗透普及，以及华为退出后带来的 OEM 市场格局的变化和机遇，共同助推了高通的全年高成长表现。
Q4 营收创纪录
2021 财年 Q4 高通营收为 93.36 亿美元，去年同期为 83.46 亿美元，同比增长 12%。93.36 亿美元创下四季度营收新高，也是第二高的单季营收（2019 财年 Q3，高通营收为 96.35 亿美元）。
QCT（芯片）业务营收 77.33 亿美元，同比增长 56%，净利润 24.64 亿美元，同比增长 143%，芯片业务利润连续 5 个季度同比增长超过 100%；QTL（授权许可）业务 Q4 营收 15.6 亿美元，同比增长 3%。
高通在本季度的营收上的高光表现，主要得益于高端安卓智能手机芯片出货以及非手机业务全面提升的推动。
目前高通 QCT 业务分为四个细分领域，手机、射频前端、IoT 和汽车。在本季度，每个细分领域均实现创纪录的收入，营收同比增幅均超过 40%。
其中，手机相关业务营收为 46.86 亿元，同比增长 56%。据高通方面介绍，由于骁龙芯片持续获得 OEM 厂商青睐，本季度，高通高端的骁龙芯片出货量同比增长 21%。
首页 > IT资讯>业界
高通 Q4 及全年财报解读：5G 加速普及、疫情恢复后市场需求的提振等共同助推高通的全年高成长表现
2021/11/13 10:45:29 来源：爱集微 作者：轶群 责编：江离
评论：9
日前，高通发布截至 9 月 26 日的 2021 财年 Q4 及全年财报，其中四季度营收 93.36 亿美元创历史新高，全年营收更是同比增长 43%，暴增 100 亿美元。
[高通 Q4 及全年财报解读：5G 加速普及、疫情恢复后市场需求的提振等共同助推高通的全年高成长表现]
多元化业务拓展带来的客户群体数量增加，疫情恢复后市场需求的提振，5G 加速渗透普及，以及华为退出后带来的 OEM 市场格局的变化和机遇，共同助推了高通的全年高成长表现。
Q4 营收创纪录
2021 财年 Q4 高通营收为 93.36 亿美元，去年同期为 83.46 亿美元，同比增长 12%。93.36 亿美元创下四季度营收新高，也是第二高的单季营收（2019 财年 Q3，高通营收为 96.35 亿美元）。
QCT（芯片）业务营收 77.33 亿美元，同比增长 56%，净利润 24.64 亿美元，同比增长 143%，芯片业务利润连续 5 个季度同比增长超过 100%；QTL（授权许可）业务 Q4 营收 15.6 亿美元，同比增长 3%。
高通在本季度的营收上的高光表现，主要得益于高端安卓智能手机芯片出货以及非手机业务全面提升的推动。
目前高通 QCT 业务分为四个细分领域，手机、射频前端、IoT 和汽车。在本季度，每个细分领域均实现创纪录的收入，营收同比增幅均超过 40%。
其中，手机相关业务营收为 46.86 亿元，同比增长 56%。据高通方面介绍，由于骁龙芯片持续获得 OEM 厂商青睐，本季度，高通高端的骁龙芯片出货量同比增长 21%。
首页 > IT资讯>业界
瑞萨电子推出工业温度级 DDR5 和 DDR4 寄存时钟驱动器，可在 -40ºC 至 105ºC 下工作
2021/11/5 11:24:46 来源：TechWeb 作者：新喀鸦 责编：汪淼
评论：11
11 月 5 日消息，瑞萨电子集团近日宣布，推出支持工业温度等级 DDR5（5RCD0148H）和 DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业 4.0 和 5G 等应用。
[瑞萨电子推出工业温度级 DDR5 和 DDR4 寄存时钟驱动器，可在 -40ºC 至 105ºC 下工作]
与通常在 0 至 70ºC 温度范围运行的产品相比，新产品可支持最低-40ºC 至最高 105ºC 的温度范围，支持 DDR5 以 5200MT/s 和 DDR4 以 3200MT/s 的速度运行。新产品带来 2 倍的通道速度提升和低延迟以及出色的电源管理，实现了 DDR5 工业温度等级双列直插式内存模组（DIMM）和内存颗粒接于主板的应用，同时为现有 DDR4 应用提供了更宽泛的温度范围可靠性。
瑞萨工业温度级存储器接口组件可与其配套的时钟、电源，和 5G 射频及基带产品相结合，为各种无线接入和边缘计算应用打造全面解决方案。瑞萨的“成功产品组合”作为经验证的完整解决方案，旨在帮助客户加速设计进程并缩短产品上市时间。
全新瑞萨工业温度级 DDR5 RCD 经过优化，可与瑞萨的其它产品（包括电源管理 IC P8900、SPD 集线器 SPD5118，和温度传感器 TS5111）无缝协作；全新工业温度级 DDR4 RCD 旨在与 TSE2004DDR4 温度传感器配合使用。存储器供应商采用瑞萨芯片解决方案还可获得完整的互操作性和稳定的质量。
瑞萨 5RCD0148H DDR5 和 4RCD0232K DDR4 现已上市。
瑞萨电子推出工业温度级 DDR5 和 DDR4 寄存时钟驱动器，可在 -40ºC 至 105ºC 下工作
2021/11/5 11:24:46 来源：TechWeb 作者：新喀鸦 责编：汪淼
评论：11
11 月 5 日消息，瑞萨电子集团近日宣布，推出支持工业温度等级 DDR5（5RCD0148H）和 DDR4（4RCD0232K）寄存时钟驱动器（RCD），面向要求严苛的边缘计算、汽车、工业 4.0 和 5G 等应用。
[瑞萨电子推出工业温度级 DDR5 和 DDR4 寄存时钟驱动器，可在 -40ºC 至 105ºC 下工作]
与通常在 0 至 70ºC 温度范围运行的产品相比，新产品可支持最低-40ºC 至最高 105ºC 的温度范围，支持 DDR5 以 5200MT/s 和 DDR4 以 3200MT/s 的速度运行。新产品带来 2 倍的通道速度提升和低延迟以及出色的电源管理，实现了 DDR5 工业温度等级双列直插式内存模组（DIMM）和内存颗粒接于主板的应用，同时为现有 DDR4 应用提供了更宽泛的温度范围可靠性。
瑞萨工业温度级存储器接口组件可与其配套的时钟、电源，和 5G 射频及基带产品相结合，为各种无线接入和边缘计算应用打造全面解决方案。瑞萨的“成功产品组合”作为经验证的完整解决方案，旨在帮助客户加速设计进程并缩短产品上市时间。
全新瑞萨工业温度级 DDR5 RCD 经过优化，可与瑞萨的其它产品（包括电源管理 IC P8900、SPD 集线器 SPD5118，和温度传感器 TS5111）无缝协作；全新工业温度级 DDR4 RCD 旨在与 TSE2004DDR4 温度传感器配合使用。存储器供应商采用瑞萨芯片解决方案还可获得完整的互操作性和稳定的质量。
瑞萨 5RCD0148H DDR5 和 4RCD0232K DDR4 现已上市。
✋热门推荐